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公开(公告)号：TWI681567B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107120208
申请日：2018-06-12
发明人： 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 陳奕男 , CHEN, I-NAN , 陳子祥 , CHEN, TZU-HSIANG , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 周正賢 , CHOU, CHENG-HSIEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN
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公开(公告)号：TW201919253A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107121149
申请日：2018-06-20
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： 本發明實施例係關於一種半導體影像感測器裝置，其包含一半導體基板、一輻射感測區及一第一隔離結構。該輻射感測區在該半導體基板中。該第一隔離結構在該半導體基板中且鄰近於該輻射感測區。該第一隔離結構包含在該半導體基板中之一底部隔離部分、在該半導體基板中之一上隔離部分，及包圍該上隔離部分之一側壁的一擴散阻障層。
简体摘要： 本发明实施例系关于一种半导体影像传感器设备，其包含一半导体基板、一辐射传感区及一第一隔离结构。该辐射传感区在该半导体基板中。该第一隔离结构在该半导体基板中且邻近于该辐射传感区。该第一隔离结构包含在该半导体基板中之一底部隔离部分、在该半导体基板中之一上隔离部分，及包围该上隔离部分之一侧壁的一扩散阻障层。
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公开(公告)号：TW201727882A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134356
申请日：2016-10-24
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 本發明實施例係關於一種具有改良之DTI結構之BSI影像感測器及一種相關聯之形成方法。在一些實施例中，該BSI影像感測器包括被放置在對應於複數個像素區之一基板內的複數個影像感測元件。一深溝槽隔離件(DTI)柵格被放置在鄰近影像感測元件之間且自該基板之一上表面延伸至該基板內的位置。該DTI柵格包括經放置在該基板之該上表面下方的氣隙，該等氣隙具有由一第一介電層包圍的下部分及由一第二介電層密封的一些上部分。
简体摘要： 本发明实施例系关于一种具有改良之DTI结构之BSI影像传感器及一种相关联之形成方法。在一些实施例中，该BSI影像传感器包括被放置在对应于复数个像素区之一基板内的复数个影像传感组件。一深沟槽隔离件(DTI)栅格被放置在邻近影像传感组件之间且自该基板之一上表面延伸至该基板内的位置。该DTI栅格包括经放置在该基板之该上表面下方的气隙，该等气隙具有由一第一介电层包围的下部分及由一第二介电层密封的一些上部分。
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公开(公告)号：TWI670863B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107121149
申请日：2018-06-20
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN
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公开(公告)号：TW201715715A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105126196
申请日：2016-08-17
发明人： 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 陳冠尊 , CHEN, KUAN TSUN , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14629 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 在一些實施例中，本揭露係關於具有反射材料之全域快門像素的背照式(BSI)影像感測器，其可防止像素級記憶節點的汙染。在一些實施例中，BSI影像感測器具有影像感測元件排列於半導體基底中，以及像素級記憶節點排列於半導體基底中，位於影像感測元件橫向偏移之位置。反射材料亦排列於半導體基底中，位於像素級記憶節點與半導體基底之背面的位置。反射材料具有孔徑位於影像感測元件之上。反射材料允許入射輻射到達影像感測元件，同時防止入射輻射免於到達像素級記憶節點，從而避免像素級記憶節點之汙染。
简体摘要： 在一些实施例中，本揭露系关于具有反射材料之全域快门像素的背照式(BSI)影像传感器，其可防止像素级记忆节点的污染。在一些实施例中，BSI影像传感器具有影像传感组件排列于半导体基底中，以及像素级记忆节点排列于半导体基底中，位于影像传感组件横向偏移之位置。反射材料亦排列于半导体基底中，位于像素级记忆节点与半导体基底之背面的位置。反射材料具有孔径位于影像传感组件之上。反射材料允许入射辐射到达影像传感组件，同时防止入射辐射免于到达像素级记忆节点，从而避免像素级记忆节点之污染。
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公开(公告)号：TW202015230A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108129066
申请日：2019-08-15
发明人： 吳尉壯 , WU, WEI-CHUANG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 施俊吉 , SZE, JHY-JYI , 周耕宇 , CHOU, KENG-YU , 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 楊明憲 , YANG, MING-HSIEN , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/302
摘要： 本申請案的各種實施例是關於包含複合背側照明（CBSI）結構以增強效能的影像感測器。在一些實施例中，第一溝槽隔離結構延伸至基底的背側中至第一深度，且包括一對第一溝槽隔離區段。光偵測器處於基底中，位於第一溝槽隔離區段之間且與第一溝槽隔離區段鄰接。第二溝槽隔離結構位於第一溝槽隔離區段之間且延伸至基底的背側中至小於第一深度的第二深度。第二溝槽隔離結構包括一對第二溝槽隔離區段。吸收增強結構上覆於光偵測器，位於第二溝槽隔離區段之間，且凹入至半導體基底的背側中。吸收增強結構及第二溝槽隔離結構共同限定CBSI結構。
简体摘要： 本申请案的各种实施例是关于包含复合背侧照明（CBSI）结构以增强性能的影像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸至基底的背侧中至第一深度，且包括一对第一沟槽隔离区段。光侦测器处于基底中，位于第一沟槽隔离区段之间且与第一沟槽隔离区段邻接。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离区段之间且延伸至基底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离区段。吸收增强结构上覆于光侦测器，位于第二沟槽隔离区段之间，且凹入至半导体基底的背侧中。吸收增强结构及第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。
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公开(公告)号：TW201715713A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105100353
申请日：2016-01-07
发明人： 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 王子睿 , WANG, TZU JUI , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 王昱仁 , WANG, YU JEN , 山下雄一郎 , YAMASHITA, YUICHIRO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 本揭露係關於一種互補式金氧半影像感測器及其形成方法。互補式金氧半影像感測器具有一畫素區域，設置於一半導體基底中。畫素區域具有一影像感測元件，其係配置將射線轉換為電子訊號。數個背側深溝槽隔離結構，延伸至半導體基底中，且位於畫素區域的相對側上。一摻雜區域橫向排設於背側深溝槽隔離結構之間且將影像感測元件自背側深溝槽隔離結構與半導體基底的背側隔開。與背側深溝槽隔離結構隔開的影像感測元件可防止影像感測元件與鄰近背側深溝槽隔離結構之邊緣的介面缺陷交互作用，因此可降低暗電流以及白畫素數目。
简体摘要： 本揭露系关于一种互补式金氧半影像传感器及其形成方法。互补式金氧半影像传感器具有一像素区域，设置于一半导体基底中。像素区域具有一影像传感组件，其系配置将射线转换为电子信号。数个背侧深沟槽隔离结构，延伸至半导体基底中，且位于像素区域的相对侧上。一掺杂区域横向排设于背侧深沟槽隔离结构之间且将影像传感组件自背侧深沟槽隔离结构与半导体基底的背侧隔开。与背侧深沟槽隔离结构隔开的影像传感组件可防止影像传感组件与邻近背侧深沟槽隔离结构之边缘的界面缺陷交互作用，因此可降低暗电流以及白像素数目。
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公开(公告)号：TW201709503A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104141330
申请日：2015-12-09
发明人： 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 賴志育 , LAI, CHIH YU , 周世培 , CHOU, SHIHPEI , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 蔡敏瑛 , TSAI, MIN YING
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/76205 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/76232 , H01L27/1463 , H01L29/0653
摘要： 方法包括在半導體基板上執行非等向性蝕刻以形成溝渠。溝渠具有垂直側壁及連接至垂直側壁的圓形底部。執行損傷移除以移除半導體基板之表面層，其中表面層曝露於溝渠中。蝕刻溝渠之圓形底部以形成傾斜筆直底表面。填充溝渠以在溝渠中形成溝渠隔離結構區域。
简体摘要： 方法包括在半导体基板上运行非等向性蚀刻以形成沟渠。沟渠具有垂直侧壁及连接至垂直侧壁的圆形底部。运行损伤移除以移除半导体基板之表面层，其中表面层曝露于沟渠中。蚀刻沟渠之圆形底部以形成倾斜笔直底表面。填充沟渠以在沟渠中形成沟渠隔离结构区域。
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公开(公告)号：TWI675466B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107121125
申请日：2018-06-20
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 王昱仁 , WANG, YU JEN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN
IPC分类号： H01L27/146
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公开(公告)号：TWI595646B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW104141330
申请日：2015-12-09
发明人： 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 賴志育 , LAI, CHIH YU , 周世培 , CHOU, SHIHPEI , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 蔡敏瑛 , TSAI, MIN YING
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/76205 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/76232 , H01L27/1463 , H01L29/0653
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