公开(公告)号：TW202022959A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108125768

申请日：2019-07-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  史朝文 ,  SHIH, CHAO-WEN ,  陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  葉松峯 ,  YEH, SUNG-FENG ,  劉醇鴻 ,  LIU, TZUAN-HORNG

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 一種形成半導體結構的方法，包含：將多個頂部晶粒的多個背側附著至底部晶圓的前側，底部晶圓包括多個底部晶粒；在底部晶圓的前側上形成鄰近於多個頂部晶粒的多個第一導電柱；在底部晶圓的前側上形成圍繞多個頂部晶粒且圍繞多個第一導電柱的第一介電材料；以及切割底部晶圓以形成多個結構，多個結構中的每一者包括多個頂部晶粒中的至少一者及多個底部晶粒中的至少一者。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体结构的方法，包含：将多个顶部晶粒的多个背侧附着至底部晶圆的前侧，底部晶圆包括多个底部晶粒；在底部晶圆的前侧上形成邻近于多个顶部晶粒的多个第一导电柱；在底部晶圆的前侧上形成围绕多个顶部晶粒且围绕多个第一导电柱的第一介电材料；以及切割底部晶圆以形成多个结构，多个结构中的每一者包括多个顶部晶粒中的至少一者及多个底部晶粒中的至少一者。

公开(公告)号：TW202015179A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：TW108120472

申请日：2019-06-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI

IPC: H01L21/78 ,  H01L25/065

Abstract: 一種封裝及其形成方法。一種方法包括形成第一晶粒結構。所述第一晶粒結構包括結合至載體的晶粒堆疊及堆疊式擬結構。形成第二晶粒結構。所述第二晶粒結構包括第一積體電路晶粒。藉由將所述晶粒堆疊的最頂部積體電路晶粒結合至所述第一積體電路晶粒來將所述第一晶粒結構結合至所述第二晶粒結構。所述晶粒堆疊的所述最頂部積體電路晶粒是所述晶粒堆疊中距所述載體最遠的積體電路晶粒。對所述第一晶粒結構執行單體化製程，以形成多個單獨的晶粒結構。所述單體化製程將所述堆疊式擬結構單體化成多個單獨的堆疊式擬結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装及其形成方法。一种方法包括形成第一晶粒结构。所述第一晶粒结构包括结合至载体的晶粒堆栈及堆栈式拟结构。形成第二晶粒结构。所述第二晶粒结构包括第一集成电路晶粒。借由将所述晶粒堆栈的最顶部集成电路晶粒结合至所述第一集成电路晶粒来将所述第一晶粒结构结合至所述第二晶粒结构。所述晶粒堆栈的所述最顶部集成电路晶粒是所述晶粒堆栈中距所述载体最远的集成电路晶粒。对所述第一晶粒结构运行单体化制程，以形成多个单独的晶粒结构。所述单体化制程将所述堆栈式拟结构单体化成多个单独的堆栈式拟结构。

公开(公告)号：TW202004926A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW107140008

申请日：2018-11-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  陳明發 ,  CHEN, MING-FA

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/02 ,  H01L23/34

Abstract: 本發明實施例提供了一種封裝及其形成方法。所述封裝包括：晶粒堆疊，接合到載板，所述晶粒堆疊包括第一積體電路晶粒，所述第一積體電路晶粒是所述晶粒堆疊的距離所述載板最遠的積體電路晶粒，所述第一積體電路晶粒的前側面對所述載板；晶粒結構，接合到所述晶粒堆疊，所述晶粒結構包括第二積體電路晶粒，所述第一積體電路晶粒的背側與所述第二積體電路晶粒的背側實體接觸，所述第一積體電路晶粒的背側與前側相反；散熱結構，接合到所述晶粒結構並鄰近所述晶粒堆疊；以及包封體，沿著所述晶粒堆疊的側壁和所述散熱結構的側壁延伸。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供了一种封装及其形成方法。所述封装包括：晶粒堆栈，接合到载板，所述晶粒堆栈包括第一集成电路晶粒，所述第一集成电路晶粒是所述晶粒堆栈的距离所述载板最远的集成电路晶粒，所述第一集成电路晶粒的前侧面对所述载板；晶粒结构，接合到所述晶粒堆栈，所述晶粒结构包括第二集成电路晶粒，所述第一集成电路晶粒的背侧与所述第二集成电路晶粒的背侧实体接触，所述第一集成电路晶粒的背侧与前侧相反；散热结构，接合到所述晶粒结构并邻近所述晶粒堆栈；以及包封体，沿着所述晶粒堆栈的侧壁和所述散热结构的侧壁延伸。

公开(公告)号：TWI682449B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW107140531

申请日：2018-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

公开(公告)号：TWI681476B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW106135557

申请日：2017-10-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/522

公开(公告)号：TWI648839B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106136035

申请日：2017-10-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳英儒 ,  CHEN, YING-JU ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  胡致嘉 ,  HU, CHIH-CHIA

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TW201712836A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105131506

申请日：2016-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 袁景濱 ,  YUAN, CHING-PIN ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  葉松峯 ,  YEH, SUNG-FENG

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L25/074 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L31/12 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/18162

Abstract: 一種三維積體電路（3DIC）結構包括第一IC晶片和第二IC晶片。第一IC晶片包括第一金屬化結構、第一光學主動元件和第一光子內連線層。第二IC晶片包括第二金屬化結構、第二光學主動元件和第二光子內連線層。第一IC晶片和第二IC晶片藉由第一光子內連線層和第二光子內連線層接合。第一光學主動元件位於第一光子內連線層和第一金屬化結構之間。第一光學主動元件和第一金屬化結構彼此接合。第二光學主動元件位於第二光子內連線層和第二金屬化結構之間。第二光學主動元件和第二金屬化結構彼此接合。

Abstract in simplified Chinese: 一种三维集成电路（3DIC）结构包括第一IC芯片和第二IC芯片。第一IC芯片包括第一金属化结构、第一光学主动组件和第一光子内连接层。第二IC芯片包括第二金属化结构、第二光学主动组件和第二光子内连接层。第一IC芯片和第二IC芯片借由第一光子内连接层和第二光子内连接层接合。第一光学主动组件位于第一光子内连接层和第一金属化结构之间。第一光学主动组件和第一金属化结构彼此接合。第二光学主动组件位于第二光子内连接层和第二金属化结构之间。第二光学主动组件和第二金属化结构彼此接合。

公开(公告)号：TWI430406B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW100103852

申请日：2011-02-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 胡憲斌 ,  HU, HSIEN PIN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  陳明發 ,  CHEN, MING FA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  賴雋仁 ,  LAI, JIUN REN ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI699839B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW107129579

申请日：2018-08-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA

IPC: H01L21/60

公开(公告)号：TW202008531A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108102529

申请日：2019-01-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  陳明發 ,  CHEN, MING-FA ,  葉松峯 ,  YEH, SUNG-FENG

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一種封裝結構包括至少一個第一半導體晶粒、絕緣密封體、隔離層及重佈線層。所述至少一個第一半導體晶粒具有半導體基板及安置在半導體基板上的導電杆。絕緣密封體部分地密封第一半導體晶粒，其中導電杆具有被絕緣密封體環繞的第一部分及從絕緣密封體凸出的第二部分。隔離層安置在絕緣密封體上且環繞導電杆的第二部分。重佈線層安置在第一半導體晶粒及隔離層上，其中重佈線層電性連接到第一半導體晶粒的所述導電杆。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括至少一个第一半导体晶粒、绝缘密封体、隔离层及重布线层。所述至少一个第一半导体晶粒具有半导体基板及安置在半导体基板上的导电杆。绝缘密封体部分地密封第一半导体晶粒，其中导电杆具有被绝缘密封体环绕的第一部分及从绝缘密封体凸出的第二部分。隔离层安置在绝缘密封体上且环绕导电杆的第二部分。重布线层安置在第一半导体晶粒及隔离层上，其中重布线层电性连接到第一半导体晶粒的所述导电杆。