公开(公告)号：TW202005059A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108116298

申请日：2019-05-10

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一種能夠實現微型化或高積體化的半導體裝置。其包括第一導電體至第四導電體、第一絕緣體、第二絕緣體、第一氧化物、以及第二氧化物，其中，在第一導電體上配置第一絕緣體，在第一絕緣體上配置第一氧化物，在第一絕緣體及第一氧化物設置到達第一導電體的第一開口，在第一氧化物上配置彼此離開的第二導電體及第三導電體，第三導電體的至少一部分重疊於第一開口並接觸於第一導電體的頂面，在第一氧化物上以其至少一部分重疊於第二導電體和第三導電體之間的區域的方式配置第二氧化物，在第二氧化物上配置第二絕緣體，並且，在第二絕緣體上配置第四導電體。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种能够实现微型化或高积体化的半导体设备。其包括第一导电体至第四导电体、第一绝缘体、第二绝缘体、第一氧化物、以及第二氧化物，其中，在第一导电体上配置第一绝缘体，在第一绝缘体上配置第一氧化物，在第一绝缘体及第一氧化物设置到达第一导电体的第一开口，在第一氧化物上配置彼此离开的第二导电体及第三导电体，第三导电体的至少一部分重叠于第一开口并接触于第一导电体的顶面，在第一氧化物上以其至少一部分重叠于第二导电体和第三导电体之间的区域的方式配置第二氧化物，在第二氧化物上配置第二绝缘体，并且，在第二绝缘体上配置第四导电体。

公开(公告)号：TWI453863B

公开(公告)日：2014-09-21

申请号：TW097138995

申请日：2008-10-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

公开(公告)号：TWI450360B

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：TW097109890

申请日：2008-03-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  飯窪陽一 ,  IIKUBO, YOICHI

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84

公开(公告)号：TWI514520B

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：TW097120754

申请日：2008-06-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/112 ,  H01L27/1122 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

公开(公告)号：TWI469330B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW097135189

申请日：2008-09-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  飯窪陽一 ,  IIKUBO, YOICHI ,  山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  牧野賢一郎 ,  MAKINO, KENICHIRO ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  比嘉榮二 ,  HIGA, EIJI ,  溝井達也 ,  MIZOI, TATSUYA ,  永野庸治 ,  NAGANO, YOJI ,  井坂史人 ,  ISAKA, FUMITO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

公开(公告)号：TWI421981B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW096118218

申请日：2007-05-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/31 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

公开(公告)号：TWI569503B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW101144295

申请日：2012-11-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 掛端哲 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  田島亮太 ,  TAJIMA, RYOTA ,  小國哲平 ,  OGUNI, TEPPEI ,  長多剛 ,  OSADA, TAKESHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  足立駿介 ,  ADACHI, SHUNSUKE ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/78 ,  H01M4/583

CPC classification number: H01M4/70 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/045 ,  H01M4/0457 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/62 ,  H01M4/625 ,  H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027

公开(公告)号：TW201448114A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103120696

申请日：2008-03-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  飯窪陽一 ,  IIKUBO, YOICHI

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84

Abstract: 本發明提供一種SOI基板，該SOI基板具有的SOI層於使用如玻璃基板等溫度上限低的基板的時候也可以實用。另外，本發明還提供使用這種SOI基板的半導體裝置。當對具有絕緣表面的基板或絕緣基板接合單晶半導體層時，於形成接合的一面或雙面使用以有機矽烷為原材料所成氧化矽膜。根據本發明，可以使用溫度上限為700℃以下的基板，例如，玻璃基板，來獲得堅固地接合的SOI層。亦即，可以在各邊超過一米的大面積基板上形成單晶半導體層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种SOI基板，该SOI基板具有的SOI层于使用如玻璃基板等温度上限低的基板的时候也可以实用。另外，本发明还提供使用这种SOI基板的半导体设备。当对具有绝缘表面的基板或绝缘基板接合单晶半导体层时，于形成接合的一面或双面使用以有机硅烷为原材料所成氧化硅膜。根据本发明，可以使用温度上限为700℃以下的基板，例如，玻璃基板，来获得坚固地接合的SOI层。亦即，可以在各边超过一米的大面积基板上形成单晶半导体层。

公开(公告)号：TWI438864B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：TW097124555

申请日：2008-06-30

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  牧野賢一郎 ,  MAKINO, KENICHIRO

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76254

公开(公告)号：TWI549223B

公开(公告)日：2016-09-11

申请号：TW103120696

申请日：2008-03-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  飯窪陽一 ,  IIKUBO, YOICHI

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84