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公开(公告)号:TW201429346A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:TW102143731
申请日:2013-11-29
Applicant: 住友電木股份有限公司 , SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.
Inventor: 佐藤敏寬 , SATO, TOSHIHIRO , 馬塲孝幸 , BABA, TAKAYUKI , 八木茂幸 , YAGI, SHIGEYUKI
IPC: H05K3/10
CPC classification number: B32B15/08 , B32B27/16 , B32B27/20 , B32B2307/51 , B32B2457/08 , H01L23/145 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K1/036 , H05K3/4602 , H05K3/4655 , H01L2924/00
Abstract: 本發明之電路基板用之附樹脂層之金屬層(1)具備樹脂層(11)、及設於該樹脂層(11)上之金屬層(12)。樹脂層(11)為熱硬化性。將樹脂層(11)以190℃進行2小時熱硬化後之樹脂層(11)之25℃的儲存模數E'RT為0.1 GPa以上1.5 GPa以下。進而,將樹脂層(11)以190℃進行2小時熱硬化後之樹脂層(11)之175℃的儲存模數E'HT為10 MPa以上0.7 GPa以下。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之电路基板用之附树脂层之金属层(1)具备树脂层(11)、及设于该树脂层(11)上之金属层(12)。树脂层(11)为热硬化性。将树脂层(11)以190℃进行2小时热硬化后之树脂层(11)之25℃的存储模数E'RT为0.1 GPa以上1.5 GPa以下。进而,将树脂层(11)以190℃进行2小时热硬化后之树脂层(11)之175℃的存储模数E'HT为10 MPa以上0.7 GPa以下。
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公开(公告)号:TWI459135B
公开(公告)日:2014-11-01
申请号:TW098137705
申请日:2009-11-06
Applicant: 住友電木股份有限公司 , SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.
Inventor: 高橋豊誠 , TAKAHASHI, TOYOSEI , 白石史廣 , SHIRAISHI, FUMIHIRO , 佐藤敏寬 , SATO, TOSHIHIRO
IPC: G03F7/004 , C08G59/20 , C08G59/32 , C08G8/30 , H01L21/027
CPC classification number: C08L63/00 , C08F290/064 , C08G59/3218 , C08L51/003 , C09J151/003 , G03F7/038 , G03F7/0385 , H01L27/14618 , H01L2224/48091 , C08L2666/02 , C08F222/1006 , H01L2924/00014
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公开(公告)号:TWI535815B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:TW100146196
申请日:2011-12-14
Applicant: 住友電木股份有限公司 , SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.
Inventor: 久保山俊治 , KUBOYAMA, TOSHIHARU , 川田政和 , KAWATA, MASAKAZU , 竹內江津 , TAKEUCHI, ETSU , 楠木淳也 , KUSUNOKI, JUNYA , 杉山廣道 , SUGIYAMA, HIROMICHI , 佐藤敏寬 , SATO, TOSHIHIRO
IPC: C09J5/00 , C09J169/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09J169/00 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
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4.半導體晶圓接合體之製造方法、半導體晶圓接合體及半導體裝置 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER BONDING BODY, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING BODY AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
Simplified title: 半导体晶圆接合体之制造方法、半导体晶圆接合体及半导体设备 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER BONDING BODY, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING BODY AND SEMICONDUCTOR DEVICE公开(公告)号:TW201118962A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:TW099130560
申请日:2010-09-09
Applicant: 住友電木股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/16 , H01L23/3114 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 半導體晶圓接合體之製造方法係具有:準備間隔物形成用薄膜的步驟,該間隔物形成用薄膜具備片狀的支持基材、與設置在該支持基材上具有感光性的間隔物形成層;在半導體晶圓的一面側貼著前述間隔物形成層的步驟;藉由曝光-顯像前述間隔物形成層進行圖案化而形成間隔物,同時去除前述支持基材的步驟;及以透明基板包含於內側的方式,使透明基板接合於前述間隔物與前述支持基材接觸之部分的步驟。藉此,可製造半導體晶圓與透明基板均一且確實地透過間隔物而接合之半導體晶圓接合體。
Abstract in simplified Chinese: 半导体晶圆接合体之制造方法系具有:准备间隔物形成用薄膜的步骤,该间隔物形成用薄膜具备片状的支持基材、与设置在该支持基材上具有感光性的间隔物形成层;在半导体晶圆的一面侧贴着前述间隔物形成层的步骤;借由曝光-显像前述间隔物形成层进行图案化而形成间隔物,同时去除前述支持基材的步骤;及以透明基板包含于内侧的方式,使透明基板接合于前述间隔物与前述支持基材接触之部分的步骤。借此,可制造半导体晶圆与透明基板均一且确实地透过间隔物而接合之半导体晶圆接合体。
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5.暫時固定劑及基材之加工方法 TEMPORAL FIXATIVE AND METHOD OF PROCESSING A BASE MATERIAL 审中-公开
Simplified title: 暂时固定剂及基材之加工方法 TEMPORAL FIXATIVE AND METHOD OF PROCESSING A BASE MATERIAL公开(公告)号:TW201245383A
公开(公告)日:2012-11-16
申请号:TW100146196
申请日:2011-12-14
Applicant: 住友電木股份有限公司
CPC classification number: C09J169/00 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
Abstract: 依照本發明提供一種暫時固定劑,其能減低對於基材的損害並且同時進行高精度的基材加工,且加工後能於低的加熱溫度輕易地實施使基材脫離支持基材,並提供使用該暫時固定劑之基材之加工方法。本發明之暫時固定劑,係為了將半導體晶圓(基材)3進行加工,將該半導體晶圓3暫時固定於支持基材1,並於半導體晶圓3之加工後,藉由在照射活性能量射線之後進行加熱,使半導體晶圓3脫離支持基材1而使用。
Abstract in simplified Chinese: 依照本发明提供一种暂时固定剂,其能减低对于基材的损害并且同时进行高精度的基材加工,且加工后能于低的加热温度轻易地实施使基材脱离支持基材,并提供使用该暂时固定剂之基材之加工方法。本发明之暂时固定剂,系为了将半导体晶圆(基材)3进行加工,将该半导体晶圆3暂时固定于支持基材1,并于半导体晶圆3之加工后,借由在照射活性能量射线之后进行加热,使半导体晶圆3脱离支持基材1而使用。
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6.感光性樹脂組成物,黏著膜及受光裝置 PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, ADHESIVE FILM AND LIGHT-RECEIVING DEVICE 审中-公开
Simplified title: 感光性树脂组成物,黏着膜及受光设备 PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, ADHESIVE FILM AND LIGHT-RECEIVING DEVICE公开(公告)号:TW201042382A
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:TW099111566
申请日:2010-04-14
Applicant: 住友電木股份有限公司
CPC classification number: H01L31/0203 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本發明之目的在於提供一種感光性樹脂組成物、由感光性樹脂組成物所構成之黏著膜及由黏著膜所形成之受光裝置,其係藉曝光及顯影所進行之圖案化後之樹脂殘渣較少,可使高溫高濕環境下在半導體晶圓與透明基板間所發生之結露減低。本發明之感光性樹脂組成物係含有鹼可溶性樹脂(A)、光聚合起始劑(B)與具有酚性羥基與羧基的化合物(C)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种感光性树脂组成物、由感光性树脂组成物所构成之黏着膜及由黏着膜所形成之受光设备,其系藉曝光及显影所进行之图案化后之树脂残渣较少,可使高温高湿环境下在半导体晶圆与透明基板间所发生之结露减低。本发明之感光性树脂组成物系含有碱可溶性树脂(A)、光聚合起始剂(B)与具有酚性羟基与羧基的化合物(C)。
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7.受光裝置及受光裝置之製造方法 LIGHT-RECEIVING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT-RECEIVING DEVICE 审中-公开
Simplified title: 受光设备及受光设备之制造方法 LIGHT-RECEIVING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT-RECEIVING DEVICE公开(公告)号:TW201007933A
公开(公告)日:2010-02-16
申请号:TW098117957
申请日:2009-06-01
Applicant: 住友電木股份有限公司
CPC classification number: H01L31/0203 , C08L63/10 , C08L2666/22 , C09J163/00 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明係具備:至少一個以上之受光部11;設有受光部11之基底基板12A;與基底基板12A及受光部11相對向配置之透明基板13A;與在基底基板12A與透明基板13A之間配置成包圍受光部11的框構材14A。框構材14A係使樹脂組成物硬化而成者。樹脂組成物含有鹼可溶性樹脂、光聚合性樹脂、與9重量%以下之無機填充材。光聚合性樹脂含有丙烯酸系多官能單體。框構材14A係透濕率為12[g/m 2 ‧24h]以上,框構材14A之80℃下之彈性係數為100Pa以上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系具备:至少一个以上之受光部11;设有受光部11之基底基板12A;与基底基板12A及受光部11相对向配置之透明基板13A;与在基底基板12A与透明基板13A之间配置成包围受光部11的框构材14A。框构材14A系使树脂组成物硬化而成者。树脂组成物含有碱可溶性树脂、光聚合性树脂、与9重量%以下之无机填充材。光聚合性树脂含有丙烯酸系多官能单体。框构材14A系透湿率为12[g/m 2 ‧24h]以上,框构材14A之80℃下之弹性系数为100Pa以上。
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8.電子裝置之製造方法及使用該方法之電子裝置,電氣和電子零件之製造方法,暨使用該方法之電氣和電子零件 A METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC EQUIPMENT, AND THE ELECTRONIC EQUIPMENT OBTAINED BY USING THE METHOD, AS WELL AS A METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONICS AND ELECTRONIC PARTS, AND THE ELECTRONICS AND THE ELECTRONIC PARTS OBTAINED USING THE METHOD 审中-公开
Simplified title: 电子设备之制造方法及使用该方法之电子设备,电气和电子零件之制造方法,暨使用该方法之电气和电子零件 A METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC EQUIPMENT, AND THE ELECTRONIC EQUIPMENT OBTAINED BY USING THE METHOD, AS WELL AS A METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONICS AND ELECTRONIC PARTS, AND THE ELECTRONICS AND THE ELECTRONIC PARTS OBTAINED USING THE METHOD公开(公告)号:TW201241941A
公开(公告)日:2012-10-16
申请号:TW100137263
申请日:2011-10-14
Applicant: 住友電木股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/6835 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 藉由在半導體晶圓的功能面經由第1固定樹脂層而由第1支撐基材支撐的狀態下,實施半導體晶圓的背面加工,接著在半導體晶圓的背面經由第2固定樹脂層而由第2支撐基材支撐的狀態下,安裝半導體裝置,藉此便可製造具有COW構造的WL-CSP型電子裝置。
Abstract in simplified Chinese: 借由在半导体晶圆的功能面经由第1固定树脂层而由第1支撑基材支撑的状态下,实施半导体晶圆的背面加工,接着在半导体晶圆的背面经由第2固定树脂层而由第2支撑基材支撑的状态下,安装半导体设备,借此便可制造具有COW构造的WL-CSP型电子设备。
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9.電子裝置之製造方法、電子裝置、電子裝置封裝體之製造方法、電子裝置封裝體、及半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED THEREBY, METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE PACKAGE AND ELECTRONIC DEVICE PACKAGE MANUFACTURED THEREBY, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
Simplified title: 电子设备之制造方法、电子设备、电子设备封装体之制造方法、电子设备封装体、及半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED THEREBY, METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE PACKAGE AND ELECTRONIC DEVICE PACKAGE MANUFACTURED THEREBY, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE公开(公告)号:TW201233560A
公开(公告)日:2012-08-16
申请号:TW100143187
申请日:2011-11-24
Applicant: 住友電木股份有限公司
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/12105 , H01L2924/01029 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本發明係關於電子裝置之製造方法、電子裝置、電子裝置封裝體之製造方法、電子裝置封裝體、及半導體之製造方法。依照本發明之一實施形態,可提供於再配置型之電子裝置之製造步驟,不會發生電子零件之位置偏離,且密封材或電子零件不易發生破損,且即使有殘渣附著時也能簡便去除的電子裝置之製造方法、高可靠性的電子裝置、電子裝置封裝體之製造方法及電子裝置封裝體。依照本發明之一實施形態之電子裝置之製造方法,包含以下步驟:形成固定樹脂層、固定電子零件、形成密封材層、獲得電子零件配置密封材硬化物、與從前述支持基材剝離前述電子零件配置密封材硬化物;其特徵為:於前述剝離步驟,藉由對於前述固定樹脂層照射活性能量射線後將前述固定樹脂層加熱並使熔融,以將前述電子零件配置密封材硬化物從前述支持基材剝離。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于电子设备之制造方法、电子设备、电子设备封装体之制造方法、电子设备封装体、及半导体之制造方法。依照本发明之一实施形态,可提供于再配置型之电子设备之制造步骤,不会发生电子零件之位置偏离,且密封材或电子零件不易发生破损,且即使有残渣附着时也能简便去除的电子设备之制造方法、高可靠性的电子设备、电子设备封装体之制造方法及电子设备封装体。依照本发明之一实施形态之电子设备之制造方法,包含以下步骤:形成固定树脂层、固定电子零件、形成密封材层、获得电子零件配置密封材硬化物、与从前述支持基材剥离前述电子零件配置密封材硬化物;其特征为:于前述剥离步骤,借由对于前述固定树脂层照射活性能量射线后将前述固定树脂层加热并使熔融,以将前述电子零件配置密封材硬化物从前述支持基材剥离。
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10.間隔物形成用薄膜、半導體晶圓接合體之製造方法、半導體晶圓接合體及半導體裝置 FILM FOR FORMING SPACER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER CONJUGANT, SEMICONDUCTOR WAFER CONJUGANT AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
Simplified title: 间隔物形成用薄膜、半导体晶圆接合体之制造方法、半导体晶圆接合体及半导体设备 FILM FOR FORMING SPACER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER CONJUGANT, SEMICONDUCTOR WAFER CONJUGANT AND SEMICONDUCTOR DEVICE公开(公告)号:TW201133653A
公开(公告)日:2011-10-01
申请号:TW099131204
申请日:2010-09-15
Applicant: 住友電木股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29388 , H01L2224/83 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01052 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2495 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/05432 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 半導體晶圓接合體之製造方法係具有:準備具備薄片狀的支持基材、及設置在該支持基材上之具有感光性的間隔物形成層之間隔物形成用薄膜的步驟;使前述間隔物形成層貼著於半導體晶圓的一面側上的步驟;藉由曝光、顯像前述間隔物形成層並進行圖案化,以形成間隔物的同時,去除前述支持基材的步驟;及,以透明基板包含於內側的方式,使透明基板接合於前述間隔物與前述支持基材接觸之部分的步驟。因此,可製造半導體晶圓與透明基板均一且確實地透過間隔物而接合之半導體晶圓接合體。
Abstract in simplified Chinese: 半导体晶圆接合体之制造方法系具有:准备具备薄片状的支持基材、及设置在该支持基材上之具有感光性的间隔物形成层之间隔物形成用薄膜的步骤;使前述间隔物形成层贴着于半导体晶圆的一面侧上的步骤;借由曝光、显像前述间隔物形成层并进行图案化,以形成间隔物的同时,去除前述支持基材的步骤;及,以透明基板包含于内侧的方式,使透明基板接合于前述间隔物与前述支持基材接触之部分的步骤。因此,可制造半导体晶圆与透明基板均一且确实地透过间隔物而接合之半导体晶圆接合体。
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