公开(公告)号：TWI685878B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105134855

申请日：2016-10-27

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/463 ,  H01L21/467 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TW201834149A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW107104806

申请日：2018-02-09

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 本發明提供一種適合於微型化及高積體化的半導體裝置。本發明的一個實施方式的半導體裝置包括：含有相鄰的第一區域和第二區域、以夾持第一區域及第二區域的方式設置的第三區域和第四區域的第一氧化物；第一區域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一導電體；在第二氧化物上並在第一絕緣體及第一導電體的側面的第二絕緣體；在第二區域上並在第二絕緣體的側面的第三絕緣體；以及隔著第三絕緣體設置在第二區域上的第二導電體。第三絕緣體的一部分位於第二導電體和第二絕緣體的側面之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种适合于微型化及高积体化的半导体设备。本发明的一个实施方式的半导体设备包括：含有相邻的第一区域和第二区域、以夹持第一区域及第二区域的方式设置的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以及隔着第三绝缘体设置在第二区域上的第二导电体。第三绝缘体的一部分位于第二导电体和第二绝缘体的侧面之间。

公开(公告)号：TWI691053B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW108124755

申请日：2014-12-22

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/12

公开(公告)号：TWI644437B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：TW106116727

申请日：2013-09-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  津吹将志 ,  TSUBUKU, MASASHI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI620328B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105110770

申请日：2012-01-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  磯部敦生 ,  ISOBE, ATSUO ,  齋藤利彥 ,  SAITO, TOSHIHIKO ,  波多野剛久 ,  HATANO, TAKEHISA ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI620325B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW103113868

申请日：2014-04-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 本堂英 ,  HONDO, SUGURU ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  楠本直人 ,  KUSUMOTO, NAOTO

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI609414B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW101120142

申请日：2012-06-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 吉岡杏子 ,  YOSHIOKA, KYOKO ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66969

公开(公告)号：TWI603478B

公开(公告)日：2017-10-21

申请号：TW105132214

申请日：2012-04-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 磯部敦生 ,  ISOBE, ATSUO ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  石塚章廣 ,  ISHIZUKA, AKIHIRO

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201737490A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106111181

申请日：2011-01-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  三上真弓 ,  MIKAMI, MAYUMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種維持良好的特性並實現微細化的使用氧化物半導體的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與所述氧化物半導體層接觸的源極電極及汲極電極；與所述氧化物半導體層重疊的閘極電極；以及設置在所述氧化物半導體層和所述閘極電極之間的閘極絕緣層，其中，所述源極電極及所述汲極電極包括第一導電層和具有從所述第一導電層的端部向通道長度方向延伸的區域的第二導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微细化的使用氧化物半导体的半导体设备。一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源极电极及汲极电极；与所述氧化物半导体层重叠的闸极电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述闸极电极之间的闸极绝缘层，其中，所述源极电极及所述汲极电极包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向信道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：TWI596777B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW098135271

申请日：2009-10-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869