公开(公告)号：TWI699893B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW104141157

申请日：2015-12-08

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  筒井一尋 ,  TSUTSUI, KAZUHIRO

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

公开(公告)号：TW201633548A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104141157

申请日：2015-12-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  筒井一尋 ,  TSUTSUI, KAZUHIRO

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有穩定的電特性的電晶體。該電晶體包括：在基板上形成的第一絕緣體；在第一絕緣體上形成的第一至第三氧化物絕緣體；在第三氧化物絕緣體上形成的第二絕緣體；在第二絕緣體上形成的第一導電體；以及在第一導電體上形成的第三絕緣體，其中，第一氧化物絕緣體及第二氧化物絕緣體的導帶底能階比氧化物半導體的導帶底能階更近於真空能階，第三氧化物絕緣體的導帶底能階比第二氧化物絕緣體的導帶底能階更近於真空能階，第一絕緣體包含氧，藉由熱脫附譜分析測量的從第一絕緣體脫離的氧分子量為1.0×1014molecules/cm2以上且1.0×1016molecules/cm2以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：在基板上形成的第一绝缘体；在第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；在第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；在第二绝缘体上形成的第一导电体；以及在第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能阶比氧化物半导体的导带底能阶更近于真空能阶，第三氧化物绝缘体的导带底能阶比第二氧化物绝缘体的导带底能阶更近于真空能阶，第一绝缘体包含氧，借由热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1.0×1014molecules/cm2以上且1.0×1016molecules/cm2以下。

公开(公告)号：TW201624708A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104136755

申请日：2015-11-06

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  筒井一尋 ,  TSUTSUI, KAZUHIRO ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14634 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明提供一種通態電流高的電晶體。本發明的一個實施方式是一種電晶體，包括多個鰭、第一氧化物半導體、閘極絕緣膜及閘極電極。相鄰的兩個鰭中的一個包含第二及第三氧化物半導體，另一個包含第三及第四氧化物半導體。第二氧化物半導體與第四氧化物半導體包括隔著閘極電極互相相對的區域。閘極電極與第二氧化物半導體隔著閘極絕緣膜及第一氧化物半導體互相重疊。閘極電極與第四氧化物半導體隔著閘極絕緣膜及第一氧化物半導體互相重疊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种通态电流高的晶体管。本发明的一个实施方式是一种晶体管，包括多个鳍、第一氧化物半导体、闸极绝缘膜及闸极电极。相邻的两个鳍中的一个包含第二及第三氧化物半导体，另一个包含第三及第四氧化物半导体。第二氧化物半导体与第四氧化物半导体包括隔着闸极电极互相相对的区域。闸极电极与第二氧化物半导体隔着闸极绝缘膜及第一氧化物半导体互相重叠。闸极电极与第四氧化物半导体隔着闸极绝缘膜及第一氧化物半导体互相重叠。