公开(公告)号：TWI611525B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW104139199

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  蘇峻興 ,  SU, CHUN HSING ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG ,  茅一超 ,  MAO, YI CHAO

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/565 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214

公开(公告)号：TW201705393A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104139199

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  蘇峻興 ,  SU, CHUN HSING ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG ,  茅一超 ,  MAO, YI CHAO

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/565 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214

Abstract: 一裝置構裝之實施例包含半導體晶粒、鑄模化合物沿著半導體晶粒之側壁延伸、及平坦化聚合物層於鑄模化合物上且沿著半導體晶粒之側壁延伸。鑄模化合物包含第一填料，而平坦化聚合物層包含小於第一填料之第二填料。裝置構裝進一步包含一或多個扇出型(fan-out)重新佈線層(RDL)電性連接至半導體晶粒，其中一或多個扇出型重新佈線層(RDL)延伸過半導體晶粒之邊緣而至平坦化聚合物層之上表面上。

Abstract in simplified Chinese: 一设备构装之实施例包含半导体晶粒、铸模化合物沿着半导体晶粒之侧壁延伸、及平坦化聚合物层于铸模化合物上且沿着半导体晶粒之侧壁延伸。铸模化合物包含第一填料，而平坦化聚合物层包含小于第一填料之第二填料。设备构装进一步包含一或多个扇出型(fan-out)重新布线层(RDL)电性连接至半导体晶粒，其中一或多个扇出型重新布线层(RDL)延伸过半导体晶粒之边缘而至平坦化聚合物层之上表面上。

公开(公告)号：TWI625831B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW104139368

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡宜霖 ,  TSAI, YI LIN ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  劉乃瑋 ,  LIU, NAI WEI ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

公开(公告)号：TW201639091A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104139368

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡宜霖 ,  TSAI, YI LIN ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  劉乃瑋 ,  LIU, NAI WEI ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 封裝物包括裝置晶粒、用以使其中之裝置晶粒的至少一部分成型之模塑料、以及實質上貫穿模塑料之貫穿通路。所述封裝物進一步包括與貫穿通路及模塑料接觸之介電層，以及附接至裝置晶粒背側之晶粒附接膜。晶粒附接膜包括延伸至介電層中的一部分。

Abstract in simplified Chinese: 封装物包括设备晶粒、用以使其中之设备晶粒的至少一部分成型之模塑料、以及实质上贯穿模塑料之贯穿通路。所述封装物进一步包括与贯穿通路及模塑料接触之介电层，以及附接至设备晶粒背侧之晶粒附接膜。晶粒附接膜包括延伸至介电层中的一部分。