-
公开(公告)号：TW201921684A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108104252
申请日：2012-01-17
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 波多野剛久 , HATANO, TAKEHISA , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 世川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI
Abstract: 提供一種半導體裝置，其包括氧化物半導體並具有有利電特性。在該半導體裝置中，氧化物半導體膜及絕緣膜係形成於基板之上。該氧化物半導體膜之側面接觸該絕緣膜。該氧化物半導體膜包括通道形成區域，及包含摻雜劑且該通道形成區域夾於其間之區域。閘極絕緣膜係形成於該氧化物半導體膜上並與其接觸。具側壁絕緣膜之閘極電極係形成於該閘極絕緣膜之上。源極電極及汲極電極經形成而接觸該氧化物半導體膜及該絕緣膜。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备，其包括氧化物半导体并具有有利电特性。在该半导体设备中，氧化物半导体膜及绝缘膜系形成于基板之上。该氧化物半导体膜之侧面接触该绝缘膜。该氧化物半导体膜包括信道形成区域，及包含掺杂剂且该信道形成区域夹于其间之区域。闸极绝缘膜系形成于该氧化物半导体膜上并与其接触。具侧壁绝缘膜之闸极电极系形成于该闸极绝缘膜之上。源极电极及汲极电极经形成而接触该氧化物半导体膜及该绝缘膜。
-
公开(公告)号：TWI608616B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW102139074
申请日：2013-10-29
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 渡邊裕一 , WATANABE, HIROKAZU , 大野普司 , OHNO, SHINJI
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
-
公开(公告)号：TWI605519B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW101108856
申请日：2012-03-15
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/136204 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/0259 , H01L21/265 , H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
-
公开(公告)号：TWI594326B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW101107922
申请日：2012-03-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L29/78696
-
公开(公告)号：TW201306134A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101120143
申请日：2012-06-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本發明提供一種使用具有高導通特性的氧化物半導體的電晶體。本發明提供一種具有能夠進行高速回應及高速驅動的電晶體的高性能的半導體裝置。在具有包括通道形成區的氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，在該氧化物半導體膜上形成包含金屬元素的絕緣膜，形成包含利用注入法透過該包含金屬元素的絕緣膜而引入的摻雜劑的低電阻區。低電阻區在通道長度方向上夾著通道形成區形成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用具有高导通特性的氧化物半导体的晶体管。本发明提供一种具有能够进行高速回应及高速驱动的晶体管的高性能的半导体设备。在具有包括信道形成区的氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，在该氧化物半导体膜上形成包含金属元素的绝缘膜，形成包含利用注入法透过该包含金属元素的绝缘膜而引入的掺杂剂的低电阻区。低电阻区在信道长度方向上夹着信道形成区形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201306100A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101120142
申请日：2012-06-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 吉岡杏子 , YOSHIOKA, KYOKO , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 世川慎也 , SASAGAWA, SHINYA
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/324 , H01L29/66969
Abstract: 本發明的一個方式提供一種抑制耗電量的增大且實現微細化的半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法。此外，本發明的一個方式還提供一種賦予穩定的電特性的可靠性高的半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法。藉由對氧化物半導體膜照射由電場加速的離子減少該氧化物半導體膜的表面的平均面粗糙度，可以抑制電晶體的洩漏電流及耗電量的增大。再者，藉由進行加熱處理將氧化物半導體膜形成為包括具有與該氧化物半導體膜表面垂直的c軸的結晶，可以抑制可見光或紫外光的照射所引起的氧化物半導體膜的電特性的變化。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种抑制耗电量的增大且实现微细化的半导体设备以及该半导体设备的制造方法。此外，本发明的一个方式还提供一种赋予稳定的电特性的可靠性高的半导体设备以及该半导体设备的制造方法。借由对氧化物半导体膜照射由电场加速的离子减少该氧化物半导体膜的表面的平均面粗糙度，可以抑制晶体管的泄漏电流及耗电量的增大。再者，借由进行加热处理将氧化物半导体膜形成为包括具有与该氧化物半导体膜表面垂直的c轴的结晶，可以抑制可见光或紫外光的照射所引起的氧化物半导体膜的电特性的变化。
-
公开(公告)号：TW201301407A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101120145
申请日：2012-06-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78618
Abstract: 本發明提供一種使用具有高導通特性的氧化物半導體的電晶體。本發明提供一種具有能夠進行高速回應及高速驅動的電晶體的高性能的半導體裝置。電晶體包括具有通道形成區的氧化物半導體膜及包含金屬元素及摻雜劑的低電阻區。通道形成區在通道長度方向上位於低電阻區之間。在電晶體的製造方法中，在與包含金屬元素的膜接觸的狀態下利用加熱處理引入金屬元素，並且利用注入法透過該金屬元素的膜引入摻雜劑，而形成包含金屬元素及摻雜劑的低電阻區。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用具有高导通特性的氧化物半导体的晶体管。本发明提供一种具有能够进行高速回应及高速驱动的晶体管的高性能的半导体设备。晶体管包括具有信道形成区的氧化物半导体膜及包含金属元素及掺杂剂的低电阻区。信道形成区在信道长度方向上位于低电阻区之间。在晶体管的制造方法中，在与包含金属元素的膜接触的状态下利用加热处理引入金属元素，并且利用注入法透过该金属元素的膜引入掺杂剂，而形成包含金属元素及掺杂剂的低电阻区。
-
公开(公告)号：TWI623039B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106115343
申请日：2012-03-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
-
公开(公告)号：TW201730964A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106115343
申请日：2012-03-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本發明的一個實施例是一種半導體裝置，包括：氧化物半導體膜，該氧化物半導體膜包括第一區域和隔著第一區域對置的一對第二區域；設置在氧化物半導體膜上的閘極絕緣膜；以及設置在閘極絕緣膜上且重疊於第一區域的第一電極，其中，第一區域為具有c軸配向的結晶部的非單晶的氧化物半導體區，並且，一對第二區域為包含摻雜物且具有多個結晶部的氧化物半導體區。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施例是一种半导体设备，包括：氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括第一区域和隔着第一区域对置的一对第二区域；设置在氧化物半导体膜上的闸极绝缘膜；以及设置在闸极绝缘膜上且重叠于第一区域的第一电极，其中，第一区域为具有c轴配向的结晶部的非单晶的氧化物半导体区，并且，一对第二区域为包含掺杂物且具有多个结晶部的氧化物半导体区。
-
公开(公告)号：TWI578404B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101120143
申请日：2012-06-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 大野普司 , OHNO, SHINJI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.032 seconds)
