-
公开(公告)号：TW201735306A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105133359
申请日：2016-10-14
发明人： 陳昇照 , CHEN, SHENG-CHAU , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 李名哲 , LEE, MING-JHE , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 周正賢 , CHOU, CHENG-HSIEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN , 杜友倫 , TU, YEUR-LUEN
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05016 , H01L2224/05017 , H01L2224/05019 , H01L2224/05082 , H01L2224/05088 , H01L2224/05091 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05557 , H01L2224/05559 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/0603 , H01L2224/06182 , H01L2224/13025 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9222 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/80 , H01L2224/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/03 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012
摘要： 本揭露提供一種半導體結構。該半導體結構包含一半導體基板；以及一互連件結構，在該半導體基板上方。該半導體結構也包含一接墊，在該半導體基板中且耦合至該互連件結構。該接墊包含兩個導電層。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体结构。该半导体结构包含一半导体基板；以及一互连件结构，在该半导体基板上方。该半导体结构也包含一接垫，在该半导体基板中且耦合至该互连件结构。该接垫包含两个导电层。
-
公开(公告)号：TW201727882A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134356
申请日：2016-10-24
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 本發明實施例係關於一種具有改良之DTI結構之BSI影像感測器及一種相關聯之形成方法。在一些實施例中，該BSI影像感測器包括被放置在對應於複數個像素區之一基板內的複數個影像感測元件。一深溝槽隔離件(DTI)柵格被放置在鄰近影像感測元件之間且自該基板之一上表面延伸至該基板內的位置。該DTI柵格包括經放置在該基板之該上表面下方的氣隙，該等氣隙具有由一第一介電層包圍的下部分及由一第二介電層密封的一些上部分。
简体摘要： 本发明实施例系关于一种具有改良之DTI结构之BSI影像传感器及一种相关联之形成方法。在一些实施例中，该BSI影像传感器包括被放置在对应于复数个像素区之一基板内的复数个影像传感组件。一深沟槽隔离件(DTI)栅格被放置在邻近影像传感组件之间且自该基板之一上表面延伸至该基板内的位置。该DTI栅格包括经放置在该基板之该上表面下方的气隙，该等气隙具有由一第一介电层包围的下部分及由一第二介电层密封的一些上部分。
-
公开(公告)号：TWI648837B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW105133359
申请日：2016-10-14
发明人： 陳昇照 , CHEN, SHENG-CHAU , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 李名哲 , LEE, MING-JHE , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 周正賢 , CHOU, CHENG-HSIEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN , 杜友倫 , TU, YEUR-LUEN
-
公开(公告)号：TW201739028A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105143700
申请日：2016-12-28
发明人： 陳如曦 , CHEN, JU-SHI , 何承穎 , HO, CHENG-YING , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN-CHIEH , 陳昇照 , CHEN, SHENG-CHAU , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 沈卉紋 , SHEN, HUI-WEN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768 , H01L25/04
CPC分类号： H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2225/1041 , H01L2225/1082
摘要： 改良形成3DIC裝置之半導體晶圓的混合接合產率之方法包含第一與第二晶圓具有在BEOL製程過程中沉積且圖案化的偽與主要金屬。偽金屬圖案的金屬佔據任何給定的偽金屬圖案區域的表面積約40%至約90%。高偽金屬表面覆蓋結合使用插槽傳導墊，允許晶圓表面之改良的平坦化用於混合接合。平坦化的晶圓具有最小的外形差異，對應於小於約400Å的階梯高度差異。平坦化的第一與第二晶圓對準，而後施加熱與壓力而混合接合；介電質至介電質，RDL至RDL。亦可使用微影控制實現約0.5 mm至約1.5 mm的WEE，以促進晶圓邊緣處的外形均勻性。用於混合接合之晶圓的改良平坦性造成所形成之3DIC裝置的改良接合均勻性。
简体摘要： 改良形成3DIC设备之半导体晶圆的混合接合产率之方法包含第一与第二晶圆具有在BEOL制程过程中沉积且图案化的伪与主要金属。伪金属图案的金属占据任何给定的伪金属图案区域的表面积约40%至约90%。高伪金属表面覆盖结合使用插槽传导垫，允许晶圆表面之改良的平坦化用于混合接合。平坦化的晶圆具有最小的外形差异，对应于小于约400Å的阶梯高度差异。平坦化的第一与第二晶圆对准，而后施加热与压力而混合接合；介电质至介电质，RDL至RDL。亦可使用微影控制实现约0.5 mm至约1.5 mm的WEE，以促进晶圆边缘处的外形均匀性。用于混合接合之晶圆的改良平坦性造成所形成之3DIC设备的改良接合均匀性。
-
公开(公告)号：TW201735307A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105137701
申请日：2016-11-17
发明人： 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 盧禎發 , LU, CHEN-FA , 盧玠甫 , LU, JIECH-FUN , 杜友倫 , TU, YEUR-LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA-SHIUNG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/32 , H01L21/76224 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481
摘要： 一種半導體結構包括：一基板，其包括一層間介電質(ILD)及經放置於該ILD上方之一矽層，其中該ILD包括經放置於其中之一導電結構；一介電層，其係放置於該矽層上方；及一導電插塞，其係與該導電結構電連接且自該介電層延伸穿過該矽層至該ILD，其中該導電插塞具有自該介電層伸展至該ILD之一長度，及沿著該長度實質上一致之一寬度。
简体摘要： 一种半导体结构包括：一基板，其包括一层间介电质(ILD)及经放置于该ILD上方之一硅层，其中该ILD包括经放置于其中之一导电结构；一介电层，其系放置于该硅层上方；及一导电插塞，其系与该导电结构电连接且自该介电层延伸穿过该硅层至该ILD，其中该导电插塞具有自该介电层伸展至该ILD之一长度，及沿着该长度实质上一致之一宽度。
-
公开(公告)号：TWI696242B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107133501
申请日：2018-09-21
发明人： 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 徐鴻文 , HSU, HUNG-WEN , 盧玠甫 , LU, JIECH-FUN , 鄭有宏 , CHENG, YU-HUNG , 林永隆 , LIN, YUNG-LUNG , 蔡敏瑛 , TSAI, MIN-YING
IPC分类号： H01L21/762
-
公开(公告)号：TWI677082B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107119482
申请日：2018-06-06
发明人： 曹淳凱 , TSAO, TSUN-KAI , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 盧玠甫 , LU, JIECH-FUN
IPC分类号： H01L27/146
-
公开(公告)号：TWI646599B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106126447
申请日：2017-08-04
发明人： 蘇慶忠 , SU, CHING-CHUNG , 徐鴻文 , HSU, HUNG-WEN , 盧玠甫 , LU, JIECH-FUN , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI
-
公开(公告)号：TWI587490B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102114135
申请日：2013-04-22
发明人： 陳愉婷 , CHEN, U TING , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 施宇豪 , SHIH, YU HAO , 王志謙 , WANG, CHIH CHIEN , 周世培 , CHOU, SHIH PEI , 黃爲棟 , HUANG, WEI TUNG , 吳政達 , WU, CHENG TA
CPC分类号： H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14689
-
公开(公告)号：TWI641123B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW104136618
申请日：2015-11-06
发明人： 徐鴻文 , HSU, HUNG WEN , 蘇慶忠 , SU, CHING CHUNG , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 盧玠甫 , LU, JIECH FUN , 周世培 , CHOU, SHIH PEI , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN
IPC分类号： H01L27/146
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.022 秒)
