公开(公告)号：TW201801189A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106104930

申请日：2017-02-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L21/385 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/44 ,  H01L21/443 ,  H01L21/4757 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明的目的之一是提高具有氧化物半導體膜的電晶體的場效移動率及其可靠性。本發明的一個實施方式是一種包括氧化物半導體膜的半導體裝置，該半導體裝置包括：第一絕緣膜；第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；氧化物半導體膜上的第二絕緣膜及第三絕緣膜；以及第二絕緣膜上的閘極電極。第二絕緣膜包括氧氮化矽膜，當藉由氧電漿處理使第二絕緣膜包含過量氧時，可以對氧化物半導體膜高效地供應氧。

简体摘要： 本发明的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效移动率及其可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体设备，该半导体设备包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的闸极电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜，当借由氧等离子处理使第二绝缘膜包含过量氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。

公开(公告)号：TWI419209B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：TW100113911

申请日：2011-04-21

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI372081B

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：TW099102945

申请日：2010-02-02

申请人： 漢民科技股份有限公司

发明人： 黃建評 ,  黃燦華

IPC分类号： B05B

CPC分类号： B05B1/185 ,  B23P15/16 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  Y10T29/49432 ,  Y10T29/49433

摘要： 本發明揭露一種氣體噴頭，該氣體噴頭包含一底板、至少一隔板以及一頂板。底板具有複數之通氣管，其中，該等通氣管係一體成型於底板，該等通氣管具有至少一第一通氣管；至少一隔板包含一第一隔板，該第一隔板具有複數之第一孔洞，其中，該等通氣管穿過該等第一孔洞；頂板結合於該底板。

简体摘要： 本发明揭露一种气体喷头，该气体喷头包含一底板、至少一隔板以及一顶板。底板具有复数之通气管，其中，该等通气管系一体成型于底板，该等通气管具有至少一第一通气管；至少一隔板包含一第一隔板，该第一隔板具有复数之第一孔洞，其中，该等通气管穿过该等第一孔洞；顶板结合于该底板。

公开(公告)号：TWI588910B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105124614

申请日：2012-11-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 惠木勇司 ,  EGI, YUJI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TW201403689A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102134513

申请日：2011-04-21

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

摘要： 所公開的發明的一種方式是一種半導體裝置的製造方法，其包括如下步驟：形成第一絕緣膜；對第一絕緣膜進行氧摻雜處理來對第一絕緣膜供給氧；在第一絕緣膜上形成源極電極、汲極電極及與源極電極及汲極電極電連接的氧化物半導體膜；對氧化物半導體膜進行熱處理以去除氧化物半導體膜中的氫原子；在氧化物半導體膜上形成第二絕緣膜；以及在第二絕緣膜上的與氧化物半導體膜重疊的區域上形成閘極電極。利用該製造方法可以形成包括具有穩定的電特性及高可靠性的氧化物半導體的半導體裝置。

简体摘要： 所公开的发明的一种方式是一种半导体设备的制造方法，其包括如下步骤：形成第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧；在第一绝缘膜上形成源极电极、汲极电极及与源极电极及汲极电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成闸极电极。利用该制造方法可以形成包括具有稳定的电特性及高可靠性的氧化物半导体的半导体设备。

公开(公告)号：TW200612563A

公开(公告)日：2006-04-16

申请号：TW094128028

申请日：2005-08-17

申请人： 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

发明人： 瑪德洛維斯 彼得 MARDILOVICH, PETER ,  賀夫曼 蘭迪 HOFFMAN, RANDY ,  赫曼 葛瑞哥里 HERMAN, GREGORY

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/022 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/4757 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0537

摘要： 說明形成一種以溶液加工之元件之方法、裝置、元件及／或系統之具體例。

简体摘要： 说明形成一种以溶液加工之组件之方法、设备、组件及／或系统之具体例。

公开(公告)号：TWI556319B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW101142605

申请日：2012-11-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 惠木勇司 ,  EGI, YUJI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TW201330114A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101142605

申请日：2012-11-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 惠木勇司 ,  EGI, YUJI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

摘要： 本發明以高良率提供即使具有微型的結構也具有高電特性的電晶體。本發明在包括該電晶體的半導體裝置中也實現高性能化、高可靠性化及高生產化。在具有依次層疊有氧化物半導體層、閘極絕緣層及在側面設置有側壁絕緣層的閘極電極層的電晶體的半導體裝置中，以與氧化物半導體層及側壁絕緣層接觸的方式設置源極電極層及汲極電極層。在該半導體裝置的製程中，以覆蓋氧化物半導體層、側壁絕緣層及閘極電極層上的方式層疊導電層及層間絕緣層，藉由化學機械拋光法去除閘極電極層上的層間絕緣層及導電層，來形成源極電極層及汲極電極層。在形成閘極絕緣層之前，對氧化物半導體層進行洗滌處理。

简体摘要： 本发明以高良率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体设备中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、闸极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的闸极电极层的晶体管的半导体设备中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源极电极层及汲极电极层。在该半导体设备的制程中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及闸极电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，借由化学机械抛光法去除闸极电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源极电极层及汲极电极层。在形成闸极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

公开(公告)号：TW201127494A

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：TW099102945

申请日：2010-02-02

申请人： 漢民科技股份有限公司

发明人： 黃建評 ,  黃燦華

IPC分类号： B05B

CPC分类号： B05B1/185 ,  B23P15/16 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  Y10T29/49432 ,  Y10T29/49433

摘要： 本發明揭露一種氣體噴頭，該氣體噴頭包含一底板、至少一隔板以及一頂板。底板具有複數之通氣管，其中，該等通氣管係一體成型於底板，該等通氣管具有至少一第一通氣管；至少一隔板包含一第一隔板，該第一隔板具有複數之第一孔洞，其中，該等通氣管穿過該等第一孔洞；頂板結合於該底板。

简体摘要： 本发明揭露一种气体喷头，该气体喷头包含一底板、至少一隔板以及一顶板。底板具有复数之通气管，其中，该等通气管系一体成型于底板，该等通气管具有至少一第一通气管；至少一隔板包含一第一隔板，该第一隔板具有复数之第一孔洞，其中，该等通气管穿过该等第一孔洞；顶板结合于该底板。

公开(公告)号：TW201640588A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105124614

申请日：2012-11-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 惠木勇司 ,  EGI, YUJI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

摘要： 本發明以高良率提供即使具有微型的結構也具有高電特性的電晶體。本發明在包括該電晶體的半導體裝置中也實現高性能化、高可靠性化及高生產化。在具有依次層疊有氧化物半導體層、閘極絕緣層及在側面設置有側壁絕緣層的閘極電極層的電晶體的半導體裝置中，以與氧化物半導體層及側壁絕緣層接觸的方式設置源極電極層及汲極電極層。在該半導體裝置的製程中，以覆蓋氧化物半導體層、側壁絕緣層及閘極電極層上的方式層疊導電層及層間絕緣層，藉由化學機械拋光法去除閘極電極層上的層間絕緣層及導電層，來形成源極電極層及汲極電極層。在形成閘極絕緣層之前，對氧化物半導體層進行洗滌處理。

简体摘要： 本发明以高良率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体设备中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、闸极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的闸极电极层的晶体管的半导体设备中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源极电极层及汲极电极层。在该半导体设备的制程中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及闸极电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，借由化学机械抛光法去除闸极电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源极电极层及汲极电极层。在形成闸极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。