公开(公告)号：TWI679707B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW107133230

申请日：2014-10-21

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  山出直人 ,  YAMADE, NAOTO ,  比嘉麻子 ,  HIGA, ASAKO ,  鈴木視喜 ,  SUZUKI, MIKI ,  家田義紀 ,  IEDA, YOSHINORI ,  鈴木康太 ,  SUZUKI, YASUTAKA ,  根井孝征 ,  NEI, KOSEI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8258

公开(公告)号：TW202005059A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108116298

申请日：2019-05-10

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一種能夠實現微型化或高積體化的半導體裝置。其包括第一導電體至第四導電體、第一絕緣體、第二絕緣體、第一氧化物、以及第二氧化物，其中，在第一導電體上配置第一絕緣體，在第一絕緣體上配置第一氧化物，在第一絕緣體及第一氧化物設置到達第一導電體的第一開口，在第一氧化物上配置彼此離開的第二導電體及第三導電體，第三導電體的至少一部分重疊於第一開口並接觸於第一導電體的頂面，在第一氧化物上以其至少一部分重疊於第二導電體和第三導電體之間的區域的方式配置第二氧化物，在第二氧化物上配置第二絕緣體，並且，在第二絕緣體上配置第四導電體。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种能够实现微型化或高积体化的半导体设备。其包括第一导电体至第四导电体、第一绝缘体、第二绝缘体、第一氧化物、以及第二氧化物，其中，在第一导电体上配置第一绝缘体，在第一绝缘体上配置第一氧化物，在第一绝缘体及第一氧化物设置到达第一导电体的第一开口，在第一氧化物上配置彼此离开的第二导电体及第三导电体，第三导电体的至少一部分重叠于第一开口并接触于第一导电体的顶面，在第一氧化物上以其至少一部分重叠于第二导电体和第三导电体之间的区域的方式配置第二氧化物，在第二氧化物上配置第二绝缘体，并且，在第二绝缘体上配置第四导电体。

公开(公告)号：TW201523885A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103136303

申请日：2014-10-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  山出直人 ,  YAMADE, NAOTO ,  比嘉麻子 ,  HIGA, ASAKO ,  鈴木視喜 ,  SUZUKI, MIKI ,  家田義紀 ,  IEDA, YOSHINORI ,  鈴木康太 ,  SUZUKI, YASUTAKA ,  根井孝征 ,  NEI, KOSEI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C23C14/086 ,  C23C14/351 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 在使用氧化物半導體的半導體裝置中提高電特性。本發明的一個方式的目的之一是提供一種電特性變動少且可靠性高的半導體裝置。本發明的一個方式包括：進行熱脫附譜分析時的400℃以上的任意溫度下的氫分子的脫離量為300℃下的氫分子的脫離量的130%以下的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第一障壁膜；第一障壁膜上的具有包含超過化學計量組成的氧的區域的第二絕緣膜；以及包括第二絕緣膜上的第一氧化物半導體膜的第一電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 在使用氧化物半导体的半导体设备中提高电特性。本发明的一个方式的目的之一是提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体设备。本发明的一个方式包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130%以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一障壁膜；第一障壁膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及包括第二绝缘膜上的第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：TW201832364A

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW107102738

申请日：2018-01-25

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  濱田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28

Abstract: 提供一種高性能的半導體裝置。提供一種半導體裝置，包括：電晶體；電晶體上的絕緣膜；電極；以及絕緣膜上的金屬氧化物，其中電晶體包括：第一閘極電極；第一閘極電極上的第一閘極絕緣膜；第一閘極絕緣膜上的氧化物；與氧化物電連接的源極電極及汲極電極；氧化物上的第二閘極絕緣膜；第二閘極絕緣膜上的第二閘極電極，電極具有與絕緣膜接觸的區域，第一閘極絕緣膜與絕緣膜接觸，第二閘極電極上的絕緣膜的厚度、源極電極上的絕緣膜的厚度以及汲極電極上的絕緣膜的厚度都大致相等，並且絕緣膜包含過量氧。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种高性能的半导体设备。提供一种半导体设备，包括：晶体管；晶体管上的绝缘膜；电极；以及绝缘膜上的金属氧化物，其中晶体管包括：第一闸极电极；第一闸极电极上的第一闸极绝缘膜；第一闸极绝缘膜上的氧化物；与氧化物电连接的源极电极及汲极电极；氧化物上的第二闸极绝缘膜；第二闸极绝缘膜上的第二闸极电极，电极具有与绝缘膜接触的区域，第一闸极绝缘膜与绝缘膜接触，第二闸极电极上的绝缘膜的厚度、源极电极上的绝缘膜的厚度以及汲极电极上的绝缘膜的厚度都大致相等，并且绝缘膜包含过量氧。

公开(公告)号：TWI644435B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：TW103136303

申请日：2014-10-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  山出直人 ,  YAMADE, NAOTO ,  比嘉麻子 ,  HIGA, ASAKO ,  鈴木視喜 ,  SUZUKI, MIKI ,  家田義紀 ,  IEDA, YOSHINORI ,  鈴木康太 ,  SUZUKI, YASUTAKA ,  根井孝征 ,  NEI, KOSEI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TW201806127A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106113973

申请日：2017-04-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI ,  畑勇気 ,  HATA, YUKI

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種能夠長期間保持資料的半導體裝置。第一電晶體及其電特性與第一電晶體不同的第二電晶體設置在同一層上，而不增加製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种能够长期间保持数据的半导体设备。第一晶体管及其电特性与第一晶体管不同的第二晶体管设置在同一层上，而不增加制程。

公开(公告)号：TW201532243A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103145518

申请日：2014-12-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/07 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明是一種具有第一電晶體以及在第一電晶體上之第二電晶體的半導體裝置。第一電晶體包括第一半導體，及第二電晶體包括不同於第一半導體之氧化物半導體。第一電晶體之閘極電性連接至第二電晶體之源極或汲極電極。第二電晶體具有包括在源極和汲極電極上之氧化物半導體的半導體層，以及在半導體層上並且有絕緣層在它們之中的閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是一种具有第一晶体管以及在第一晶体管上之第二晶体管的半导体设备。第一晶体管包括第一半导体，及第二晶体管包括不同于第一半导体之氧化物半导体。第一晶体管之闸极电性连接至第二晶体管之源极或汲极电极。第二晶体管具有包括在源极和汲极电极上之氧化物半导体的半导体层，以及在半导体层上并且有绝缘层在它们之中的闸极电极。