公开(公告)号：TW201419457A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102133634

申请日：2013-09-17

Applicant: 國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY

Inventor： 小柳光正 ,  KOYANAGI, MITSUMASA ,  田中徹 ,  TANAKA, TETSU ,  福島譽史 ,  FUKUSHIMA, TAKAFUMI

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  B23K20/002 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  H01L21/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/32 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75723 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81904 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/67

Abstract: 本發明是一種晶片支持基板，具備有：親液性領域，形成於基板上且將晶片吸附；及電極，形成於前述基板上之前述親液性領域內，於前述晶片使靜電力發生。又，本發明是一種晶片支持方法，包含有以下步驟：於具備有形成於基板上之親液性領域、形成於前述基板上之前述親液性領域內之電極的晶片支持基板的前述親液性領域上，隔著液體配置晶片；藉由於前述電極施加電壓，於與前述電極對應之晶片使靜電力發生。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是一种芯片支持基板，具备有：亲液性领域，形成于基板上且将芯片吸附；及电极，形成于前述基板上之前述亲液性领域内，于前述芯片使静电力发生。又，本发明是一种芯片支持方法，包含有以下步骤：于具备有形成于基板上之亲液性领域、形成于前述基板上之前述亲液性领域内之电极的芯片支持基板的前述亲液性领域上，隔着液体配置芯片；借由于前述电极施加电压，于与前述电极对应之芯片使静电力发生。

公开(公告)号：TW201727776A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105139913

申请日：2016-12-02

Applicant: 國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY ,  富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

Inventor： 小柳光正 ,  KOYANAGI, MITSUMASA ,  田中徹 ,  TANAKA, TETSU ,  福島誉史 ,  FUKUSHIMA, TAKAFUMI ,  李康旭 ,  LEE, KANGWOOK ,  阿部洋史 ,  ABE, HIROFUMI ,  堀田吉則 ,  HOTTA, YOSHINORI

IPC: H01L21/50

CPC classification number: B23K20/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01R11/01 ,  H05K1/14

Abstract: 本發明提供一種可抑制製造成本且良率高的半導體元件及半導體元件的製造方法。本發明的半導體元件中，第1基體11及第2基體12彼此隔開間隔而配置，且分別在彼此相向的位置設有第1電極21c及第2電極22c。導體薄膜13具有包含絕緣體的片材狀基材23、與包含直徑為奈米尺寸的柱狀導體的多個連接柱24。基材23以填充彼此隔開間隔而平行配置的各連接柱24之間的方式而配置。各連接柱24以兩端部24a分別從基材23兩面突出的方式而設置。導體薄膜13配置在第1基體11與第2基體12之間，各連接柱24的兩端部24a分別接合於第1電極21c及第2電極22c，以將第1電極21c與第2電極22c電性連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可抑制制造成本且良率高的半导体组件及半导体组件的制造方法。本发明的半导体组件中，第1基体11及第2基体12彼此隔开间隔而配置，且分别在彼此相向的位置设有第1电极21c及第2电极22c。导体薄膜13具有包含绝缘体的片材状基材23、与包含直径为奈米尺寸的柱状导体的多个连接柱24。基材23以填充彼此隔开间隔而平行配置的各连接柱24之间的方式而配置。各连接柱24以两端部24a分别从基材23两面突出的方式而设置。导体薄膜13配置在第1基体11与第2基体12之间，各连接柱24的两端部24a分别接合于第1电极21c及第2电极22c，以将第1电极21c与第2电极22c电性连接。