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公开(公告)号：TW201608653A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104114915
申请日：2015-05-11
Inventor： 黃文濬 , HUANG, WENCHUN , 李建成 , LI, CHIENCHEN , 劉國洲 , LIU, KUOCHIO , 薛瑞雲 , SHIUE, RUEYYUN , 鄭錫圭 , CHENG, HSIKUEI , 林志賢 , LIN, CHIHHSIEN , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 陸湘台 , LU, HSIANGTAI , 謝子逸 , SHIEH, TZIYI
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/5384 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10342 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本揭露的實施例包含半導體封裝體及其製造方法。一實施例為方法，包含安裝一晶粒至一基板的頂表面，以形成一元件，密封晶粒及基板的頂表面於一模塑化合物內，此模塑化合物於晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物於晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含對元件進行進一步的處理，以及移除模塑化合物於晶粒上的剩餘厚度。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法，包含安装一晶粒至一基板的顶表面，以形成一组件，密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内，此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理，以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。
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公开(公告)号：TW201533861A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145294
申请日：2014-12-24
Inventor： 黃文濬 , HUANG, WENCHUN , 李建成 , LI, CHIENCHEN , 劉國洲 , LIU, KUOCHIO , 薛瑞雲 , SHIUE, RUEYYUN , 鄭錫圭 , CHENG, HSIKUEI , 林志賢 , LIN, CHIHHSIEN , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 陸湘台 , LU, HSIANGTAI , 謝子逸 , SHIEH, TZIYI
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/5384 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10342 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本揭露的實施例包含半導體封裝體及其製造方法。一實施例為方法，包含安裝一晶粒至一基板的頂表面，以形成一元件，密封晶粒及基板的頂表面於一模塑化合物內，此模塑化合物於晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物於晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含對元件進行進一步的處理，以及移除模塑化合物於晶粒上的剩餘厚度。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法，包含安装一晶粒至一基板的顶表面，以形成一组件，密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内，此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理，以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。
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公开(公告)号：TWI612634B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW103145409
申请日：2014-12-25
Inventor： 李立國 , LEE, LI GUO , 劉宜臻 , LIU, YI CHEN , 劉永盛 , LIU, YUNG SHENG , 賴怡仁 , LAI, YI JEN , 陳俊仁 , CHEN, CHUN JEN , 鄭錫圭 , CHENG, HSI KUEI
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11821 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13693 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2224/1182 , H01L2924/00012 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
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公开(公告)号：TW201539598A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103145405
申请日：2014-12-25
Inventor： 李立國 , LEE, LI GUO , 劉永盛 , LIU, YUNG SHENG , 劉宜臻 , LIU, YI CHEN , 賴怡仁 , LAI, YI JEN , 陳俊仁 , CHEN, CHUN JEN , 鄭錫圭 , CHENG, HSI KUEI
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05556 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11831 , H01L2224/13007 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/13091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 在實施例中提供一種半導體結構。半導體結構包括第一基板及金屬墊形成在第一基板上。半導體結構更包括改良導體柱，具有頂部分及底部分形成在金屬墊上以及焊料層形成在該改良導體柱上。此外，改良導體柱的頂部分具有第一側壁在第一方向，改良導體柱的底部分具有第二側壁在第二方向不同於該第一方向。
Abstract in simplified Chinese: 在实施例中提供一种半导体结构。半导体结构包括第一基板及金属垫形成在第一基板上。半导体结构更包括改良导体柱，具有顶部分及底部分形成在金属垫上以及焊料层形成在该改良导体柱上。此外，改良导体柱的顶部分具有第一侧壁在第一方向，改良导体柱的底部分具有第二侧壁在第二方向不同于该第一方向。
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公开(公告)号：TW536449B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW090111283
申请日：2001-05-11
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
Abstract: 一種可避免因研磨物斷裂而刮傷晶圓之方法，可用於一化學機械式研磨裝置上，步驟包括首先提供一表面上具有複數研磨物之研磨墊給上述化學機械式研磨裝置用以研磨晶圓；接著，調整上述所有研磨物，使其在上述研磨墊表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度係為上述研磨物高度之1/2~2/3。
Abstract in simplified Chinese: 一种可避免因研磨物断裂而刮伤晶圆之方法，可用于一化学机械式研磨设备上，步骤包括首先提供一表面上具有复数研磨物之研磨垫给上述化学机械式研磨设备用以研磨晶圆；接着，调整上述所有研磨物，使其在上述研磨垫表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度系为上述研磨物高度之1/2~2/3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW493233B
公开(公告)日：2002-07-01
申请号：TW090115333
申请日：2001-06-22
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明揭露一種去除晶圓對準標記內殘留物之裝置，於洗邊系統固定位置上，加入至少一組對準標記清洗裝置，接著使用晶圓對位裝置，將位於晶圓上之至少一組對準標記與該至少一組對準標記清洗裝置進行對準，接著該對準標記清洗裝置會噴灑出稀釋硫酸清洗劑，來進行清除對準標記內之銅薄膜工作。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种去除晶圆对准标记内残留物之设备，于洗边系统固定位置上，加入至少一组对准标记清洗设备，接着使用晶圆对位设备，将位于晶圆上之至少一组对准标记与该至少一组对准标记清洗设备进行对准，接着该对准标记清洗设备会喷洒出稀释硫酸清洗剂，来进行清除对准标记内之铜薄膜工作。
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公开(公告)号：TWI685927B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW106113308
申请日：2017-04-20
Inventor： 鄭錫圭 , CHENG, HSI-KUEI , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 韓至剛 , HAN, CHIH-KANG , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
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公开(公告)号：TW201911519A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107126040
申请日：2018-07-27
Inventor： 賴怡仁 , LAI, YI-JEN , 陳承先 , CHEN, CHEN-SHIEN , 劉國洲 , LIU, KUO-CHIO , 林忠儀 , LIN, CHUNG-YI , 鄭錫圭 , CHENG, HSI-KUEI
IPC: H01L23/538 , H01L23/28
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體封裝的製造方法，所述方法包含：在載體上方形成離形薄膜；在所述離形薄膜上方形成聚合物緩衝層；在所述聚合物緩衝層上形成金屬支柱；將所述金屬支柱包封於包封材料中；對所述包封材料執行平坦化以暴露所述金屬支柱；在所述包封材料及所述金屬支柱上方形成重佈線結構；以及分解所述離形薄膜之第一部分。所述離形薄膜之第二部分在所述分解之後保留。在所述聚合物緩衝層中形成開口以暴露所述金屬支柱。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体封装的制造方法，所述方法包含：在载体上方形成离形薄膜；在所述离形薄膜上方形成聚合物缓冲层；在所述聚合物缓冲层上形成金属支柱；将所述金属支柱包封于包封材料中；对所述包封材料运行平坦化以暴露所述金属支柱；在所述包封材料及所述金属支柱上方形成重布线结构；以及分解所述离形薄膜之第一部分。所述离形薄膜之第二部分在所述分解之后保留。在所述聚合物缓冲层中形成开口以暴露所述金属支柱。
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公开(公告)号：TWI625836B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW103145404
申请日：2014-12-25
Inventor： 李立國 , LEE, LI GUO , 劉宜臻 , LIU, YI CHEN , 劉永盛 , LIU, YUNG SHENG , 賴怡仁 , LAI, YI JEN , 陳俊仁 , CHEN, CHUN JEN , 鄭錫圭 , CHENG, HSI KUEI
IPC: H01L23/488 , H01L23/522
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公开(公告)号：TWI562291B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103145156
申请日：2014-12-24
Inventor： 李立國 , LEE, LI GUO , 劉永盛 , LIU, YUNG SHENG , 劉宜臻 , LIU, YI CHEN , 賴怡仁 , LAI, YI JEN , 陳俊仁 , CHEN, CHUN JEN , 鄭錫圭 , CHENG, HSI KUEI
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014
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