公开(公告)号：TW201733058A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105127767

申请日：2016-08-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宗徽 ,  LEE, TZUNG-HUI ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  何明哲 ,  HO, MING-CHE ,  黃子芸 ,  HUANG, TZU-YUN

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/11015 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種重佈線路結構，電性連接於位於其下方的至少一導體。重佈線路結構包括一介電層、一對位標記及一重佈導電層。介電層覆蓋導體且包括用來暴露該導體的至少一接觸開口。對位標記配置在介電層上，對位標記包括位在介電層上的一基部及位在基部上的一凸出部，其中凸出部的一最大厚度與基部的一厚度的比值小於25%。重佈導電層配置在介電層上，重佈導電層包括一導通孔，且導通孔透過接觸開口電性連接至導體。本發明一實施例更提供一種重佈線路結構及整合扇出型封裝的製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种重布线路结构，电性连接于位于其下方的至少一导体。重布线路结构包括一介电层、一对位标记及一重布导电层。介电层覆盖导体且包括用来暴露该导体的至少一接触开口。对位标记配置在介电层上，对位标记包括位在介电层上的一基部及位在基部上的一凸出部，其中凸出部的一最大厚度与基部的一厚度的比值小于25%。重布导电层配置在介电层上，重布导电层包括一导通孔，且导通孔透过接触开口电性连接至导体。本发明一实施例更提供一种重布线路结构及集成扇出型封装的制造方法。

公开(公告)号：TW201801276A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105137576

申请日：2016-11-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  何明哲 ,  HO, MING-CHE ,  吳逸文 ,  WU, YI-WEN ,  李宗徽 ,  LEE, TZUNG-HUI

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L22/14 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02185 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/13026

Abstract: 提供一種半導體元件及其製造方法。支撐結構用以提供導電構件額外的支撐以消除或減少有缺陷表面的形成，使得所形成的導電構件具有較薄結構而不會具有缺陷結構。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体组件及其制造方法。支撑结构用以提供导电构件额外的支撑以消除或减少有缺陷表面的形成，使得所形成的导电构件具有较薄结构而不会具有缺陷结构。

公开(公告)号：TWI630695B

公开(公告)日：2018-07-21

申请号：TW105137576

申请日：2016-11-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  何明哲 ,  HO, MING-CHE ,  吳逸文 ,  WU, YI-WEN ,  李宗徽 ,  LEE, TZUNG-HUI

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TWI688066B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW107123752

申请日：2018-07-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宗徽 ,  LEE, TZUNG-HUI ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蔡及銘 ,  TSAI, CHI-MING ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  何明哲 ,  HO, MING-CHE

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522

公开(公告)号：TW201919180A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107123752

申请日：2018-07-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宗徽 ,  LEE, TZUNG-HUI ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蔡及銘 ,  TSAI, CHI-MING ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  何明哲 ,  HO, MING-CHE

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522

Abstract: 本發明實施例公開多種積體扇出型封裝及其形成方法。一種積體扇出型封裝包括凸塊結構、聚合物層以及金屬層。凸塊結構包括金屬墊以及與金屬墊電性連接的凸塊。聚合物層從凸塊的側壁側向延伸。金屬層覆蓋凸塊結構並與金屬墊的側表面實體接觸。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例公开多种积体扇出型封装及其形成方法。一种积体扇出型封装包括凸块结构、聚合物层以及金属层。凸块结构包括金属垫以及与金属垫电性连接的凸块。聚合物层从凸块的侧壁侧向延伸。金属层覆盖凸块结构并与金属垫的侧表面实体接触。