公开(公告)号：TW201118962A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW099130560

申请日：2010-09-09

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 米山正洋 ,  川田政和 ,  高橋豐誠 ,  出島裕久 ,  白石史廣 ,  佐藤敏寬

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 半導體晶圓接合體之製造方法係具有：準備間隔物形成用薄膜的步驟，該間隔物形成用薄膜具備片狀的支持基材、與設置在該支持基材上具有感光性的間隔物形成層；在半導體晶圓的一面側貼著前述間隔物形成層的步驟；藉由曝光-顯像前述間隔物形成層進行圖案化而形成間隔物，同時去除前述支持基材的步驟；及以透明基板包含於內側的方式，使透明基板接合於前述間隔物與前述支持基材接觸之部分的步驟。藉此，可製造半導體晶圓與透明基板均一且確實地透過間隔物而接合之半導體晶圓接合體。

简体摘要： 半导体晶圆接合体之制造方法系具有：准备间隔物形成用薄膜的步骤，该间隔物形成用薄膜具备片状的支持基材、与设置在该支持基材上具有感光性的间隔物形成层；在半导体晶圆的一面侧贴着前述间隔物形成层的步骤；借由曝光-显像前述间隔物形成层进行图案化而形成间隔物，同时去除前述支持基材的步骤；及以透明基板包含于内侧的方式，使透明基板接合于前述间隔物与前述支持基材接触之部分的步骤。借此，可制造半导体晶圆与透明基板均一且确实地透过间隔物而接合之半导体晶圆接合体。

公开(公告)号：TW201140239A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：TW100110287

申请日：2011-03-25

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 白石史廣 ,  米山正洋 ,  川田政和 ,  高橋豊誠 ,  出島裕久

IPC分类号： G03F ,  C08K ,  H01L

CPC分类号： H01L21/76898 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0385 ,  G03F7/0388 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之感光性樹脂組成物的特徵為含有鹼可溶性樹脂(A)、光聚合起始劑(B)與最大吸收波長為800nm以上且2500nm以下之範圍內的紅外線吸收劑(D),且波長400nm以上且700nm以下之可見光穿透率的最大値為5.0%以上。又,本發明之感光性樹脂組成物的特徵為含有鹼可溶性樹脂(A)、光酸產生劑(C)與最大吸收波長為800nm以上且2500nm以下之範圍內的紅外線吸收劑(D),且波長400nm以上且700nm以下之可見光穿透率的最大値為5.0%以上。

简体摘要： 本发明之感光性树脂组成物的特征为含有碱可溶性树脂(A)、光聚合起始剂(B)与最大吸收波长为800nm以上且2500nm以下之范围内的红外线吸收剂(D),且波长400nm以上且700nm以下之可见光穿透率的最大値为5.0%以上。又,本发明之感光性树脂组成物的特征为含有碱可溶性树脂(A)、光酸产生剂(C)与最大吸收波长为800nm以上且2500nm以下之范围内的红外线吸收剂(D),且波长400nm以上且700nm以下之可见光穿透率的最大値为5.0%以上。

公开(公告)号：TW201042382A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW099111566

申请日：2010-04-14

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 佐藤敏寬 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豊誠 ,  出島裕久 ,  白石史廣

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： H01L31/0203 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0388 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明之目的在於提供一種感光性樹脂組成物、由感光性樹脂組成物所構成之黏著膜及由黏著膜所形成之受光裝置，其係藉曝光及顯影所進行之圖案化後之樹脂殘渣較少，可使高溫高濕環境下在半導體晶圓與透明基板間所發生之結露減低。本發明之感光性樹脂組成物係含有鹼可溶性樹脂(A)、光聚合起始劑(B)與具有酚性羥基與羧基的化合物(C)。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种感光性树脂组成物、由感光性树脂组成物所构成之黏着膜及由黏着膜所形成之受光设备，其系藉曝光及显影所进行之图案化后之树脂残渣较少，可使高温高湿环境下在半导体晶圆与透明基板间所发生之结露减低。本发明之感光性树脂组成物系含有碱可溶性树脂(A)、光聚合起始剂(B)与具有酚性羟基与羧基的化合物(C)。

公开(公告)号：TW201133653A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099131204

申请日：2010-09-15

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 佐藤敏寬 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  出島裕久 ,  白石史廣

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2495 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 半導體晶圓接合體之製造方法係具有：準備具備薄片狀的支持基材、及設置在該支持基材上之具有感光性的間隔物形成層之間隔物形成用薄膜的步驟；使前述間隔物形成層貼著於半導體晶圓的一面側上的步驟；藉由曝光、顯像前述間隔物形成層並進行圖案化，以形成間隔物的同時，去除前述支持基材的步驟；及，以透明基板包含於內側的方式，使透明基板接合於前述間隔物與前述支持基材接觸之部分的步驟。因此，可製造半導體晶圓與透明基板均一且確實地透過間隔物而接合之半導體晶圓接合體。

简体摘要： 半导体晶圆接合体之制造方法系具有：准备具备薄片状的支持基材、及设置在该支持基材上之具有感光性的间隔物形成层之间隔物形成用薄膜的步骤；使前述间隔物形成层贴着于半导体晶圆的一面侧上的步骤；借由曝光、显像前述间隔物形成层并进行图案化，以形成间隔物的同时，去除前述支持基材的步骤；及，以透明基板包含于内侧的方式，使透明基板接合于前述间隔物与前述支持基材接触之部分的步骤。因此，可制造半导体晶圆与透明基板均一且确实地透过间隔物而接合之半导体晶圆接合体。

公开(公告)号：TW201120117A

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：TW099135294

申请日：2010-10-15

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 高橋豐誠 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  出島裕久 ,  白石史廣 ,  佐藤敏寬

IPC分类号： C08L ,  H01L

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T428/21 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明的樹脂組成物其係用於在半導體晶圓101'與透明基板102之間設置以平面觀察為格子狀之間隔物104,以含有鹼可溶性樹脂、熱硬化性樹脂、及光聚合起始劑之構成材料所構成者,在透過間隔物接合半導體晶圓101'與透明基板102之際,以平面觀察間隔物104其係幾乎全面地形成,然後,使半導體晶圓101'為1/5的厚度時的翹曲大小為3000���m以下。又,較佳係在半導體晶圓接合體2000的加工前係翹曲大小為500���m以下,且在其加工後的翹曲增大率為600%以下。

简体摘要： 本发明的树脂组成物其系用于在半导体晶圆101'与透明基板102之间设置以平面观察为格子状之间隔物104,以含有碱可溶性树脂、热硬化性树脂、及光聚合起始剂之构成材料所构成者,在透过间隔物接合半导体晶圆101'与透明基板102之际,以平面观察间隔物104其系几乎全面地形成,然后,使半导体晶圆101'为1/5的厚度时的翘曲大小为3000���m以下。又,较佳系在半导体晶圆接合体2000的加工前系翘曲大小为500���m以下,且在其加工后的翘曲增大率为600%以下。

公开(公告)号：TW201041996A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW099109367

申请日：2010-03-29

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 出島裕久 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  白石史廣 ,  佐藤敏寬

IPC分类号： C09J ,  H01L ,  B81C ,  B81B

CPC分类号： C09J163/10 ,  C08L79/08 ,  H01L31/0203

摘要： 若依據本發明之一形態，樹脂間隔物用薄膜(10)，為藉由由樹脂組成物所構成的接著層(12)、與覆蓋接著層(12)表面的覆蓋薄膜(14)所構成。於該樹脂間隔物用薄膜(10)，接著層(12)與覆蓋薄膜(14)的密著力C1、接著層(12)與聚矽氧烷樹脂的密著力D，係設定為符合C1＞D的條件。藉此，可減少在剪切樹脂間隔物用薄膜(10)時於剪切台的樹脂附著。

简体摘要： 若依据本发明之一形态，树脂间隔物用薄膜(10)，为借由由树脂组成物所构成的接着层(12)、与覆盖接着层(12)表面的覆盖薄膜(14)所构成。于该树脂间隔物用薄膜(10)，接着层(12)与覆盖薄膜(14)的密着力C1、接着层(12)与聚硅氧烷树脂的密着力D，系设置为符合C1＞D的条件。借此，可减少在剪切树脂间隔物用薄膜(10)时于剪切台的树脂附着。

公开(公告)号：TW201040663A

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：TW099105650

申请日：2010-02-26

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 白石史廣 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  出島裕久 ,  佐藤敏寬

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： H01L27/14618 ,  C09J7/20 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24752 ,  H01L2924/00

摘要： 一種間隔物形成用膜1，其係使用於在半導體晶圓與透明基板之間，以形成多個空隙部形成用的間隔物，而且其係裁切成既定形狀來使用，其特徵在於具有：薄片狀之支持基材11、與設置於支持基材11上而且具有黏著性的間隔物形成層12；而間隔物形成層12係由含有鹼可溶性樹脂、熱硬化性樹脂以及光聚合起始劑的材料所構成；間隔物形成層12係在裁切間隔物形成層12黏著面的緣部時，不會與裁切線111相交，且形成於裁切線111內側。

简体摘要： 一种间隔物形成用膜1，其系使用于在半导体晶圆与透明基板之间，以形成多个空隙部形成用的间隔物，而且其系裁切成既定形状来使用，其特征在于具有：薄片状之支持基材11、与设置于支持基材11上而且具有黏着性的间隔物形成层12；而间隔物形成层12系由含有碱可溶性树脂、热硬化性树脂以及光聚合起始剂的材料所构成；间隔物形成层12系在裁切间隔物形成层12黏着面的缘部时，不会与裁切线111相交，且形成于裁切线111内侧。

公开(公告)号：TW201207896A

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：TW100110338

申请日：2011-03-25

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 出島裕久 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  白石史廣 ,  佐藤敏寬

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之半導體晶圓接合體之製造方法係具有:由選擇性地將曝光光線照射在間隔材形成層來進行曝光,並藉由使用顯影液進行顯影,而使壁部104'殘存之步驟;將壁部104'的寬度設為W[���m]、將壁部104'的高度設為H[���m]時,係分別滿足下列 ~ 的關係式:15≦W≦3000‧‧‧ 3≦H≦300‧‧‧ 0.10≦W/H≦900‧‧‧ 。藉此,在經由曝光處理、顯影處理來形成設置在半導體晶圓與透明基板之間的間隔材時,可抑制或防止顯影處理中所產生之固體形狀的懸浮物殘留作為殘渣。

简体摘要： 本发明之半导体晶圆接合体之制造方法系具有:由选择性地将曝光光线照射在间隔材形成层来进行曝光,并借由使用显影液进行显影,而使壁部104'残存之步骤;将壁部104'的宽度设为W[���m]、将壁部104'的高度设为H[���m]时,系分别满足下列<1>~<3>的关系式:15≦W≦3000‧‧‧<1> 3≦H≦300‧‧‧<2> 0.10≦W/H≦900‧‧‧<3>。借此,在经由曝光处理、显影处理来形成设置在半导体晶圆与透明基板之间的间隔材时,可抑制或防止显影处理中所产生之固体形状的悬浮物残留作为残渣。

公开(公告)号：TW201037795A

公开(公告)日：2010-10-16

申请号：TW099105137

申请日：2010-02-23

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 佐藤敏寬 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  出島裕久 ,  白石史廣

IPC分类号： H01L ,  C09J

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之半導體晶圓接合體的製造方法，其特徵在於具有：準備具有支持基材與間隔物形成層的間隔物形成用膜的步驟；將間隔物形成用膜之間隔物形成層貼附於半導體晶圓的步驟；將光罩設置於間隔物形成用膜之支持基材側，使用光罩，以使曝光光線透過支持基材的方式，對間隔物形成層選擇性地曝光的步驟；除去支持基材之步驟；使間隔物形成層顯像，在半導體晶圓上形成間隔物的步驟；將透明基板接合於間隔物之與半導體晶圓相反側的一面的步驟。

简体摘要： 本发明之半导体晶圆接合体的制造方法，其特征在于具有：准备具有支持基材与间隔物形成层的间隔物形成用膜的步骤；将间隔物形成用膜之间隔物形成层贴附于半导体晶圆的步骤；将光罩设置于间隔物形成用膜之支持基材侧，使用光罩，以使曝光光线透过支持基材的方式，对间隔物形成层选择性地曝光的步骤；除去支持基材之步骤；使间隔物形成层显像，在半导体晶圆上形成间隔物的步骤；将透明基板接合于间隔物之与半导体晶圆相反侧的一面的步骤。

公开(公告)号：TW201037794A

公开(公告)日：2010-10-16

申请号：TW099105136

申请日：2010-02-23

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 出島裕久 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  白石史廣 ,  佐藤敏寬

IPC分类号： H01L ,  C09J

CPC分类号： H01L23/315 ,  H01L23/293 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之半導體晶圓接合體的特徵為具有：半導體晶圓；透明基板，設置在前述半導體晶圓的機能面側；間隔件，設置在前述半導體晶圓和前述透明基板之間；及接合部，順著前述半導體晶圓的外周連續地設置，用以將前述半導體晶圓和前述透明基板接合。前述接合部的最小寬度以50μ

简体摘要： 本发明之半导体晶圆接合体的特征为具有：半导体晶圆；透明基板，设置在前述半导体晶圆的机能面侧；间隔件，设置在前述半导体晶圆和前述透明基板之间；及接合部，顺着前述半导体晶圆的外周连续地设置，用以将前述半导体晶圆和前述透明基板接合。前述接合部的最小宽度以50μ