公开(公告)号：TWI672785B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW105107972

申请日：2016-03-15

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  淺野裕治 ,  ASANO, YUJI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  大貫達也 ,  ONUKI, TATSUYA ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L23/532 ,  H01L29/16

公开(公告)号：TW201921684A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW108104252

申请日：2012-01-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  磯部敦生 ,  ISOBE, ATSUO ,  齋藤利彥 ,  SAITO, TOSHIHIKO ,  波多野剛久 ,  HATANO, TAKEHISA ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI

IPC: H01L29/26 ,  H01L29/43

Abstract: 提供一種半導體裝置，其包括氧化物半導體並具有有利電特性。在該半導體裝置中，氧化物半導體膜及絕緣膜係形成於基板之上。該氧化物半導體膜之側面接觸該絕緣膜。該氧化物半導體膜包括通道形成區域，及包含摻雜劑且該通道形成區域夾於其間之區域。閘極絕緣膜係形成於該氧化物半導體膜上並與其接觸。具側壁絕緣膜之閘極電極係形成於該閘極絕緣膜之上。源極電極及汲極電極經形成而接觸該氧化物半導體膜及該絕緣膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备，其包括氧化物半导体并具有有利电特性。在该半导体设备中，氧化物半导体膜及绝缘膜系形成于基板之上。该氧化物半导体膜之侧面接触该绝缘膜。该氧化物半导体膜包括信道形成区域，及包含掺杂剂且该信道形成区域夹于其间之区域。闸极绝缘膜系形成于该氧化物半导体膜上并与其接触。具侧壁绝缘膜之闸极电极系形成于该闸极绝缘膜之上。源极电极及汲极电极经形成而接触该氧化物半导体膜及该绝缘膜。

公开(公告)号：TWI605519B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW101108856

申请日：2012-03-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/78618 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/265 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201705427A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105107972

申请日：2016-03-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  淺野裕治 ,  ASANO, YUJI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  大貫達也 ,  ONUKI, TATSUYA ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L23/532 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種電特性優良的半導體裝置。或者，提供一種電特性穩定的半導體裝置。本發明的一個實施方式的半導體裝置包括：第一電晶體；第二電晶體；第一絕緣體；第二絕緣體；第一佈線；以及第一插頭，其中，第一電晶體包括矽，第二電晶體包括氧化物半導體，第一絕緣體位於第一電晶體上，第二絕緣體位於第一絕緣體上，第二電晶體位於第二絕緣體上，第一佈線位於第二絕緣體及第一插頭上，第一電晶體和第二電晶體藉由第一佈線及第一插頭彼此電連接，第一佈線的氫透過性低，並且，第二絕緣體的氫透過性比第一絕緣體低。

Abstract in simplified Chinese: 一种电特性优良的半导体设备。或者，提供一种电特性稳定的半导体设备。本发明的一个实施方式的半导体设备包括：第一晶体管；第二晶体管；第一绝缘体；第二绝缘体；第一布线；以及第一插头，其中，第一晶体管包括硅，第二晶体管包括氧化物半导体，第一绝缘体位于第一晶体管上，第二绝缘体位于第一绝缘体上，第二晶体管位于第二绝缘体上，第一布线位于第二绝缘体及第一插头上，第一晶体管和第二晶体管借由第一布线及第一插头彼此电连接，第一布线的氢透过性低，并且，第二绝缘体的氢透过性比第一绝缘体低。

公开(公告)号：TWI594326B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW101107922

申请日：2012-03-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201306134A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101120143

申请日：2012-06-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本發明提供一種使用具有高導通特性的氧化物半導體的電晶體。本發明提供一種具有能夠進行高速回應及高速驅動的電晶體的高性能的半導體裝置。在具有包括通道形成區的氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，在該氧化物半導體膜上形成包含金屬元素的絕緣膜，形成包含利用注入法透過該包含金屬元素的絕緣膜而引入的摻雜劑的低電阻區。低電阻區在通道長度方向上夾著通道形成區形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用具有高导通特性的氧化物半导体的晶体管。本发明提供一种具有能够进行高速回应及高速驱动的晶体管的高性能的半导体设备。在具有包括信道形成区的氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，在该氧化物半导体膜上形成包含金属元素的绝缘膜，形成包含利用注入法透过该包含金属元素的绝缘膜而引入的掺杂剂的低电阻区。低电阻区在信道长度方向上夹着信道形成区形成。

公开(公告)号：TW201306100A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101120142

申请日：2012-06-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 吉岡杏子 ,  YOSHIOKA, KYOKO ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66969

Abstract: 本發明的一個方式提供一種抑制耗電量的增大且實現微細化的半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法。此外，本發明的一個方式還提供一種賦予穩定的電特性的可靠性高的半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法。藉由對氧化物半導體膜照射由電場加速的離子減少該氧化物半導體膜的表面的平均面粗糙度，可以抑制電晶體的洩漏電流及耗電量的增大。再者，藉由進行加熱處理將氧化物半導體膜形成為包括具有與該氧化物半導體膜表面垂直的c軸的結晶，可以抑制可見光或紫外光的照射所引起的氧化物半導體膜的電特性的變化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种抑制耗电量的增大且实现微细化的半导体设备以及该半导体设备的制造方法。此外，本发明的一个方式还提供一种赋予稳定的电特性的可靠性高的半导体设备以及该半导体设备的制造方法。借由对氧化物半导体膜照射由电场加速的离子减少该氧化物半导体膜的表面的平均面粗糙度，可以抑制晶体管的泄漏电流及耗电量的增大。再者，借由进行加热处理将氧化物半导体膜形成为包括具有与该氧化物半导体膜表面垂直的c轴的结晶，可以抑制可见光或紫外光的照射所引起的氧化物半导体膜的电特性的变化。

公开(公告)号：TW201301407A

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW101120145

申请日：2012-06-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618

Abstract: 本發明提供一種使用具有高導通特性的氧化物半導體的電晶體。本發明提供一種具有能夠進行高速回應及高速驅動的電晶體的高性能的半導體裝置。電晶體包括具有通道形成區的氧化物半導體膜及包含金屬元素及摻雜劑的低電阻區。通道形成區在通道長度方向上位於低電阻區之間。在電晶體的製造方法中，在與包含金屬元素的膜接觸的狀態下利用加熱處理引入金屬元素，並且利用注入法透過該金屬元素的膜引入摻雜劑，而形成包含金屬元素及摻雜劑的低電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用具有高导通特性的氧化物半导体的晶体管。本发明提供一种具有能够进行高速回应及高速驱动的晶体管的高性能的半导体设备。晶体管包括具有信道形成区的氧化物半导体膜及包含金属元素及掺杂剂的低电阻区。信道形成区在信道长度方向上位于低电阻区之间。在晶体管的制造方法中，在与包含金属元素的膜接触的状态下利用加热处理引入金属元素，并且利用注入法透过该金属元素的膜引入掺杂剂，而形成包含金属元素及掺杂剂的低电阻区。

公开(公告)号：TW201813096A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW107101091

申请日：2012-01-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  磯部敦生 ,  ISOBE, ATSUO ,  齋藤利彥 ,  SAITO, TOSHIHIKO ,  波多野剛久 ,  HATANO, TAKEHISA ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI

IPC: H01L29/26 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一種半導體裝置，其包括氧化物半導體並具有有利電特性。在該半導體裝置中，氧化物半導體膜及絕緣膜係形成於基板之上。該氧化物半導體膜之側面接觸該絕緣膜。該氧化物半導體膜包括通道形成區域，及包含摻雜劑且該通道形成區域夾於其間之區域。閘極絕緣膜係形成於該氧化物半導體膜上並與其接觸。具側壁絕緣膜之閘極電極係形成於該閘極絕緣膜之上。源極電極及汲極電極經形成而接觸該氧化物半導體膜及該絕緣膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备，其包括氧化物半导体并具有有利电特性。在该半导体设备中，氧化物半导体膜及绝缘膜系形成于基板之上。该氧化物半导体膜之侧面接触该绝缘膜。该氧化物半导体膜包括信道形成区域，及包含掺杂剂且该信道形成区域夹于其间之区域。闸极绝缘膜系形成于该氧化物半导体膜上并与其接触。具侧壁绝缘膜之闸极电极系形成于该闸极绝缘膜之上。源极电极及汲极电极经形成而接触该氧化物半导体膜及该绝缘膜。

公开(公告)号：TWI565067B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW101123714

申请日：2012-07-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869