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公开(公告)号：TWI537995B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103115768
申请日：2014-05-02
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 周仲彥 , CHOU, CHUNG YEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/0306 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F27/24 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI665674B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107107336
申请日：2018-03-06
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN-TAI , 劉世昌 , LIU, SHIH-CHANG
IPC: G11C13/00 , H01L45/00 , H01L27/115 , H01L21/28
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公开(公告)号：TW201605087A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104113248
申请日：2015-04-24
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MINGCHYI , 曾元泰 , TSENG, YUANTAI , 劉世昌 , LIU, SHIHCHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L28/40 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 一種積體電路裝置包含一電阻式隨機存取記憶體(resistive random access memory,RRAM)單元或一金屬-絕緣體-金屬電容單元，其具有一介電層、一上導電層以及一下導電層。介電層包含鄰接介電層之一邊緣的一週邊區域，及被週邊區域所圍繞的一中央區域。上導電層鄰接且位於介電層之上。下導電層鄰接且位於中央區域內的介電層之下，但未鄰接單元的週邊區域的導電層。可藉由介於下導電層及僅在週邊區域中的介電層之間的一額外的介電層，或藉由截斷缺乏週邊區域的下電極層，以避免鄰接的狀況。位於介電層的邊緣的損壞或污染不會造成漏電流。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备包含一电阻式随机存取内存(resistive random access memory,RRAM)单元或一金属-绝缘体-金属电容单元，其具有一介电层、一上导电层以及一下导电层。介电层包含邻接介电层之一边缘的一周边区域，及被周边区域所围绕的一中央区域。上导电层邻接且位于介电层之上。下导电层邻接且位于中央区域内的介电层之下，但未邻接单元的周边区域的导电层。可借由介于下导电层及仅在周边区域中的介电层之间的一额外的介电层，或借由截断缺乏周边区域的下电极层，以避免邻接的状况。位于介电层的边缘的损坏或污染不会造成漏电流。
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公开(公告)号：TW201539730A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146487
申请日：2014-12-31
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本發明關於電阻隨機存取記憶體(RRAM)裝置結構，其包含單層的薄導電蝕刻停止層於較下方之金屬內連線與RRAM單元之底電極之間。導電蝕刻停止層可簡化結構，且其蝕刻選擇性可保護下方的層狀物。導電蝕刻停止層之蝕刻可採用乾蝕刻或濕蝕刻，以落在較下方之金屬內連線上。在某些例子中，較下方的金屬內連線為銅，而蝕刻導電蝕刻停止層之步驟會露出銅，但不似習知方法一樣產生許多非揮發的銅蝕刻副產物。與習知方法相較，某些實施例揭露的技術可減少遮罩步驟的數目，並在形成底電極時省略化學機械研磨製程。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于电阻随机存取内存(RRAM)设备结构，其包含单层的薄导电蚀刻停止层于较下方之金属内连接与RRAM单元之底电极之间。导电蚀刻停止层可简化结构，且其蚀刻选择性可保护下方的层状物。导电蚀刻停止层之蚀刻可采用干蚀刻或湿蚀刻，以落在较下方之金属内连接上。在某些例子中，较下方的金属内连接为铜，而蚀刻导电蚀刻停止层之步骤会露出铜，但不似习知方法一样产生许多非挥发的铜蚀刻副产物。与习知方法相较，某些实施例揭露的技术可减少遮罩步骤的数目，并在形成底电极时省略化学机械研磨制程。
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公开(公告)号：TWI559458B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW103136668
申请日：2014-10-23
Inventor： 吳常明 , WU, CHANGMING , 吳偉成 , WU, WEICHENG , 曾元泰 , TSENG, YUANTAI , 劉世昌 , LIU, SHIHCHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG , 李汝諒 , LEE, RULIANG , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAKLAY
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/28273 , H01L21/31111 , H01L21/32055 , H01L21/32133 , H01L21/32137 , H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/53271 , H01L23/5329 , H01L29/42328 , H01L29/4238 , H01L29/4916 , H01L29/6656 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201537689A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103136668
申请日：2014-10-23
Inventor： 吳常明 , WU, CHANGMING , 吳偉成 , WU, WEICHENG , 曾元泰 , TSENG, YUANTAI , 劉世昌 , LIU, SHIHCHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG , 李汝諒 , LEE, RULIANG , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAKLAY
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/28273 , H01L21/31111 , H01L21/32055 , H01L21/32133 , H01L21/32137 , H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/53271 , H01L23/5329 , H01L29/42328 , H01L29/4238 , H01L29/4916 , H01L29/6656 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提出在一先進邏輯電路中的一種非揮發性記憶體以及其製造方法。在非揮發性記憶體中，字元線及抹除閘極之頂面低於控制閘極之頂面。此外，在施行一自動對準矽化製程之前，以介電材料環繞字元線及抹除閘極。因此，無金屬矽化物形成於字元線及抹除閘極上，在後續的化學機械研磨製程中亦不會產生短路及漏電流的問題。
Abstract in simplified Chinese: 提出在一雪铁龙逻辑电路中的一种非挥发性内存以及其制造方法。在非挥发性内存中，字符线及抹除闸极之顶面低于控制闸极之顶面。此外，在施行一自动对准硅化制程之前，以介电材料环绕字符线及抹除闸极。因此，无金属硅化物形成于字符线及抹除闸极上，在后续的化学机械研磨制程中亦不会产生短路及漏电流的问题。
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公开(公告)号：TW201515029A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103115768
申请日：2014-05-02
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 周仲彥 , CHOU, CHUNG YEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/0306 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F27/24 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本揭露提供一種電感結構與其形成方法。電感結構包括：一基板；一第一介電層形成在該基板之上；一第一金屬層形成在該第一介電層之中；一第二介電層形成在該第一金屬層之上；以及一磁性層形成在該第一介電層之上，其中該磁性層具有一上表面、一下表面與複數個側壁表面介於該上表面與該下表面之間，且其中該些側壁表面具有至少兩個交界點(intersection points)。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种电感结构与其形成方法。电感结构包括：一基板；一第一介电层形成在该基板之上；一第一金属层形成在该第一介电层之中；一第二介电层形成在该第一金属层之上；以及一磁性层形成在该第一介电层之上，其中该磁性层具有一上表面、一下表面与复数个侧壁表面介于该上表面与该下表面之间，且其中该些侧壁表面具有至少两个交界点(intersection points)。
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公开(公告)号：TW201911315A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107107336
申请日：2018-03-06
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN-TAI , 劉世昌 , LIU, SHIH-CHANG
IPC: G11C13/00 , H01L45/00 , H01L27/115 , H01L21/28
Abstract: 本申請案的各種實施例是有關於一種包括具有凹陷的底部電極側壁以減輕側壁電漿損壞效應的電阻式隨機存取記憶體（RRAM）單元的積體電路。在一些實施例中，電阻式隨機存取記憶體單元包括下部電極、資料儲存元件、及上部電極。下部電極包括一對凹陷的底部電極側壁，所述一對凹陷的底部電極側壁分別位於所述下部電極的相對兩側上。資料儲存元件上覆在下部電極上且包括一對儲存側壁。儲存側壁分別位於下部電極的相對兩側上，且凹陷的底部電極側壁在側向上與所述儲存側壁間隔開且在側向上位於所述儲存側壁之間。上部電極上覆在資料儲存元件上。
Abstract in simplified Chinese: 本申请案的各种实施例是有关于一种包括具有凹陷的底部电极侧壁以减轻侧壁等离子损坏效应的电阻式随机存取内存（RRAM）单元的集成电路。在一些实施例中，电阻式随机存取内存单元包括下部电极、数据存储组件、及上部电极。下部电极包括一对凹陷的底部电极侧壁，所述一对凹陷的底部电极侧壁分别位于所述下部电极的相对两侧上。数据存储组件上覆在下部电极上且包括一对存储侧壁。存储侧壁分别位于下部电极的相对两侧上，且凹陷的底部电极侧壁在侧向上与所述存储侧壁间隔开且在侧向上位于所述存储侧壁之间。上部电极上覆在数据存储组件上。
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公开(公告)号：TWI577064B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104113248
申请日：2015-04-24
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MINGCHYI , 曾元泰 , TSENG, YUANTAI , 劉世昌 , LIU, SHIHCHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L28/40 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/16
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公开(公告)号：TWI614923B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105140713
申请日：2016-12-08
Inventor： 宋福庭 , SUNG, FU-TING , 閔仲強 , MIN, CHUNG-CHIANG , 曾元泰 , TSENG, YUAN-TAI , 徐晨祐 , HSU, CHERN-YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH-CHANG
CPC classification number: H01L43/02 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
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