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    顯示裝置及電子裝置
    1.
    发明专利
    顯示裝置及電子裝置 审中-公开
    显示设备及电子设备

    公开(公告)号：TW201826509A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106130878

    申请日：2017-09-08

    Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

    IPC: H01L27/12 ,  H01L29/12

    Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的顯示裝置。該顯示裝置包括像素部以及驅動該像素部的驅動電路，驅動電路包括雙閘極結構的第一電晶體，像素部包括單閘極結構的第二電晶體及與第二電晶體電連接的像素電極。第一電晶體及第二電晶體的每一個包括具有通道的功能的第一金屬氧化物膜。各金屬氧化物膜包括第一區域及第二區域，第一區域包含In或者Zn、以及氧，第二區域包含In或者元素M、以及氧，並且，第一區域及第二區域以馬賽克狀分散或者分佈。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种新颖的显示设备。该显示设备包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路，驱动电路包括双闸极结构的第一晶体管，像素部包括单闸极结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括具有信道的功能的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域，第一区域包含In或者Zn、以及氧，第二区域包含In或者元素M、以及氧，并且，第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。

    半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201838179A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：TW106112076

    申请日：2017-04-11

    Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

    Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置、可靠性高的半導體裝置、功耗低的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣層；第一絕緣層上的金屬氧化物層；金屬氧化物層上的一對電極；以及一對電極上的第二絕緣層，其中，第一絕緣層包括第一區域及第二區域，第一區域與金屬氧化物層接觸，且包括其氧含量比第二區域多的區域，第二區域包括其氮含量比第一區域多的區域，金屬氧化物層在膜厚度方向上至少具有氧的濃度梯度，並且，氧濃度在第一區域一側及第二絕緣層一側較高。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备、可靠性高的半导体设备、功耗低的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

    半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202005099A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108113891

    申请日：2019-04-19

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

    Abstract: 提供一種電特性良好的半導體裝置。提供一種電特性穩定的半導體裝置。半導體裝置包括絕緣表面上的第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體及第二電晶體分別包括第一絕緣層、第一絕緣層上的半導體層、半導體層上的第二絕緣層以及隔著第二絕緣層與半導體層重疊的第一導電層。第一絕緣層具有與半導體層重疊的凸狀的第一區域及不與半導體層重疊且厚度比第一區域薄的第二區域。第一導電層具有第二區域上的第一導電層的底面位於比半導體層的底面更低處的部分。此外，第二電晶體還具有第三導電層，該第三導電層隔著第一絕緣層與半導體層重疊。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种电特性良好的半导体设备。提供一种电特性稳定的半导体设备。半导体设备包括绝缘表面上的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管分别包括第一绝缘层、第一绝缘层上的半导体层、半导体层上的第二绝缘层以及隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第一导电层。第一绝缘层具有与半导体层重叠的凸状的第一区域及不与半导体层重叠且厚度比第一区域薄的第二区域。第一导电层具有第二区域上的第一导电层的底面位于比半导体层的底面更低处的部分。此外，第二晶体管还具有第三导电层，该第三导电层隔着第一绝缘层与半导体层重叠。

    發光裝置及其製造方法
    8.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202004922A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108120329

    申请日：2010-09-01

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

    Abstract: 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

    Abstract in simplified Chinese: 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。

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