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公开(公告)号：TWI638437B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW105143828
申请日：2016-12-29
Inventor： 朱怡欣 , CHU, YI SHIN , 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 黃冠傑 , HUANG, KUAN CHIEH , 陳逸豪 , CHEN, YI HAO , 蔡雙吉 , TSAI, SHUANG JI , 張豐桂 , CHANG, FENG KUEI
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公开(公告)号：TW201729371A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105143828
申请日：2016-12-29
Inventor： 朱怡欣 , CHU, YI SHIN , 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 黃冠傑 , HUANG, KUAN CHIEH , 陳逸豪 , CHEN, YI HAO , 蔡雙吉 , TSAI, SHUANG JI , 張豐桂 , CHANG, FENG KUEI
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/31111 , H01L21/76898 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/50 , H01L2224/24145 , H01L2225/06541
Abstract: 本發明實施例提供三維積體電路晶粒。在一些實施例中，第一積體電路晶粒包含第一半導體基板、第一內連線結構位於第一半導體基板上、以及第一混合接合結構位於第一內連線結構上。第一混合接合結構包含混合接合連接層，以及自混合接合連接層延伸至第一內連線結構的混合接合接點層。第二積體電路晶粒位於第一積體電路晶粒上，並包含第二半導體基板、第二混合接合結構、以及第二內連線結構位於第二半導體基板與第二混合接合結構之間。第二混合接合結構接觸第一混合接合結構。封環結構位於第一積體電路晶粒與第二積體電路晶粒中。此外，封環結構自第一半導體基板延伸至第二半導體基板，且混合接合接點層定義部份封環結構。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供三维集成电路晶粒。在一些实施例中，第一集成电路晶粒包含第一半导体基板、第一内连接结构位于第一半导体基板上、以及第一混合接合结构位于第一内连接结构上。第一混合接合结构包含混合接合连接层，以及自混合接合连接层延伸至第一内连接结构的混合接合接点层。第二集成电路晶粒位于第一集成电路晶粒上，并包含第二半导体基板、第二混合接合结构、以及第二内连接结构位于第二半导体基板与第二混合接合结构之间。第二混合接合结构接触第一混合接合结构。封环结构位于第一集成电路晶粒与第二集成电路晶粒中。此外，封环结构自第一半导体基板延伸至第二半导体基板，且混合接合接点层定义部份封环结构。
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公开(公告)号：TWI503963B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102123769
申请日：2013-07-03
Inventor： 萬孟勳 , WAN, MENG HSUN , 朱怡欣 , CHU, YI SHIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L31/022466 , H01L31/035218 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H04N5/378
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201405791A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102123769
申请日：2013-07-03
Inventor： 萬孟勳 , WAN, MENG HSUN , 朱怡欣 , CHU, YI SHIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L31/022466 , H01L31/035218 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H04N5/378
Abstract: 本發明提供一種封裝結構，包括：一影像感測器晶片，具有一提昇式光電二極體形成於內，以及一裝置晶片，其位於影像感測器晶片下方且接合至影像感測器晶片。裝置晶片具有一讀取電路，其電性耦接至提昇式光電二極體。本發明亦提供一種封裝結構之製作方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种封装结构，包括：一影像传感器芯片，具有一提升式光电二极管形成于内，以及一设备芯片，其位于影像传感器芯片下方且接合至影像传感器芯片。设备芯片具有一读取电路，其电性耦接至提升式光电二极管。本发明亦提供一种封装结构之制作方法。
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公开(公告)号：TWI499047B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW102113721
申请日：2013-04-18
Inventor： 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201349469A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102113721
申请日：2013-04-18
Inventor： 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本揭示提供當形成CMOS影像感測器時除去玻璃的方法，所提供形成半導體元件的方法包含在元件晶圓上形成複數個畫素陣列，將載體晶圓接合至元件晶圓的第一側，將基底接合在元件晶圓的第二側之上，薄化載體晶圓，形成電性連接至元件晶圓的第一側，接著將基底從元件晶圓的第二側脫離，以及接著從元件晶圓將這些畫素陣列分離成個別的畫素陣列。此外，還揭示成像裝置。
Abstract in simplified Chinese: 本揭示提供当形成CMOS影像传感器时除去玻璃的方法，所提供形成半导体组件的方法包含在组件晶圆上形成复数个像素数组，将载体晶圆接合至组件晶圆的第一侧，将基底接合在组件晶圆的第二侧之上，薄化载体晶圆，形成电性连接至组件晶圆的第一侧，接着将基底从组件晶圆的第二侧脱离，以及接着从组件晶圆将这些像素数组分离成个别的像素数组。此外，还揭示成像设备。
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公开(公告)号：TW201349390A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102113722
申请日：2013-04-18
Inventor： 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/76831 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2223/6622 , H01L2224/13 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本發明揭露一種半導體裝置的製造方法，包括提供具有前側及相對的背側的一主動裝置晶圓，前側包括設置於介電層內的導電內連接材料。提供一承載晶圓，承載晶圓具有以氧化物填充的通孔，通孔從承載晶圓的第一表面延伸至承載晶圓的第二表面。將主動裝置晶圓的前側接合至承載晶圓的第二表面。蝕刻承載晶圓內的通孔內的氧化物，以形成氧化物通孔。在氧化物通孔(through oxide via)內沉積導電材料，以形成延伸至主動裝置晶圓且與導電內連接材料電性接觸的導電層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种半导体设备的制造方法，包括提供具有前侧及相对的背侧的一主动设备晶圆，前侧包括设置于介电层内的导电内连接材料。提供一承载晶圆，承载晶圆具有以氧化物填充的通孔，通孔从承载晶圆的第一表面延伸至承载晶圆的第二表面。将主动设备晶圆的前侧接合至承载晶圆的第二表面。蚀刻承载晶圆内的通孔内的氧化物，以形成氧化物通孔。在氧化物通孔(through oxide via)内沉积导电材料，以形成延伸至主动设备晶圆且与导电内连接材料电性接触的导电层。
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公开(公告)号：TWI596702B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102113722
申请日：2013-04-18
Inventor： 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 陳保同 , CHEN, PAO TUNG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/76831 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2223/6622 , H01L2224/13 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
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