公开(公告)号：TWI685878B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105134855

申请日：2016-10-27

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/463 ,  H01L21/467 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI688014B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW105111231

申请日：2016-04-11

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  飯田裕太 ,  IIDA, YUTA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU

IPC: H01L21/473 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/768

公开(公告)号：TW201727700A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105134855

申请日：2016-10-27

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/463 ,  H01L21/467 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/463 ,  H01L21/467 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 在半導體基板上的第一導電體上依次形成第一至第三絕緣體，在其上形成具有第一開口的硬遮罩，在其上形成具有第二開口的光阻遮罩，在第三絕緣體中形成第三開口，在第二絕緣體中形成第四開口，去除光阻遮罩，在第一絕緣體至第三絕緣體中形成第五開口，以覆蓋第五開口的內壁及底面的方式形成第二導電體，在其上形成第三導電體，藉由進行拋光處理去除硬遮罩並使第二和第三導電體及第三絕緣體的頂面的高度彼此大致一致，在其上形成氧化物半導體。第二絕緣體比第一和第三絕緣體不容易透過氫，第二導電體比第三導電體不容易透過氫。

Abstract in simplified Chinese: 在半导体基板上的第一导电体上依次形成第一至第三绝缘体，在其上形成具有第一开口的硬遮罩，在其上形成具有第二开口的光阻遮罩，在第三绝缘体中形成第三开口，在第二绝缘体中形成第四开口，去除光阻遮罩，在第一绝缘体至第三绝缘体中形成第五开口，以覆盖第五开口的内壁及底面的方式形成第二导电体，在其上形成第三导电体，借由进行抛光处理去除硬遮罩并使第二和第三导电体及第三绝缘体的顶面的高度彼此大致一致，在其上形成氧化物半导体。第二绝缘体比第一和第三绝缘体不容易透过氢，第二导电体比第三导电体不容易透过氢。

公开(公告)号：TW201911478A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW107126439

申请日：2018-07-31

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  本多大章 ,  HONDA, HIROAKI ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU

IPC: H01L21/786 ,  H01L23/522

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括：氧化物；氧化物上的第一導電體及第二導電體；氧化物上的第三導電體；氧化物與第三導電體之間的覆蓋第三導電體的側面的第一絕緣體；第三導電體及第一絕緣體上的第二絕緣體；位於第一導電體上且第二絕緣體的側面處的第三絕緣體；位於第二導電體上且第二絕緣體的側面處的第四絕緣體；與第三絕緣體的頂面及側面接觸且與第一導電體電連接的第四導電體；以及與第四絕緣體的頂面及側面接觸且與第二導電體電連接的第五導電體。第一絕緣體位於第三絕緣體與第三導電體之間且位於第四絕緣體與第三導電體之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种具有良好的电特性的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，该半导体设备包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：TW201709348A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105120952

申请日：2016-07-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136

Abstract: 本發明的一個實施方式是提供一種微型電晶體。另外，提供一種寄生容量小的電晶體。另外，提供一種頻率特性高的電晶體。另外，提供一種包括該電晶體的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括：氧化物半導體；填埋於第一絕緣體的第一導電體及第二絕緣體；第二導電體；以及第三導電體，互相面對的第二導電體及第三導電體的端部具有30°以上且90°以下的錐角。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式是提供一种微型晶体管。另外，提供一种寄生容量小的晶体管。另外，提供一种频率特性高的晶体管。另外，提供一种包括该晶体管的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，该半导体设备包括：氧化物半导体；填埋于第一绝缘体的第一导电体及第二绝缘体；第二导电体；以及第三导电体，互相面对的第二导电体及第三导电体的端部具有30°以上且90°以下的锥角。

公开(公告)号：TWI405242B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW094112420

申请日：2005-04-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  物江滋春 ,  MONOE, SHIGEHARU

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/5281 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/06 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/0346 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201639175A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105102135

申请日：2016-01-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/475 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種半導體裝置，包括：第一絕緣層上的第一氧化物絕緣層；第一氧化物絕緣層上的氧化物半導體層；氧化物半導體層上的源極電極層及汲極電極層；源極電極層及汲極電極層上的第二絕緣層；氧化物半導體層上的第二氧化物絕緣層；第二氧化物絕緣層上的閘極絕緣層；閘極絕緣層上的閘極電極層；以及第二絕緣層、第二氧化物絕緣層、閘極絕緣層、閘極電極層上的第三絕緣層，第二絕緣層在第二絕緣層的側面部與第二氧化物絕緣層接觸，閘極電極層包括具有互不相同的寬度的第一區域、第二區域，第一區域具有比第二區域大的寬度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：第一绝缘层上的第一氧化物绝缘层；第一氧化物绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极电极层及汲极电极层；源极电极层及汲极电极层上的第二绝缘层；氧化物半导体层上的第二氧化物绝缘层；第二氧化物绝缘层上的闸极绝缘层；闸极绝缘层上的闸极电极层；以及第二绝缘层、第二氧化物绝缘层、闸极绝缘层、闸极电极层上的第三绝缘层，第二绝缘层在第二绝缘层的侧面部与第二氧化物绝缘层接触，闸极电极层包括具有互不相同的宽度的第一区域、第二区域，第一区域具有比第二区域大的宽度。

公开(公告)号：TW201724515A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105126627

申请日：2016-08-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648

Abstract: 本發明提供一種微型電晶體。提供一種寄生電容小的電晶體。提供一種頻率特性高的電晶體。提供一種通態電流大的電晶體。提供一種包括該電晶體的半導體裝置。提供一種集成度高的半導體裝置。一種半導體裝置，包括氧化物半導體、第二絕緣體、第二導電體、第三導電體、第四導電體、第五導電體、以及埋入在形成於第二絕緣體、第二導電體、第三導電體、第四導電體及第五導電體的開口部中的第一導電體及第一絕緣體，第二導電體具有其側面及底面與第四導電體接觸的區域，第三導電體具有其側面及底面與第五導電體接觸的區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体设备。提供一种集成度高的半导体设备。一种半导体设备，包括氧化物半导体、第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体、第五导电体、以及埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体，第二导电体具有其侧面及底面与第四导电体接触的区域，第三导电体具有其侧面及底面与第五导电体接触的区域。

公开(公告)号：TW201707215A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105104630

申请日：2016-02-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/401 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的一個實施方式提供一種微型的電晶體；一種寄生電容小的電晶體；一種頻率特性高的電晶體；以及包括該電晶體的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括：氧化物半導體；第一導電體；第二導電體；第三導電體；第一絕緣體；以及第二絕緣體，其中第一導電體隔著第一絕緣體與氧化物半導體重疊，第二絕緣體包括開口部且第二絕緣體的側面和第一導電體的側面在開口部中隔著第一絕緣體重疊，第二導電體的表面的一部分及第三導電體的表面的一部分在開口部中與第一絕緣體接觸，並且氧化物半導體與第二導電體重疊且與第三導電體重疊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式提供一种微型的晶体管；一种寄生电容小的晶体管；一种频率特性高的晶体管；以及包括该晶体管的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括：氧化物半导体；第一导电体；第二导电体；第三导电体；第一绝缘体；以及第二绝缘体，其中第一导电体隔着第一绝缘体与氧化物半导体重叠，第二绝缘体包括开口部且第二绝缘体的侧面和第一导电体的侧面在开口部中隔着第一绝缘体重叠，第二导电体的表面的一部分及第三导电体的表面的一部分在开口部中与第一绝缘体接触，并且氧化物半导体与第二导电体重叠且与第三导电体重叠。

公开(公告)号：TWI489519B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW101145018

申请日：2005-04-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  物江滋春 ,  MONOE, SHIGEHARU

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/5281 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/06 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/0346 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00