用於堆疊積體電路的矽直通穿孔設計
    4.
    发明专利
    用於堆疊積體電路的矽直通穿孔設計 审中-公开
    用于堆栈集成电路的硅直通穿孔设计

    公开(公告)号:TW202005036A

    公开(公告)日:2020-01-16

    申请号:TW108113424

    申请日:2019-04-17

    IPC分类号: H01L23/528 H01L21/768

    摘要: 本揭露提供一種三維(3D)積體電路(IC)。在一些實施例中,一第一IC晶粒包括在一第一半導體基板上方之一第一接合結構及一第一互連結構。一第二IC晶粒放置於該第一IC晶粒上方且包括在一第二半導體基板上方之一第二接合結構及一第二互連結構。一密封環結構係在該第一IC晶粒及該第二IC晶粒中且自該第一半導體基板延伸至該第二半導體基板。複數個矽直通穿孔(TSV)耦合結構係沿著該密封環結構之一內周邊配置於該3D IC之周邊區域中。該複數個TSV耦合結構分別包括放置於該第二半導體基板中且透過TSV佈線層及導線間穿孔之一堆疊電耦合至該3D IC之一矽直通穿孔(TSV)。

    简体摘要: 本揭露提供一种三维(3D)集成电路(IC)。在一些实施例中,一第一IC晶粒包括在一第一半导体基板上方之一第一接合结构及一第一互链接构。一第二IC晶粒放置于该第一IC晶粒上方且包括在一第二半导体基板上方之一第二接合结构及一第二互链接构。一密封环结构系在该第一IC晶粒及该第二IC晶粒中且自该第一半导体基板延伸至该第二半导体基板。复数个硅直通穿孔(TSV)耦合结构系沿着该密封环结构之一内周边配置于该3D IC之周边区域中。该复数个TSV耦合结构分别包括放置于该第二半导体基板中且透过TSV布线层及导线间穿孔之一堆栈电耦合至该3D IC之一硅直通穿孔(TSV)。