公开(公告)号：TW201732902A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105125250

申请日：2016-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本揭露提供一種封裝結構與其形成方法。封裝結構包括一基板與一半導體晶粒形成於該基板之上。封裝結構尚包括一封裝層相鄰於該半導體晶粒，以及一導電結構，形成於該封裝層之中。封裝結構更包括一第一絕緣層形成於該導電結構之上，且第一絕緣層包括一一價金屬氧化物(monovalent metal oxide)。封裝結構尚包括一第二絕緣層形成於第一絕緣層與封裝層之間。第二絕緣層包括一一價金屬氧化物，且一價金屬氧化物在第二絕緣層中的重量比高於一價金屬氧化物在第一絕緣層中的重量比。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种封装结构与其形成方法。封装结构包括一基板与一半导体晶粒形成于该基板之上。封装结构尚包括一封装层相邻于该半导体晶粒，以及一导电结构，形成于该封装层之中。封装结构更包括一第一绝缘层形成于该导电结构之上，且第一绝缘层包括一一价金属氧化物(monovalent metal oxide)。封装结构尚包括一第二绝缘层形成于第一绝缘层与封装层之间。第二绝缘层包括一一价金属氧化物，且一价金属氧化物在第二绝缘层中的重量比高于一价金属氧化物在第一绝缘层中的重量比。

公开(公告)号：TWI618129B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105125250

申请日：2016-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

公开(公告)号：TWI611525B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW104139199

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  蘇峻興 ,  SU, CHUN HSING ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG ,  茅一超 ,  MAO, YI CHAO

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/565 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214

公开(公告)号：TW201705393A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104139199

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  蘇峻興 ,  SU, CHUN HSING ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG ,  茅一超 ,  MAO, YI CHAO

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/565 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214

Abstract: 一裝置構裝之實施例包含半導體晶粒、鑄模化合物沿著半導體晶粒之側壁延伸、及平坦化聚合物層於鑄模化合物上且沿著半導體晶粒之側壁延伸。鑄模化合物包含第一填料，而平坦化聚合物層包含小於第一填料之第二填料。裝置構裝進一步包含一或多個扇出型(fan-out)重新佈線層(RDL)電性連接至半導體晶粒，其中一或多個扇出型重新佈線層(RDL)延伸過半導體晶粒之邊緣而至平坦化聚合物層之上表面上。

Abstract in simplified Chinese: 一设备构装之实施例包含半导体晶粒、铸模化合物沿着半导体晶粒之侧壁延伸、及平坦化聚合物层于铸模化合物上且沿着半导体晶粒之侧壁延伸。铸模化合物包含第一填料，而平坦化聚合物层包含小于第一填料之第二填料。设备构装进一步包含一或多个扇出型(fan-out)重新布线层(RDL)电性连接至半导体晶粒，其中一或多个扇出型重新布线层(RDL)延伸过半导体晶粒之边缘而至平坦化聚合物层之上表面上。

公开(公告)号：TWI625831B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW104139368

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡宜霖 ,  TSAI, YI LIN ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  劉乃瑋 ,  LIU, NAI WEI ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

公开(公告)号：TW201727865A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105134355

申请日：2016-10-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 高金福 ,  KAO, CHIN-FU ,  符策忠 ,  FU, TSEI-CHUNG ,  林俊成 ,  LIN, JING-CHENG

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本揭露提供一種半導體封裝，該半導體封裝包含：一第一裝置；其具有一第一接合表面； 一第一導電組件，其至少自該第一接合表面部分地突出；一第二裝置，其具有面向該第一接合表面之一第二接合表面；及一第二導電組件，其至少自該第二接合表面暴露。該第一導電組件及該第二導電組件形成具有一第一喙部之一接合。該第一喙部指向該第一接合表面或該第二接合表面。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体封装，该半导体封装包含：一第一设备；其具有一第一接合表面； 一第一导电组件，其至少自该第一接合表面部分地突出；一第二设备，其具有面向该第一接合表面之一第二接合表面；及一第二导电组件，其至少自该第二接合表面暴露。该第一导电组件及该第二导电组件形成具有一第一喙部之一接合。该第一喙部指向该第一接合表面或该第二接合表面。

公开(公告)号：TW201639091A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104139368

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡宜霖 ,  TSAI, YI LIN ,  張智堯 ,  CHANG, JEFFREY ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  劉乃瑋 ,  LIU, NAI WEI ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 封裝物包括裝置晶粒、用以使其中之裝置晶粒的至少一部分成型之模塑料、以及實質上貫穿模塑料之貫穿通路。所述封裝物進一步包括與貫穿通路及模塑料接觸之介電層，以及附接至裝置晶粒背側之晶粒附接膜。晶粒附接膜包括延伸至介電層中的一部分。

Abstract in simplified Chinese: 封装物包括设备晶粒、用以使其中之设备晶粒的至少一部分成型之模塑料、以及实质上贯穿模塑料之贯穿通路。所述封装物进一步包括与贯穿通路及模塑料接触之介电层，以及附接至设备晶粒背侧之晶粒附接膜。晶粒附接膜包括延伸至介电层中的一部分。