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公开(公告)号：TWI538112B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW102139711
申请日：2013-11-01
发明人： 廖宗仁 , LIAO, TSUNG JEN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/495
CPC分类号： H01L25/105 , H01L23/3107 , H01L23/433 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/1191 , H01L2224/13147 , H01L2224/1626 , H01L2224/811 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2224/81904 , H01L2224/81951 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TWI517343B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103111063
申请日：2014-03-25
发明人： 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/28 , H01L25/04
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/768 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/528 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13147 , H01L2224/16113 , H01L2224/16227 , H01L2224/1623 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/211 , H01L2224/81005 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/8146 , H01L2224/81904 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06586 , H01L2225/06593 , H01L2924/01014 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028
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公开(公告)号：TW201537716A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103111063
申请日：2014-03-25
发明人： 許詩濱 , HSU, SHIH PING
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/768 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/528 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13147 , H01L2224/16113 , H01L2224/16227 , H01L2224/1623 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/211 , H01L2224/81005 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/8146 , H01L2224/81904 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06586 , H01L2225/06593 , H01L2924/01014 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028
摘要： 本發明揭示一種覆晶堆疊封裝結構及其製作方法。該覆晶堆疊封裝結構包含：一絕緣保護層；一導線層，包含至少一金屬走線，並設置於該絕緣保護層上；以及一第一封裝單元，包含複數個金屬柱狀物、一第一電路晶片、及一第一封膠，並設置於該導線層上，該等金屬柱狀物設置於一導柱區內並電性連接該至少一金屬走線，該第一電路晶片設置於一元件區內並電性連接該至少一金屬走線，該第一封膠充填於該第一封裝單元內該等金屬柱狀物以及該第一電路晶片以外的其餘部分。
简体摘要： 本发明揭示一种覆晶堆栈封装结构及其制作方法。该覆晶堆栈封装结构包含：一绝缘保护层；一导线层，包含至少一金属走线，并设置于该绝缘保护层上；以及一第一封装单元，包含复数个金属柱状物、一第一电路芯片、及一第一封胶，并设置于该导线层上，该等金属柱状物设置于一导柱区内并电性连接该至少一金属走线，该第一电路芯片设置于一组件区内并电性连接该至少一金属走线，该第一封胶充填于该第一封装单元内该等金属柱状物以及该第一电路芯片以外的其余部分。
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公开(公告)号：TW201519372A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102139711
申请日：2013-11-01
发明人： 廖宗仁 , LIAO, TSUNG JEN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/495
CPC分类号： H01L25/105 , H01L23/3107 , H01L23/433 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/1191 , H01L2224/13147 , H01L2224/1626 , H01L2224/811 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2224/81904 , H01L2224/81951 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本揭露提供一種引線框架之封裝結構，其包含一裸晶、一介電層、至少一導電柱、至少一引線框架以及至少一錫球。介電層設置於裸晶的表面上。至少一導電柱穿透介電層並設置該表面上。至少一引線框架設置於介電層上並與至少一導電柱間有一間隔。錫球填充該間隔並電性連接該至少一導電柱及該至少一引線框架。
简体摘要： 本揭露提供一种引线框架之封装结构，其包含一裸晶、一介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。介电层设置于裸晶的表面上。至少一导电柱穿透介电层并设置该表面上。至少一引线框架设置于介电层上并与至少一导电柱间有一间隔。锡球填充该间隔并电性连接该至少一导电柱及该至少一引线框架。
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公开(公告)号：TW201419457A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102133634
申请日：2013-09-17
申请人： 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人： 小柳光正 , KOYANAGI, MITSUMASA , 田中徹 , TANAKA, TETSU , 福島譽史 , FUKUSHIMA, TAKAFUMI
CPC分类号： H01L25/0657 , B23K20/002 , B23K20/023 , B23K20/16 , H01L21/52 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/3121 , H01L23/32 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/27436 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/75251 , H01L2224/75611 , H01L2224/75701 , H01L2224/75723 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/81002 , H01L2224/81121 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8138 , H01L2224/81395 , H01L2224/81904 , H01L2224/81907 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/83907 , H01L2224/9202 , H01L2224/95001 , H01L2224/95145 , H01L2224/95146 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2224/67
摘要： 本發明是一種晶片支持基板，具備有：親液性領域，形成於基板上且將晶片吸附；及電極，形成於前述基板上之前述親液性領域內，於前述晶片使靜電力發生。又，本發明是一種晶片支持方法，包含有以下步驟：於具備有形成於基板上之親液性領域、形成於前述基板上之前述親液性領域內之電極的晶片支持基板的前述親液性領域上，隔著液體配置晶片；藉由於前述電極施加電壓，於與前述電極對應之晶片使靜電力發生。
简体摘要： 本发明是一种芯片支持基板，具备有：亲液性领域，形成于基板上且将芯片吸附；及电极，形成于前述基板上之前述亲液性领域内，于前述芯片使静电力发生。又，本发明是一种芯片支持方法，包含有以下步骤：于具备有形成于基板上之亲液性领域、形成于前述基板上之前述亲液性领域内之电极的芯片支持基板的前述亲液性领域上，隔着液体配置芯片；借由于前述电极施加电压，于与前述电极对应之芯片使静电力发生。
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