積體電路裝置及其製造方法
    3.
    发明专利
    積體電路裝置及其製造方法 审中-公开
    集成电路设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201605087A

    公开(公告)日:2016-02-01

    申请号:TW104113248

    申请日:2015-04-24

    Abstract: 一種積體電路裝置包含一電阻式隨機存取記憶體(resistive random access memory,RRAM)單元或一金屬-絕緣體-金屬電容單元,其具有一介電層、一上導電層以及一下導電層。介電層包含鄰接介電層之一邊緣的一週邊區域,及被週邊區域所圍繞的一中央區域。上導電層鄰接且位於介電層之上。下導電層鄰接且位於中央區域內的介電層之下,但未鄰接單元的週邊區域的導電層。可藉由介於下導電層及僅在週邊區域中的介電層之間的一額外的介電層,或藉由截斷缺乏週邊區域的下電極層,以避免鄰接的狀況。位於介電層的邊緣的損壞或污染不會造成漏電流。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备包含一电阻式随机存取内存(resistive random access memory,RRAM)单元或一金属-绝缘体-金属电容单元,其具有一介电层、一上导电层以及一下导电层。介电层包含邻接介电层之一边缘的一周边区域,及被周边区域所围绕的一中央区域。上导电层邻接且位于介电层之上。下导电层邻接且位于中央区域内的介电层之下,但未邻接单元的周边区域的导电层。可借由介于下导电层及仅在周边区域中的介电层之间的一额外的介电层,或借由截断缺乏周边区域的下电极层,以避免邻接的状况。位于介电层的边缘的损坏或污染不会造成漏电流。

    具有導電蝕刻停止層的電阻式隨機存取記憶體單元結構
    4.
    发明专利
    具有導電蝕刻停止層的電阻式隨機存取記憶體單元結構 审中-公开
    具有导电蚀刻停止层的电阻式随机存取内存单元结构

    公开(公告)号:TW201539730A

    公开(公告)日:2015-10-16

    申请号:TW103146487

    申请日:2014-12-31

    Abstract: 本發明關於電阻隨機存取記憶體(RRAM)裝置結構,其包含單層的薄導電蝕刻停止層於較下方之金屬內連線與RRAM單元之底電極之間。導電蝕刻停止層可簡化結構,且其蝕刻選擇性可保護下方的層狀物。導電蝕刻停止層之蝕刻可採用乾蝕刻或濕蝕刻,以落在較下方之金屬內連線上。在某些例子中,較下方的金屬內連線為銅,而蝕刻導電蝕刻停止層之步驟會露出銅,但不似習知方法一樣產生許多非揮發的銅蝕刻副產物。與習知方法相較,某些實施例揭露的技術可減少遮罩步驟的數目,並在形成底電極時省略化學機械研磨製程。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明关于电阻随机存取内存(RRAM)设备结构,其包含单层的薄导电蚀刻停止层于较下方之金属内连接与RRAM单元之底电极之间。导电蚀刻停止层可简化结构,且其蚀刻选择性可保护下方的层状物。导电蚀刻停止层之蚀刻可采用干蚀刻或湿蚀刻,以落在较下方之金属内连接上。在某些例子中,较下方的金属内连接为铜,而蚀刻导电蚀刻停止层之步骤会露出铜,但不似习知方法一样产生许多非挥发的铜蚀刻副产物。与习知方法相较,某些实施例揭露的技术可减少遮罩步骤的数目,并在形成底电极时省略化学机械研磨制程。

    具有凹陷的底部電極側壁的電阻式隨機存取記憶體(RRAM)單元及其形成方法
    8.
    发明专利
    具有凹陷的底部電極側壁的電阻式隨機存取記憶體(RRAM)單元及其形成方法 审中-公开
    具有凹陷的底部电极侧壁的电阻式随机存取内存(RRAM)单元及其形成方法

    公开(公告)号:TW201911315A

    公开(公告)日:2019-03-16

    申请号:TW107107336

    申请日:2018-03-06

    Abstract: 本申請案的各種實施例是有關於一種包括具有凹陷的底部電極側壁以減輕側壁電漿損壞效應的電阻式隨機存取記憶體(RRAM)單元的積體電路。在一些實施例中,電阻式隨機存取記憶體單元包括下部電極、資料儲存元件、及上部電極。下部電極包括一對凹陷的底部電極側壁,所述一對凹陷的底部電極側壁分別位於所述下部電極的相對兩側上。資料儲存元件上覆在下部電極上且包括一對儲存側壁。儲存側壁分別位於下部電極的相對兩側上,且凹陷的底部電極側壁在側向上與所述儲存側壁間隔開且在側向上位於所述儲存側壁之間。上部電極上覆在資料儲存元件上。

    Abstract in simplified Chinese: 本申请案的各种实施例是有关于一种包括具有凹陷的底部电极侧壁以减轻侧壁等离子损坏效应的电阻式随机存取内存(RRAM)单元的集成电路。在一些实施例中,电阻式随机存取内存单元包括下部电极、数据存储组件、及上部电极。下部电极包括一对凹陷的底部电极侧壁,所述一对凹陷的底部电极侧壁分别位于所述下部电极的相对两侧上。数据存储组件上覆在下部电极上且包括一对存储侧壁。存储侧壁分别位于下部电极的相对两侧上,且凹陷的底部电极侧壁在侧向上与所述存储侧壁间隔开且在侧向上位于所述存储侧壁之间。上部电极上覆在数据存储组件上。

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