公开(公告)号：TW201824362A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106113323

申请日：2017-04-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. ,  國立交通大學 ,  NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY

Inventor： 簡昭欣 ,  CHIEN, CHAO HSIN ,  徐崇浚 ,  HSU, CHUNG CHUN ,  季維均 ,  CHI, WEI CHUN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/285

Abstract: 一種製造半導體裝置的方法，包含下列步驟。在半導體基板上形成第一金屬層，並在第一金屬層上形成第二金屬層。第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。施加微波輻射於半導體基板、第一金屬層和第二金屬層，以形成包含第一金屬層、第二金屬層和半導體基板的成分的合金。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体设备的方法，包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。

公开(公告)号：TW201802949A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW105134443

申请日：2016-10-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. ,  國立臺灣大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY

Inventor： 呂芳諒 ,  LU, FANG LIANG ,  劉致爲 ,  LIU, CHEE WEE ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  黃仕賢 ,  HUANG, SHIH HSIEN ,  翁翊軒 ,  WONG, I HSIEH

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8256

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7851

Abstract: 於製作場效電晶體之方法中，由第一半導體材料所製成之鰭片式結構係形成，以使鰭片式結構從設置於基材上之隔離絕緣層突伸出。閘極結構係形成於鰭片式結構之一部分上，而定義出通道區域、源極區域和汲極區域於鰭片式結構中。於閘極結構形成後，雷射退火係進行於鰭片式結構上。

Abstract in simplified Chinese: 于制作场效应管之方法中，由第一半导体材料所制成之鳍片式结构系形成，以使鳍片式结构从设置于基材上之隔离绝缘层突伸出。闸极结构系形成于鳍片式结构之一部分上，而定义出信道区域、源极区域和汲极区域于鳍片式结构中。于闸极结构形成后，激光退火系进行于鳍片式结构上。

公开(公告)号：TW201738967A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106112345

申请日：2017-04-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃一晨 ,  HUANG, I CHEN ,  許一如 ,  HSU, YI JU ,  陳光鑫 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  巫勇賢 ,  WU, YUNG HSIEN ,  陳慶育 ,  CHEN, CHIN YU

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785

Abstract: 半導體裝置及其製造方法如下所述，第一氧化鉿(HfO2)層形成在基底上，鈦層形成在第一氧化鉿層上，第二氧化鉿層形成在鈦層上。將此複合裝置結構熱退火以產生高介電常數介電結構，其具有氧化鉿鈦(HfxTi1-xO2)層插入於第一氧化鉿層與第二氧化鉿層之間。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备及其制造方法如下所述，第一氧化铪(HfO2)层形成在基底上，钛层形成在第一氧化铪层上，第二氧化铪层形成在钛层上。将此复合设备结构热退火以产生高介电常数介电结构，其具有氧化铪钛(HfxTi1-xO2)层插入于第一氧化铪层与第二氧化铪层之间。

公开(公告)号：TWI595652B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW104138215

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  梁 英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/283 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI595567B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW104138314

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張家豪 ,  CHANG, CHIAHAO ,  謝明山 ,  SHIEH, MINGSHAN ,  陳振隆 ,  CHEN, CHENGLONG ,  王景祺 ,  WANG, CHINCHI ,  劉繼文 ,  LIU, CHIWEN ,  連萬益 ,  LIEN, WAIYI ,  王志豪 ,  WANG, CHIHHAO

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/42392 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TW201711194A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105120017

申请日：2016-06-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭彥明 ,  PENG, YEN MING ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN CHIEH ,  許一如 ,  HSU, YI JU ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 鰭式場效電晶體元件包含基板、形成於基板上之鰭，及跨過鰭之閘電極。閘電極包含頭部部分及尾部部分。尾部部分與頭部部分連接且延伸向基板。頭部部分之寬度大於尾部部分之寬度。

Abstract in simplified Chinese: 鳍式场效应管组件包含基板、形成于基板上之鳍，及跨过鳍之闸电极。闸电极包含头部部分及尾部部分。尾部部分与头部部分连接且延伸向基板。头部部分之宽度大于尾部部分之宽度。

公开(公告)号：TW201711158A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105120581

申请日：2016-06-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林瑀宏 ,  LIN, YU HUNG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41791

Abstract: 半導體元件包括半導體基板、存在於半導體基板中的接觸區及存在於接觸區之粗糙化表面上的矽化物。複數個濺射離子存在於矽化物與接觸區之間。由於接觸區之表面係經粗糙化的，使得由矽化物提供之接觸面積增加，從而降低半導體元件中的互連接結構之電阻。

Abstract in simplified Chinese: 半导体组件包括半导体基板、存在于半导体基板中的接触区及存在于接触区之粗糙化表面上的硅化物。复数个溅射离子存在于硅化物与接触区之间。由于接触区之表面系经粗糙化的，使得由硅化物提供之接触面积增加，从而降低半导体组件中的互连接结构之电阻。

公开(公告)号：TWI525828B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102144547

申请日：2013-12-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  郭正誠 ,  KUO, CHENG CHENG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  朱鳴 ,  ZHU, MING

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

公开(公告)号：TW201603269A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW103145710

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  王廷君 ,  WANG, TING CHUN ,  鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供之積體電路裝置包括半導體基板與其上的閘極堆疊。閘極堆疊更包括閘極介電層位於半導體基板上、多功能阻擋/濕潤層位於閘極介電層上、功函數層位於多功能阻擋/濕潤層上、以及導電層位於功函數層上，其中多功能阻擋/濕潤層包括氮化鉭鋁碳(TaAlCN)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之集成电路设备包括半导体基板与其上的闸极堆栈。闸极堆栈更包括闸极介电层位于半导体基板上、多功能阻挡/湿润层位于闸极介电层上、功函数层位于多功能阻挡/湿润层上、以及导电层位于功函数层上，其中多功能阻挡/湿润层包括氮化钽铝碳(TaAlCN)。

公开(公告)号：TW201601311A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104118367

申请日：2015-06-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUOCHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHINGWEI ,  劉繼文 ,  LIU, CHIWEN ,  王志豪 ,  WANG, CHIHHAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YINGKEUNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L21/762

Abstract: 一半導體裝置包含：複數個隔離區域，延伸進入一半導體基板，在這些隔離區域的複數個相對部份之間有一具有一第一寬度的基板條；一源極/汲極區域，具有一重疊基板條的部分，其中源極/汲極區域的一上部具有一大於第一寬度的第二寬度，以及源極/汲極區域的上部具有實質上垂直的複數個側壁；以及一源極/汲極矽化區域，具有複數個內部側壁接觸源極/汲極區域的這些垂直的側壁。

Abstract in simplified Chinese: 一半导体设备包含：复数个隔离区域，延伸进入一半导体基板，在这些隔离区域的复数个相对部份之间有一具有一第一宽度的基板条；一源极/汲极区域，具有一重叠基板条的部分，其中源极/汲极区域的一上部具有一大于第一宽度的第二宽度，以及源极/汲极区域的上部具有实质上垂直的复数个侧壁；以及一源极/汲极硅化区域，具有复数个内部侧壁接触源极/汲极区域的这些垂直的侧壁。