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公开(公告)号：TWI643459B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW103129547
申请日：2014-08-27
Inventor： 前橋幸男 , MAEHASHI, YUKIO , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 上杉航 , UESUGI, WATARU
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公开(公告)号：TWI639150B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW106114318
申请日：2012-11-14
Inventor： 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO , 小山潤 , KOYAMA, JUN
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公开(公告)号：TWI697235B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW105112272
申请日：2016-04-20
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
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公开(公告)号：TW201830364A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106144066
申请日：2017-12-15
Inventor： 岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是高速且低功耗地進行按照顯示裝置的形狀的影像處理，而不使用大規模圖框記憶體和高處理量GPU。本發明的一個實施方式是一種資料轉換電路，包括：閂鎖電路，該閂鎖電路與寫入時脈信號同步地從輸入資料提取資料，並儲存該資料作為寫入資料；記憶體電路，該記憶體電路儲存寫入資料，並與讀出時脈信號同步地將寫入資料作為讀出資料輸出到外部電路；以及時脈選擇控制電路，其中，根據時脈選擇控制電路的控制而輸出的寫入時脈信號為具有不同頻率的多個時脈信號中的任一個。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是高速且低功耗地进行按照显示设备的形状的影像处理，而不使用大规模图框内存和高处理量GPU。本发明的一个实施方式是一种数据转换电路，包括：闩锁电路，该闩锁电路与写入时脉信号同步地从输入数据提取数据，并存储该数据作为写入数据；内存电路，该内存电路存储写入数据，并与读出时脉信号同步地将写入数据作为读出数据输出到外部电路；以及时脉选择控制电路，其中，根据时脉选择控制电路的控制而输出的写入时脉信号为具有不同频率的多个时脉信号中的任一个。
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公开(公告)号：TW201818416A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106138365
申请日：2017-11-07
Inventor： 池田之 , IKEDA, TAKAYUKI , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI
Abstract: 本發明提供一種可靠性高的半導體裝置。記憶單元包括第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體的源極和汲極中的一個與第二電晶體的閘極電連接。第一電晶體在關閉狀態下保持對應於記憶單元中儲存的第一資料的電荷。資料寫入電路將第一資料及校正用資料寫入記憶單元。資料讀出電路在讀出對應於第一資料的第一電壓值之後，讀出對應於寫入到記憶單元的校正用資料的第二電壓值，將相當於第一電壓值與第二電壓值之差分的電壓值轉換為校正後的第一資料，將校正後的第一資料輸出到資料寫入電路。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可靠性高的半导体设备。记忆单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管的源极和汲极中的一个与第二晶体管的闸极电连接。第一晶体管在关闭状态下保持对应于记忆单元中存储的第一数据的电荷。数据写入电路将第一数据及校正用数据写入记忆单元。数据读出电路在读出对应于第一数据的第一电压值之后，读出对应于写入到记忆单元的校正用数据的第二电压值，将相当于第一电压值与第二电压值之差分的电压值转换为校正后的第一数据，将校正后的第一数据输出到数据写入电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI570743B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101116348
申请日：2012-05-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI
CPC classification number: G11C14/0054 , H01L27/1225
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公开(公告)号：TWI565003B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW101107165
申请日：2012-03-03
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/8252 , H01L23/5222 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L27/0605 , H01L27/0733 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/41758 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H02J50/12 , H03C2200/0029 , H03H7/1741 , H03J1/00 , H03J3/10 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI562289B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101118193
申请日：2012-05-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H03K19/173 , G06F1/3243 , G06F3/0679 , H03K19/17772 , Y02D10/152
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公开(公告)号：TWI525615B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101114533
申请日：2012-04-24
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO
IPC: G11C11/40 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , G11C19/184 , G11C19/28 , H03K3/356008
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公开(公告)号：TW201303877A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101112258
申请日：2012-04-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: G11C16/20
CPC classification number: H03K19/17796 , G11C16/0433 , H01L27/11803 , H01L27/1203
Abstract: 本發明提供一種低電力可程式化LSI，其可執行動態組態。該可程式化LSI包括複數邏輯元件。該複數邏輯元件各包括組態記憶體。每一該複數邏輯元件根據儲存於該組態記憶體中之該組態資料而執行不同算術處理，並改變該邏輯元件之間之電連接。該組態記憶體包括一組揮發性儲存電路及非揮發性儲存電路。該非揮發性儲存電路包括電晶體，其通道係形成於氧化物半導體層中，以及電容器，其一對電極之一電連接至當該電晶體關閉時設定處於浮動狀態之節點。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种低电力可进程化LSI，其可运行动态组态。该可进程化LSI包括复数逻辑组件。该复数逻辑组件各包括组态内存。每一该复数逻辑组件根据存储于该组态内存中之该组态数据而运行不同算术处理，并改变该逻辑组件之间之电连接。该组态内存包括一组挥发性存储电路及非挥发性存储电路。该非挥发性存储电路包括晶体管，其信道系形成于氧化物半导体层中，以及电容器，其一对电极之一电连接至当该晶体管关闭时设置处于浮动状态之节点。
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