利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

123 records (took 0.064 seconds)

    顯示裝置及電子裝置
    1.
    发明专利
    顯示裝置及電子裝置 审中-公开
    显示设备及电子设备

    公开(公告)号：TW201826509A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106130878

    申请日：2017-09-08

    Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

    IPC: H01L27/12 ,  H01L29/12

    Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的顯示裝置。該顯示裝置包括像素部以及驅動該像素部的驅動電路，驅動電路包括雙閘極結構的第一電晶體，像素部包括單閘極結構的第二電晶體及與第二電晶體電連接的像素電極。第一電晶體及第二電晶體的每一個包括具有通道的功能的第一金屬氧化物膜。各金屬氧化物膜包括第一區域及第二區域，第一區域包含In或者Zn、以及氧，第二區域包含In或者元素M、以及氧，並且，第一區域及第二區域以馬賽克狀分散或者分佈。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种新颖的显示设备。该显示设备包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路，驱动电路包括双闸极结构的第一晶体管，像素部包括单闸极结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括具有信道的功能的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域，第一区域包含In或者Zn、以及氧，第二区域包含In或者元素M、以及氧，并且，第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。

    半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201838179A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：TW106112076

    申请日：2017-04-11

    Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

    Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置、可靠性高的半導體裝置、功耗低的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣層；第一絕緣層上的金屬氧化物層；金屬氧化物層上的一對電極；以及一對電極上的第二絕緣層，其中，第一絕緣層包括第一區域及第二區域，第一區域與金屬氧化物層接觸，且包括其氧含量比第二區域多的區域，第二區域包括其氮含量比第一區域多的區域，金屬氧化物層在膜厚度方向上至少具有氧的濃度梯度，並且，氧濃度在第一區域一側及第二絕緣層一側較高。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备、可靠性高的半导体设备、功耗低的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

    半導體裝置
    6.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201921703A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW108104981

    申请日：2015-01-26

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: H01L29/786

    Abstract: 本發明的一個方式提供一種使用氧化物半導體的通態電流較大的半導體裝置。該半導體裝置包括設置在驅動電路部的第一電晶體及設置在像素部的第二電晶體，第一電晶體與第二電晶體的結構不同。另外，第一電晶體及第二電晶體是頂閘極結構的電晶體，並在氧化物半導體膜中的不與閘極電極重疊的區域中包含雜質元素。在氧化物半導體膜中，包含雜質元素的區域具有低電阻區域的功能。另外，在氧化物半導體膜中，包含雜質元素的區域與包含氫的膜接觸。另外，設置在驅動電路部的第一電晶體可以包括層疊有第一膜及第二膜的氧化物半導體膜，設置在像素部的第二電晶體也可以包括其金屬元素的原子個數比與第一膜不同的氧化物半導體膜。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种使用氧化物半导体的通态电流较大的半导体设备。该半导体设备包括设置在驱动电路部的第一晶体管及设置在像素部的第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管的结构不同。另外，第一晶体管及第二晶体管是顶闸极结构的晶体管，并在氧化物半导体膜中的不与闸极电极重叠的区域中包含杂质元素。在氧化物半导体膜中，包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，在氧化物半导体膜中，包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，设置在驱动电路部的第一晶体管可以包括层叠有第一膜及第二膜的氧化物半导体膜，设置在像素部的第二晶体管也可以包括其金属元素的原子个数比与第一膜不同的氧化物半导体膜。

    半導體裝置的製造方法
    7.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201839861A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW107107928

    申请日：2012-03-06

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  佐藤惠司 ,  SATO, KEIJI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    Abstract: 本發明的目的之一是對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性來提供可靠性高的半導體裝置。在包括氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，對氧化物半導體膜進行氧摻雜處理，然後對氧化物半導體膜及設置在氧化物半導體膜上的氧化鋁膜進行熱處理，來形成包括含有超過化學計量組成比的氧的區域的氧化物半導體膜。在使用該氧化物半導體膜的電晶體中，臨界電壓的變化量在偏壓-熱壓力測試(BT測試)前後也得到降低，從而可以形成可靠性高的電晶體。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性来提供可靠性高的半导体设备。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，对氧化物半导体膜进行氧掺杂处理，然后对氧化物半导体膜及设置在氧化物半导体膜上的氧化铝膜进行热处理，来形成包括含有超过化学计量组成比的氧的区域的氧化物半导体膜。在使用该氧化物半导体膜的晶体管中，临界电压的变化量在偏压-热压力测试(BT测试)前后也得到降低，从而可以形成可靠性高的晶体管。

    半導體裝置的製造方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201832293A

    公开(公告)日：2018-09-01

    申请号：TW107117085

    申请日：2012-06-05

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

    Abstract: 本發明提供一種使用具有高導通特性的氧化物半導體的電晶體。本發明提供一種具有能夠進行高速回應及高速驅動的電晶體的高性能的半導體裝置。電晶體包括具有通道形成區的氧化物半導體膜及包含金屬元素及摻雜劑的低電阻區。通道形成區在通道長度方向上位於低電阻區之間。在電晶體的製造方法中，在與包含金屬元素的膜接觸的狀態下利用加熱處理引入金屬元素，並且利用注入法透過該金屬元素的膜引入摻雜劑，而形成包含金屬元素及摻雜劑的低電阻區。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用具有高导通特性的氧化物半导体的晶体管。本发明提供一种具有能够进行高速回应及高速驱动的晶体管的高性能的半导体设备。晶体管包括具有信道形成区的氧化物半导体膜及包含金属元素及掺杂剂的低电阻区。信道形成区在信道长度方向上位于低电阻区之间。在晶体管的制造方法中，在与包含金属元素的膜接触的状态下利用加热处理引入金属元素，并且利用注入法透过该金属元素的膜引入掺杂剂，而形成包含金属元素及掺杂剂的低电阻区。

Patent Agency Ranking