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1.发明专利積體電路及三維堆疊之多重晶片模組 INTEGRATED CIRCUIT AND THREE-DIMENSIONAL STACKED MULTI-CHIP MODULE 审中-公开集成电路及三维堆栈之多重芯片模块 INTEGRATED CIRCUIT AND THREE-DIMENSIONAL STACKED MULTI-CHIP MODULE
公开(公告)号：TW201133762A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099134334
申请日：2010-10-08
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/0557 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48799 , H01L2224/73257 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
Abstract: 本發明揭示一種積體電路,其包括:一基底,具有一上表面及一下表面,而一電路形成於上表面上;複數個接墊,形成於下表面的周邊;以及一背側金屬層,形成於下表面上。接墊中的一第一次組接墊經由複數個矽通孔電極而電性耦接至上表面上的電路。背側金屬層電性耦接至接墊中的一第二次組接墊。背側金屬層配送由第二次組接墊所提供的電子信號。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种集成电路,其包括:一基底,具有一上表面及一下表面,而一电路形成于上表面上;复数个接垫,形成于下表面的周边;以及一背侧金属层,形成于下表面上。接垫中的一第一次组接垫经由复数个硅通孔电极而电性耦接至上表面上的电路。背侧金属层电性耦接至接垫中的一第二次组接垫。背侧金属层配送由第二次组接垫所提供的电子信号。
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公开(公告)号：TW201103116A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW099122111
申请日：2010-07-06
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L23/481 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05025 , H01L2224/13023
Abstract: 本發明揭示一種積體電路結構，包括：一晶片，包括一基底；以及一電源分配網絡。電源分配網絡包括：複數個電源矽通孔電極，穿過基底，其中電源矽通孔電極構成一柵網；以及複數個金屬線，位於一底層金屬化層（M1）中，其中金屬線將電源矽通孔電極耦接至位於基底上的積體電路裝置。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种集成电路结构，包括：一芯片，包括一基底；以及一电源分配网络。电源分配网络包括：复数个电源硅通孔电极，穿过基底，其中电源硅通孔电极构成一栅网；以及复数个金属线，位于一底层金属化层（M1）中，其中金属线将电源硅通孔电极耦接至位于基底上的集成电路设备。
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3.发明专利半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF 审中-公开半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TW201037806A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW099110693
申请日：2010-04-07
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/768 , H01L21/76877 , H01L21/8221 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L27/0688 , H01L27/1203 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本發明揭露一種系統及方法，用以製造半導體晶片與穿矽導孔(TSV)連接。所述穿矽導孔穿透一基板以供訊號連線，亦可提供電源和接地連線。於一實施例中，此穿矽導孔允許這些連線製作於該基板全部區域，而非僅位於該基板的週邊區域。於另一實施例中，該穿矽導孔是用於一電源矩陣的一部分，以供應電源和接地穿透該基板連接至該些主動元件和金屬化層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种系统及方法，用以制造半导体芯片与穿硅导孔(TSV)连接。所述穿硅导孔穿透一基板以供信号连接，亦可提供电源和接地连接。于一实施例中，此穿硅导孔允许这些连接制作于该基板全部区域，而非仅位于该基板的周边区域。于另一实施例中，该穿硅导孔是用于一电源矩阵的一部分，以供应电源和接地穿透该基板连接至该些主动组件和金属化层。
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公开(公告)号：TW201021160A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098109688
申请日：2009-03-25
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/823418 , H01L21/823481
Abstract: 本發明提供一種積體電路。上述積體電路包括一主動區域於一半導體基板中；一第一場效電晶體(FET)設置於該主動區域中；以及一隔離結構設置於該主動區域中。上述場效電晶體(FET)包括一第一閘極；一第一源極形成於該主動區域中，且設置於一第一區域上，鄰接該第一閘極；以及一第一汲極形成於該主動區域中，且設置於一第二區域上，鄰接該閘極。上述隔離結構包括一隔離閘極設置於鄰接該第一汲極；以及一隔離源極形成於該主動區域中，且設置於鄰接該隔離閘極使得該隔離源極和該第一汲極位於該隔離閘極的不同邊處。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路。上述集成电路包括一主动区域于一半导体基板中；一第一场效应管(FET)设置于该主动区域中；以及一隔离结构设置于该主动区域中。上述场效应管(FET)包括一第一闸极；一第一源极形成于该主动区域中，且设置于一第一区域上，邻接该第一闸极；以及一第一汲极形成于该主动区域中，且设置于一第二区域上，邻接该闸极。上述隔离结构包括一隔离闸极设置于邻接该第一汲极；以及一隔离源极形成于该主动区域中，且设置于邻接该隔离闸极使得该隔离源极和该第一汲极位于该隔离闸极的不同边处。
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公开(公告)号：TWI437678B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW099122111
申请日：2010-07-06
Inventor： 羅明健 , LAW, OSCAR M. K. , 吳國雄 , WU, KUO H. , 葉威志 , YEH, WEI CHIH
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L23/481 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05025 , H01L2224/13023
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI408546B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098128477
申请日：2009-08-25
Inventor： 羅明健 , LAW, OSCAR M. K. , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY
CPC classification number: H03K19/0013
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7.发明专利半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF 审中-公开半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TW201034157A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099105432
申请日：2010-02-25
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2224/05552
Abstract: 本發明揭露一種系統及方法，用以製造具有穿矽導孔(TSV)的半導體晶片連接。一半導體晶片製作有先導孔製程的穿矽導孔及後導孔製程的穿矽導孔，為了建立一低電阻的路徑，供相鄰晶片之間的晶片連接，以及提供一低電阻的路徑供多重晶片之間的饋孔(feedthrough)通道。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种系统及方法，用以制造具有穿硅导孔(TSV)的半导体芯片连接。一半导体芯片制作有先导孔制程的穿硅导孔及后导孔制程的穿硅导孔，为了创建一低电阻的路径，供相邻芯片之间的芯片连接，以及提供一低电阻的路径供多重芯片之间的馈孔(feedthrough)信道。
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8.发明专利適應性電壓偏壓控制系統及積體電路 ADAPTIVE VOLTAGE BIAS CONTROL SYSTEM AND INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开适应性电压偏压控制系统及集成电路 ADAPTIVE VOLTAGE BIAS CONTROL SYSTEM AND INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW201013389A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098128477
申请日：2009-08-25
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
CPC classification number: H03K19/0013
Abstract: 本發明提供一積體電路。該積體電路包括一頻率偵側器耦接一邏輯電路；一供應電壓調節器耦接該頻率偵側器，用以依照自該頻率偵側器來的一頻率錯誤而提供一適應性電壓供應至該邏輯電路；以及一基體偏壓調節器耦接該頻率偵側器，用以依照該頻率錯誤而提供一適應性體偏壓至該邏輯電路。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一集成电路。该集成电路包括一频率侦侧器耦接一逻辑电路；一供应电压调节器耦接该频率侦侧器，用以依照自该频率侦侧器来的一频率错误而提供一适应性电压供应至该逻辑电路；以及一基体偏压调节器耦接该频率侦侧器，用以依照该频率错误而提供一适应性体偏压至该逻辑电路。
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公开(公告)号：TWI474461B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW099134334
申请日：2010-10-08
Inventor： 羅明健 , LAW, OSCAR M. K. , 吳國雄 , WU, KUO H. , 葉威志 , YEH, WEI CHIH
IPC: H01L23/535 , H01L23/528 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/0557 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48799 , H01L2224/73257 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
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公开(公告)号：TWI416693B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099105432
申请日：2010-02-25
Inventor： 羅明健 , LAW, OSCAR M. K. , 吳國雄 , WU, KUO-CHU
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2224/05552
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