公开(公告)号：TW201118962A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW099130560

申请日：2010-09-09

Applicant: 住友電木股份有限公司

Inventor： 米山正洋 ,  川田政和 ,  高橋豐誠 ,  出島裕久 ,  白石史廣 ,  佐藤敏寬

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 半導體晶圓接合體之製造方法係具有：準備間隔物形成用薄膜的步驟，該間隔物形成用薄膜具備片狀的支持基材、與設置在該支持基材上具有感光性的間隔物形成層；在半導體晶圓的一面側貼著前述間隔物形成層的步驟；藉由曝光-顯像前述間隔物形成層進行圖案化而形成間隔物，同時去除前述支持基材的步驟；及以透明基板包含於內側的方式，使透明基板接合於前述間隔物與前述支持基材接觸之部分的步驟。藉此，可製造半導體晶圓與透明基板均一且確實地透過間隔物而接合之半導體晶圓接合體。

Abstract in simplified Chinese: 半导体晶圆接合体之制造方法系具有：准备间隔物形成用薄膜的步骤，该间隔物形成用薄膜具备片状的支持基材、与设置在该支持基材上具有感光性的间隔物形成层；在半导体晶圆的一面侧贴着前述间隔物形成层的步骤；借由曝光-显像前述间隔物形成层进行图案化而形成间隔物，同时去除前述支持基材的步骤；及以透明基板包含于内侧的方式，使透明基板接合于前述间隔物与前述支持基材接触之部分的步骤。借此，可制造半导体晶圆与透明基板均一且确实地透过间隔物而接合之半导体晶圆接合体。

公开(公告)号：TW201841734A

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW107108349

申请日：2018-03-13

Applicant: 日商住友電木股份有限公司 ,  SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.

Inventor： 松本惇 ,  MATSUMOTO, JUN ,  白石史廣 ,  SHIRAISHI, FUMIHIRO ,  佐佐木研太 ,  SASAKI, KENTA

IPC: B32B7/02 ,  B32B27/30 ,  B32B27/26 ,  B32B27/36 ,  B32B33/00 ,  B29C33/68

Abstract: 本發明的模具成型用離型膜(10)用於第1樹脂組成物的模具成型，該模具成型用離型膜(10)具有在藉由第2樹脂組成物構成之基材層之上積層藉由第3樹脂組成物構成之離型層之積層結構，離型層(2)及基材層(1)直接結合，積層結構的最外層具有離型層(2)，離型層(2)交聯特定的結構的共聚物及硬化劑而成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的模具成型用离型膜(10)用于第1树脂组成物的模具成型，该模具成型用离型膜(10)具有在借由第2树脂组成物构成之基材层之上积层借由第3树脂组成物构成之离型层之积层结构，离型层(2)及基材层(1)直接结合，积层结构的最外层具有离型层(2)，离型层(2)交联特定的结构的共聚物及硬化剂而成。

公开(公告)号：TWI459135B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW098137705

申请日：2009-11-06

Applicant: 住友電木股份有限公司 ,  SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.

Inventor： 高橋豊誠 ,  TAKAHASHI, TOYOSEI ,  白石史廣 ,  SHIRAISHI, FUMIHIRO ,  佐藤敏寬 ,  SATO, TOSHIHIRO

IPC: G03F7/004 ,  C08G59/20 ,  C08G59/32 ,  C08G8/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08L63/00 ,  C08F290/064 ,  C08G59/3218 ,  C08L51/003 ,  C09J151/003 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0385 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/48091 ,  C08L2666/02 ,  C08F222/1006 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI675617B

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：TW102129551

申请日：2013-08-16

Applicant: 日商住友電木股份有限公司 ,  SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED

Inventor： 八束太一 ,  YATSUZUKA, TAICHI ,  白石史廣 ,  SHIRAISHI, FUMIHIRO

IPC: H05K9/00

公开(公告)号：TW201419997A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102129551

申请日：2013-08-16

Applicant: 住友電木股份有限公司 ,  SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED

Inventor： 八束太一 ,  YATSUZUKA, TAICHI ,  白石史廣 ,  SHIRAISHI, FUMIHIRO

IPC: H05K9/00

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/30 ,  B32B2250/03 ,  B32B2457/00 ,  H05K9/0024 ,  H05K9/0088

Abstract: 本發明之電磁波遮蔽用膜片，係用於將基板上之凸部被覆，其係包含基材層、與疊層在該基材層之其中一面側之阻擋層而構成。該基材層係由至少2層疊層而得之疊層體構成。本發明提供一種電磁波遮蔽用膜片，可提高基板之設計自由度且達成輕量化．薄型化，且對於具有500μm以上之凸部之電子零件，有良好的形狀追隨性。又，本發明提供使用此電磁波遮蔽用膜片之電子零件之被覆方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之电磁波屏蔽用膜片，系用于将基板上之凸部被覆，其系包含基材层、与叠层在该基材层之其中一面侧之阻挡层而构成。该基材层系由至少2层叠层而得之叠层体构成。本发明提供一种电磁波屏蔽用膜片，可提高基板之设计自由度且达成轻量化．薄型化，且对于具有500μm以上之凸部之电子零件，有良好的形状追随性。又，本发明提供使用此电磁波屏蔽用膜片之电子零件之被覆方法。

公开(公告)号：TW201140239A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：TW100110287

申请日：2011-03-25

Applicant: 住友電木股份有限公司

Inventor： 白石史廣 ,  米山正洋 ,  川田政和 ,  高橋豊誠 ,  出島裕久

IPC: G03F ,  C08K ,  H01L

CPC classification number: H01L21/76898 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0385 ,  G03F7/0388 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明之感光性樹脂組成物的特徵為含有鹼可溶性樹脂(A)、光聚合起始劑(B)與最大吸收波長為800nm以上且2500nm以下之範圍內的紅外線吸收劑(D),且波長400nm以上且700nm以下之可見光穿透率的最大値為5.0%以上。又,本發明之感光性樹脂組成物的特徵為含有鹼可溶性樹脂(A)、光酸產生劑(C)與最大吸收波長為800nm以上且2500nm以下之範圍內的紅外線吸收劑(D),且波長400nm以上且700nm以下之可見光穿透率的最大値為5.0%以上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之感光性树脂组成物的特征为含有碱可溶性树脂(A)、光聚合起始剂(B)与最大吸收波长为800nm以上且2500nm以下之范围内的红外线吸收剂(D),且波长400nm以上且700nm以下之可见光穿透率的最大値为5.0%以上。又,本发明之感光性树脂组成物的特征为含有碱可溶性树脂(A)、光酸产生剂(C)与最大吸收波长为800nm以上且2500nm以下之范围内的红外线吸收剂(D),且波长400nm以上且700nm以下之可见光穿透率的最大値为5.0%以上。

公开(公告)号：TW201042382A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW099111566

申请日：2010-04-14

Applicant: 住友電木股份有限公司

Inventor： 佐藤敏寬 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豊誠 ,  出島裕久 ,  白石史廣

IPC: G03F ,  H01L

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0388 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明之目的在於提供一種感光性樹脂組成物、由感光性樹脂組成物所構成之黏著膜及由黏著膜所形成之受光裝置，其係藉曝光及顯影所進行之圖案化後之樹脂殘渣較少，可使高溫高濕環境下在半導體晶圓與透明基板間所發生之結露減低。本發明之感光性樹脂組成物係含有鹼可溶性樹脂(A)、光聚合起始劑(B)與具有酚性羥基與羧基的化合物(C)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种感光性树脂组成物、由感光性树脂组成物所构成之黏着膜及由黏着膜所形成之受光设备，其系藉曝光及显影所进行之图案化后之树脂残渣较少，可使高温高湿环境下在半导体晶圆与透明基板间所发生之结露减低。本发明之感光性树脂组成物系含有碱可溶性树脂(A)、光聚合起始剂(B)与具有酚性羟基与羧基的化合物(C)。

公开(公告)号：TW201007933A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：TW098117957

申请日：2009-06-01

Applicant: 住友電木股份有限公司

Inventor： 白石史廣 ,  高橋豊誠 ,  佐藤敏寬

IPC: H01L ,  G03F

CPC classification number: H01L31/0203 ,  C08L63/10 ,  C08L2666/22 ,  C09J163/00 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係具備：至少一個以上之受光部11；設有受光部11之基底基板12A；與基底基板12A及受光部11相對向配置之透明基板13A；與在基底基板12A與透明基板13A之間配置成包圍受光部11的框構材14A。框構材14A係使樹脂組成物硬化而成者。樹脂組成物含有鹼可溶性樹脂、光聚合性樹脂、與9重量％以下之無機填充材。光聚合性樹脂含有丙烯酸系多官能單體。框構材14A係透濕率為12[g/m 2 ‧24h]以上，框構材14A之80℃下之彈性係數為100Pa以上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系具备：至少一个以上之受光部11；设有受光部11之基底基板12A；与基底基板12A及受光部11相对向配置之透明基板13A；与在基底基板12A与透明基板13A之间配置成包围受光部11的框构材14A。框构材14A系使树脂组成物硬化而成者。树脂组成物含有碱可溶性树脂、光聚合性树脂、与9重量％以下之无机填充材。光聚合性树脂含有丙烯酸系多官能单体。框构材14A系透湿率为12[g/m 2 ‧24h]以上，框构材14A之80℃下之弹性系数为100Pa以上。

公开(公告)号：TW201512346A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103120589

申请日：2014-06-13

Applicant: 住友電木股份有限公司 ,  SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.

Inventor： 白石史廣 ,  SHIRAISHI, FUMIHIRO ,  八束太一 ,  YATSUZUKA, TAICHI

IPC: C09D5/32 ,  H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0088 ,  H05K1/0218 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2203/1311

Abstract: 電磁波遮蔽用膜片100包含：基材層1；及疊層於該基材層1之電磁波阻擋層3，電磁波阻擋層3由包含導電性材料及磁性吸收材料中之至少1種材料所構成，其表面電阻值為1×10-3Ω/□以上、1×106Ω/□以下。依據如此之電磁波遮蔽用膜片100，可達成電磁波阻擋層3之輕量化・薄型化，並可有效地阻擋至如GHz級之高頻帶之電磁波。又，電磁波遮蔽用膜片100在波長300nm以上、800nm以下之光線透射率為0.01%以上、30%以下。

Abstract in simplified Chinese: 电磁波屏蔽用膜片100包含：基材层1；及叠层于该基材层1之电磁波阻挡层3，电磁波阻挡层3由包含导电性材料及磁性吸收材料中之至少1种材料所构成，其表面电阻值为1×10-3Ω/□以上、1×106Ω/□以下。依据如此之电磁波屏蔽用膜片100，可达成电磁波阻挡层3之轻量化・薄型化，并可有效地阻挡至如GHz级之高频带之电磁波。又，电磁波屏蔽用膜片100在波长300nm以上、800nm以下之光线透射率为0.01%以上、30%以下。

公开(公告)号：TW201207896A

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：TW100110338

申请日：2011-03-25

Applicant: 住友電木股份有限公司

Inventor： 出島裕久 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  白石史廣 ,  佐藤敏寬

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明之半導體晶圓接合體之製造方法係具有:由選擇性地將曝光光線照射在間隔材形成層來進行曝光,並藉由使用顯影液進行顯影,而使壁部104'殘存之步驟;將壁部104'的寬度設為W[���m]、將壁部104'的高度設為H[���m]時,係分別滿足下列 ~ 的關係式:15≦W≦3000‧‧‧ 3≦H≦300‧‧‧ 0.10≦W/H≦900‧‧‧ 。藉此,在經由曝光處理、顯影處理來形成設置在半導體晶圓與透明基板之間的間隔材時,可抑制或防止顯影處理中所產生之固體形狀的懸浮物殘留作為殘渣。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之半导体晶圆接合体之制造方法系具有:由选择性地将曝光光线照射在间隔材形成层来进行曝光,并借由使用显影液进行显影,而使壁部104'残存之步骤;将壁部104'的宽度设为W[���m]、将壁部104'的高度设为H[���m]时,系分别满足下列<1>~<3>的关系式:15≦W≦3000‧‧‧<1> 3≦H≦300‧‧‧<2> 0.10≦W/H≦900‧‧‧<3>。借此,在经由曝光处理、显影处理来形成设置在半导体晶圆与透明基板之间的间隔材时,可抑制或防止显影处理中所产生之固体形状的悬浮物残留作为残渣。