公开(公告)号：TW201838179A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106112076

申请日：2017-04-11

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置、可靠性高的半導體裝置、功耗低的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣層；第一絕緣層上的金屬氧化物層；金屬氧化物層上的一對電極；以及一對電極上的第二絕緣層，其中，第一絕緣層包括第一區域及第二區域，第一區域與金屬氧化物層接觸，且包括其氧含量比第二區域多的區域，第二區域包括其氮含量比第一區域多的區域，金屬氧化物層在膜厚度方向上至少具有氧的濃度梯度，並且，氧濃度在第一區域一側及第二絕緣層一側較高。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备、可靠性高的半导体设备、功耗低的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

公开(公告)号：TW201812419A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106123078

申请日：2017-07-10

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/46 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/18 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供生產率高的電晶體及其製造方法。在作為形成通道的半導體層使用金屬氧化物層的底閘極結構的電晶體中，在形成包含氮化矽的閘極絕緣層之後，在同一處理室內在包含氧的氛圍下連續地進行電漿處理。然後，形成金屬氧化物層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供生产率高的晶体管及其制造方法。在作为形成信道的半导体层使用金属氧化物层的底闸极结构的晶体管中，在形成包含氮化硅的闸极绝缘层之后，在同一处理室内在包含氧的氛围下连续地进行等离子处理。然后，形成金属氧化物层。

公开(公告)号：TW201812418A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106145546

申请日：2013-07-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248

Abstract: 本發明的顯示裝置包括：形成有與像素區域的外側相鄰並包括將信號供應到包括在像素區域的各像素中的第一電晶體的至少一個第二電晶體的驅動電路區域的第一基板；與第一基板相對的第二基板；以及被夾持在第一基板與第二基板之間的液晶層，其中還包括：第一電晶體及第二電晶體上的使用無機絕緣材料而形成的第一層間絕緣膜；第一層間絕緣膜上的使用有機絕緣材料而形成的第二層間絕緣膜；以及第二層間絕緣膜上的使用無機絕緣材料而形成的第三層間絕緣膜，並且第三層間絕緣膜設置在該像素區域中的一部分並具有比驅動電路區域更內側的端部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的显示设备包括：形成有与像素区域的外侧相邻并包括将信号供应到包括在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一基板；与第一基板相对的第二基板；以及被夹持在第一基板与第二基板之间的液晶层，其中还包括：第一晶体管及第二晶体管上的使用无机绝缘材料而形成的第一层间绝缘膜；第一层间绝缘膜上的使用有机绝缘材料而形成的第二层间绝缘膜；以及第二层间绝缘膜上的使用无机绝缘材料而形成的第三层间绝缘膜，并且第三层间绝缘膜设置在该像素区域中的一部分并具有比驱动电路区域更内侧的端部。

公开(公告)号：TWI450387B

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：TW096135534

申请日：2007-09-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 江口晉吾 ,  EGUCHI, SHINGO ,  門馬洋平 ,  MONMA, YOHEI ,  谷敦弘 ,  TANI, ATSUHIRO ,  廣末美佐子 ,  HIROSUE, MISAKO ,  橋本健一 ,  HASHIMOTO, KENICHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

公开(公告)号：TW201640650A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105110928

申请日：2016-04-07

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  後藤尚人 ,  GOTO, NAOTO ,  井口貴弘 ,  IGUCHI, TAKAHIRO ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L27/105 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/323 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種包括具有導電性的氧化物半導體膜的觸控面板。一種包括電晶體、第二絕緣膜以及觸控感測器的觸控面板，該觸控面板包括閘極電極、閘極絕緣膜、第一氧化物半導體膜、源極電極及汲極電極、第一絕緣膜以及第二氧化物半導體膜，第二絕緣膜設置在第二氧化物半導體膜上，使得第二氧化物半導體膜位於第一絕緣膜與第二絕緣膜之間，觸控感測器包括第一電極及第二電極，第一電極和第二電極中的任一個包括第二氧化物半導體膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种包括具有导电性的氧化物半导体膜的触摸皮肤。一种包括晶体管、第二绝缘膜以及触摸传感器的触摸皮肤，该触摸皮肤包括闸极电极、闸极绝缘膜、第一氧化物半导体膜、源极电极及汲极电极、第一绝缘膜以及第二氧化物半导体膜，第二绝缘膜设置在第二氧化物半导体膜上，使得第二氧化物半导体膜位于第一绝缘膜与第二绝缘膜之间，触摸传感器包括第一电极及第二电极，第一电极和第二电极中的任一个包括第二氧化物半导体膜。

公开(公告)号：TW201637203A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105105975

申请日：2016-02-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  井口貴弘 ,  IGUCHI, TAKAHIRO ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/24 ,  H01L21/469 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括氧化物半導體膜的電晶體中，抑制電特性的變動。電晶體包括第一閘極電極、第一絕緣膜、氧化物半導體膜、源極電極、汲極電極、第二絕緣膜、第二閘極電極以及第三絕緣膜。氧化物半導體膜包括第一閘極電極一側的第一氧化物半導體膜及第一氧化物半導體膜上的第二氧化物半導體膜。第一氧化物半導體膜及第二氧化物半導體膜包含In、M(M為Al、Ga、Y或Sn)及Zn。在第二氧化物半導體膜的區域中，In的原子個數少於第一氧化物半導體膜。第二閘極電極包含氧化物半導體膜中的金屬元素中的至少一個。

Abstract in simplified Chinese: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一闸极电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源极电极、汲极电极、第二绝缘膜、第二闸极电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一闸极电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二闸极电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：TW201528505A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103140067

申请日：2014-11-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明的一個方式提供一種新穎半導體裝置，其中在使用氧化物半導體膜的電晶體中將含銅(Cu)的金屬膜用於佈線或信號線等。該半導體裝置包括絕緣表面上的具有導電性的氧化物半導體膜以及接觸於具有導電性的氧化物半導體膜的導電膜，其中該導電膜包括Cu-X合金膜(X為Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体设备，其中在使用氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体设备包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜，其中该导电膜包括Cu-X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：TW201521205A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103134270

申请日：2014-10-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/28 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 在使用包括氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中，抑制電特性變動並提高可靠性。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：絕緣表面上的閘極電極；與閘極電極重疊的氧化物半導體膜；在閘極電極與氧化物半導體膜之間且與氧化物半導體膜表面接觸的閘極絕緣膜；接觸於與氧化物半導體膜表面相反的面的保護膜；以及接觸於氧化物半導體膜的一對電極，其中，在閘極絕緣膜或者保護膜中，藉由加熱處理釋放的質荷比m/z=17的氣體的釋放量多於藉由加熱處理釋放的氮氧化物的釋放量。

Abstract in simplified Chinese: 在使用包括氧化物半导体的晶体管的半导体设备中，抑制电特性变动并提高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：绝缘表面上的闸极电极；与闸极电极重叠的氧化物半导体膜；在闸极电极与氧化物半导体膜之间且与氧化物半导体膜表面接触的闸极绝缘膜；接触于与氧化物半导体膜表面相反的面的保护膜；以及接触于氧化物半导体膜的一对电极，其中，在闸极绝缘膜或者保护膜中，借由加热处理释放的质荷比m/z=17的气体的释放量多于借由加热处理释放的氮氧化物的释放量。

公开(公告)号：TWI688102B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW103134270

申请日：2014-10-01

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TWI686870B

公开(公告)日：2020-03-01

申请号：TW105105903

申请日：2016-02-26

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  井口貴弘 ,  IGUCHI, TAKAHIRO ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368