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公开(公告)号：TWI693715B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105111498
申请日：2016-04-13
Inventor： 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO , 一條充弘 , ICHIJO, MITSUHIRO , 遠藤俊 , ENDO, TOSHIYA , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 恵木勇司 , EGI, YUJI , 手祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
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公开(公告)号：TW201828479A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106142233
申请日：2014-02-10
Inventor： 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO
Abstract: 本發明提供一種包括氧化物半導體的高可靠性半導體裝置。藉由將氧從設置在氧化物半導體層的下側的基底絕緣層供應到通道形成區，填補有可能形成在通道形成區中的氧缺陷。此外，藉由以覆蓋設置在氧化物半導體層的上側的氧化物層及閘極絕緣層的側面的方式在閘極電極層上形成氫含量少且氧穿透性低的用作阻障層的保護絕緣層，抑制氧從閘極絕緣層及/或氧化物層脫離，而抑制通道形成區的氧缺陷的產生。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种包括氧化物半导体的高可靠性半导体设备。借由将氧从设置在氧化物半导体层的下侧的基底绝缘层供应到信道形成区，填补有可能形成在信道形成区中的氧缺陷。此外，借由以覆盖设置在氧化物半导体层的上侧的氧化物层及闸极绝缘层的侧面的方式在闸极电极层上形成氢含量少且氧穿透性低的用作阻障层的保护绝缘层，抑制氧从闸极绝缘层及/或氧化物层脱离，而抑制信道形成区的氧缺陷的产生。
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公开(公告)号：TWI505472B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW098121203
申请日：2009-06-24
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊佐敏行 , ISA, TOSHIYUKI , 神保安弘 , JINBO, YASUHIRO , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 大力浩二 , DAIRIKI, KOJI , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L29/786 , H01L29/38
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201320341A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101134471
申请日：2012-09-20
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 岡崎豐 , OKAZAKI, YUTAKA , 波多野剛久 , HATANO, TAKEHISA , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 本堂英 , HONDO, SUGURU , 齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 本發明的一個方式提供一種當提高電晶體的導通特性來實現半導體裝置的高速回應、高速驅動時可靠性高的結構。在按順序層疊有氧化物半導體層、由第一導電層與第二導電層的疊層構成的源極電極層或汲極電極層、閘極絕緣層和閘極電極層的共面型電晶體中，該閘極電極層隔著該閘極絕緣層與該第一導電層重疊且隔著該閘極絕緣層不與該第二導電層重疊。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种当提高晶体管的导通特性来实现半导体设备的高速回应、高速驱动时可靠性高的结构。在按顺序层叠有氧化物半导体层、由第一导电层与第二导电层的叠层构成的源极电极层或汲极电极层、闸极绝缘层和闸极电极层的共面型晶体管中，该闸极电极层隔着该闸极绝缘层与该第一导电层重叠且隔着该闸极绝缘层不与该第二导电层重叠。
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公开(公告)号：TW201318173A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101133491
申请日：2012-09-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 鄉戶宏充 , GODO, HIROMICHI , 波多野剛久 , HATANO, TAKEHISA , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 本堂英 , HONDO, SUGURU , 山出直人 , YAMADE, NAOTO , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本發明的一個方式提供一種維持良好的電特性且實現微型化的半導體裝置。此外，本發明的一個方式還提供一種可靠性高的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括藉由以閘極電極層為掩模的雜質的引入處理自對準地形成通道形成區域和一對低電阻區域的氧化物半導體層，其中，在兩者之間夾著閘極電極層地設置的一對佈線層與低電阻區域電連接，並且，在形成有佈線層的區域的下部設置有與低電阻區域接觸的電極層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种维持良好的电特性且实现微型化的半导体设备。此外，本发明的一个方式还提供一种可靠性高的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括借由以闸极电极层为掩模的杂质的引入处理自对准地形成信道形成区域和一对低电阻区域的氧化物半导体层，其中，在两者之间夹着闸极电极层地设置的一对布线层与低电阻区域电连接，并且，在形成有布线层的区域的下部设置有与低电阻区域接触的电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI570923B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101134471
申请日：2012-09-20
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 岡崎豐 , OKAZAKI, YUTAKA , 波多野剛久 , HATANO, TAKEHISA , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 本堂英 , HONDO, SUGURU , 齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78618 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201701484A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105130628
申请日：2012-04-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 村川努 , MURAKAWA, TSUTOMU , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/477
Abstract: 本發明藉由對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性，提供一種可靠性高的半導體裝置。作為電晶體的製造製程，在依次形成氧化物半導體層、源極電極層、汲極電極層、閘極絕緣膜、閘極電極層及氧化鋁膜之後，藉由對氧化物半導體層及氧化鋁膜進行熱處理，去除含有氫原子的雜質，並形成包括含有超過化學計量比的氧的區域的氧化物半導體層。另外，藉由形成氧化鋁膜，即使在具有該電晶體的半導體裝置或電子裝置的製造製程中的熱處理中，也可以防止來自大氣的水或氫侵入且擴散到氧化物半導體層中，從而可以製造可靠性高的電晶體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明借由对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体设备。作为晶体管的制造制程，在依次形成氧化物半导体层、源极电极层、汲极电极层、闸极绝缘膜、闸极电极层及氧化铝膜之后，借由对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，借由形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体设备或电子设备的制造制程中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：TWI557911B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW101133491
申请日：2012-09-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 鄉戶宏充 , GODO, HIROMICHI , 波多野剛久 , HATANO, TAKEHISA , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 本堂英 , HONDO, SUGURU , 山出直人 , YAMADE, NAOTO , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TW201448218A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103104260
申请日：2014-02-10
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02318 , H01L29/66969
Abstract: 本發明提供一種包括氧化物半導體的高可靠性半導體裝置。藉由將氧從設置在氧化物半導體層的下側的基底絕緣層供應到通道形成區，填補有可能形成在通道形成區中的氧缺陷。此外，藉由以覆蓋設置在氧化物半導體層的上側的氧化物層及閘極絕緣層的側面的方式在閘極電極層上形成氫含量少且氧穿透性低的用作阻障層的保護絕緣層，抑制氧從閘極絕緣層及/或氧化物層脫離，而抑制通道形成區的氧缺陷的產生。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种包括氧化物半导体的高可靠性半导体设备。借由将氧从设置在氧化物半导体层的下侧的基底绝缘层供应到信道形成区，填补有可能形成在信道形成区中的氧缺陷。此外，借由以覆盖设置在氧化物半导体层的上侧的氧化物层及闸极绝缘层的侧面的方式在闸极电极层上形成氢含量少且氧穿透性低的用作阻障层的保护绝缘层，抑制氧从闸极绝缘层及/或氧化物层脱离，而抑制信道形成区的氧缺陷的产生。
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公开(公告)号：TWI615975B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103104260
申请日：2014-02-10
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02318 , H01L29/66969
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