公开(公告)号：TWI685878B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105134855

申请日：2016-10-27

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/463 ,  H01L21/467 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI644437B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：TW106116727

申请日：2013-09-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  津吹将志 ,  TSUBUKU, MASASHI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TW201737490A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106111181

申请日：2011-01-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  三上真弓 ,  MIKAMI, MAYUMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種維持良好的特性並實現微細化的使用氧化物半導體的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與所述氧化物半導體層接觸的源極電極及汲極電極；與所述氧化物半導體層重疊的閘極電極；以及設置在所述氧化物半導體層和所述閘極電極之間的閘極絕緣層，其中，所述源極電極及所述汲極電極包括第一導電層和具有從所述第一導電層的端部向通道長度方向延伸的區域的第二導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微细化的使用氧化物半导体的半导体设备。一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源极电极及汲极电极；与所述氧化物半导体层重叠的闸极电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述闸极电极之间的闸极绝缘层，其中，所述源极电极及所述汲极电极包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向信道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：TW201709348A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105120952

申请日：2016-07-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136

Abstract: 本發明的一個實施方式是提供一種微型電晶體。另外，提供一種寄生容量小的電晶體。另外，提供一種頻率特性高的電晶體。另外，提供一種包括該電晶體的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括：氧化物半導體；填埋於第一絕緣體的第一導電體及第二絕緣體；第二導電體；以及第三導電體，互相面對的第二導電體及第三導電體的端部具有30°以上且90°以下的錐角。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式是提供一种微型晶体管。另外，提供一种寄生容量小的晶体管。另外，提供一种频率特性高的晶体管。另外，提供一种包括该晶体管的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，该半导体设备包括：氧化物半导体；填埋于第一绝缘体的第一导电体及第二绝缘体；第二导电体；以及第三导电体，互相面对的第二导电体及第三导电体的端部具有30°以上且90°以下的锥角。

公开(公告)号：TWI552231B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW099140828

申请日：2010-11-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  三上真弓 ,  MIKAMI, MAYUMI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

公开(公告)号：TW201631774A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105116111

申请日：2011-01-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  三上真弓 ,  MIKAMI, MAYUMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種維持良好的特性並實現微細化的使用氧化物半導體的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與所述氧化物半導體層接觸的源極電極及汲極電極；與所述氧化物半導體層重疊的閘極電極；以及設置在所述氧化物半導體層和所述閘極電極之間的閘極絕緣層，其中，所述源極電極及所述汲極電極包括第一導電層和具有從所述第一導電層的端部向通道長度方向延伸的區域的第二導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微细化的使用氧化物半导体的半导体设备。一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源极电极及汲极电极；与所述氧化物半导体层重叠的闸极电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述闸极电极之间的闸极绝缘层，其中，所述源极电极及所述汲极电极包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向信道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：TWI545768B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW103107022

申请日：2011-01-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  三上真弓 ,  MIKAMI, MAYUMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869

公开(公告)号：TW201601251A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104132154

申请日：2008-03-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供當形成接觸孔時容易進行蝕刻控制的半導體裝置的製造技術。本發明的半導體裝置至少包括：形成在絕緣表面上的半導體層；形成在半導體層上的第一絕緣層；形成在第一絕緣層上的閘極電極；形成在閘極電極上的第二絕緣層；以及形成在第二絕緣層上的導電層，其中，該第二絕緣層經由一開口部連接至該半導體層，該開口部至少在半導體層及第二絕緣層中形成且露出絕緣表面的一部分。這裏的導電層在形成於半導體層中的開口的側面處與半導體層電連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体设备的制造技术。本发明的半导体设备至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的闸极电极；形成在闸极电极上的第二绝缘层；以及形成在第二绝缘层上的导电层，其中，该第二绝缘层经由一开口部连接至该半导体层，该开口部至少在半导体层及第二绝缘层中形成且露出绝缘表面的一部分。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：TWI510153B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW100122431

申请日：2011-06-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  田口文香 ,  TAGUCHI, FUMIKA ,  家田義紀 ,  IEDA, YOSHINORI

IPC: H05K3/00 ,  H05K1/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

公开(公告)号：TWI688014B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW105111231

申请日：2016-04-11

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  飯田裕太 ,  IIDA, YUTA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU

IPC: H01L21/473 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/768