公开(公告)号：TW201843330A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW106127446

申请日：2017-08-14

Applicant: 日商日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  蘆原洋司 ,  ASHIHARA, HIROSHI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本發明之課題在於，即便於三維構造之快閃記憶體中亦能夠形成特性良好之半導體裝置。 為了解決上述課題，本發明提供如下技術，其包含：單頻處理室，其設置於處理模組內，對形成有絕緣膜之基板進行處理；雙頻處理室，其於上述處理模組內鄰接於上述單頻處理室，對經上述單頻處理室處理後之基板進行處理；氣體供給部，其分別對上述單頻處理室及上述雙頻處理室，供給至少含有矽及雜質之含矽氣體；電漿產生部，其分別連接於上述單頻處理室及上述雙頻處理室；離子控制部，其連接於上述雙頻處理室；基板搬送部，其設置於上述處理模組內，於上述單頻處理室與上述雙頻處理室之間搬送基板；以及控制部，其至少控制上述氣體供給部、上述電漿產生部、上述離子控制部、及上述基板搬送部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于，即便于三维构造之闪存中亦能够形成特性良好之半导体设备。 为了解决上述课题，本发明提供如下技术，其包含：单频处理室，其设置于处理模块内，对形成有绝缘膜之基板进行处理；双频处理室，其于上述处理模块内邻接于上述单频处理室，对经上述单频处理室处理后之基板进行处理；气体供给部，其分别对上述单频处理室及上述双频处理室，供给至少含有硅及杂质之含硅气体；等离子产生部，其分别连接于上述单频处理室及上述双频处理室；离子控制部，其连接于上述双频处理室；基板搬送部，其设置于上述处理模块内，于上述单频处理室与上述双频处理室之间搬送基板；以及控制部，其至少控制上述气体供给部、上述等离子产生部、上述离子控制部、及上述基板搬送部。

公开(公告)号：TW201843334A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW106127447

申请日：2017-08-14

Applicant: 日商日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  蘆原洋司 ,  ASHIHARA, HIROSHI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02 ,  H01L27/115

Abstract: 本發明之課題在於，即便於三維構造之快閃記憶體中亦能夠形成一種特性良好之半導體裝置。 為了解決上述課題，本發明提供如下技術，即，於形成有絕緣膜之基板載置於處理室內之基板載置部之狀態下，將處理氣體供給至上述處理室，將第一電力自電漿產生部供給至上述處理室進行電漿產生，而於上述絕緣膜上形成第一氮化矽層，且與上述電漿產生並行地將第二電力自離子控制部供給至上述處理室，而於上述第一氮化矽層上形成應力較上述第一氮化矽層低之第二氮化矽層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于，即便于三维构造之闪存中亦能够形成一种特性良好之半导体设备。 为了解决上述课题，本发明提供如下技术，即，于形成有绝缘膜之基板载置于处理室内之基板载置部之状态下，将处理气体供给至上述处理室，将第一电力自等离子产生部供给至上述处理室进行等离子产生，而于上述绝缘膜上形成第一氮化硅层，且与上述等离子产生并行地将第二电力自离子控制部供给至上述处理室，而于上述第一氮化硅层上形成应力较上述第一氮化硅层低之第二氮化硅层。

公开(公告)号：TWI636555B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：TW105134998

申请日：2016-10-28

Applicant: 日商日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  中川崇 ,  NAKAGAWA, TAKASHI

IPC: H01L27/11578

公开(公告)号：TW201349347A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102109193

申请日：2013-03-15

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  渡橋由悟 ,  ORIHASHI, YUGO ,  橋本良知 ,  HASHIMOTO, YOSHITOMO ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B08B7/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263

Abstract: 本發明之課題在於在低溫區域內一面抑制異物之產生一面形成優質之薄膜。本發明包括以下步驟：形成薄膜之步驟，係將如下之循環進行既定次數，該循環包含對處理容器內之基板供給包含既定元素與鹵族元素之原料氣體之步驟、及對處理容器內之基板供給胺系氣體之步驟，藉此於基板上形成至少包含既定元素及碳之薄膜；以及改質步驟，係藉由對薄膜形成後之處理容器內供給氮化氣體，而對附著於處理容器內之副產物進行改質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于在低温区域内一面抑制异物之产生一面形成优质之薄膜。本发明包括以下步骤：形成薄膜之步骤，系将如下之循环进行既定次数，该循环包含对处理容器内之基板供给包含既定元素与卤族元素之原料气体之步骤、及对处理容器内之基板供给胺系气体之步骤，借此于基板上形成至少包含既定元素及碳之薄膜；以及改质步骤，系借由对薄膜形成后之处理容器内供给氮化气体，而对附着于处理容器内之副产物进行改质。

公开(公告)号：TWI540643B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW103110085

申请日：2014-03-18

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  野田孝曉 ,  NODA, TAKAAKI ,  花島建夫 ,  HANASHIMA, TAKEO ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO ,  蘆原洋司 ,  ASHIHARA, HIROSHI ,  鎌倉司 ,  KAMAKURA, TSUKASA ,  野原慎吾 ,  NOHARA, SHINGO

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

公开(公告)号：TW201611159A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104123434

申请日：2015-07-20

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 山本隆治 ,  YAMAMOTO, RYUJI ,  鎌倉司 ,  KAMAKURA, TSUKASA ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO ,  島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67

Abstract: 本發明係抑制於實施過成膜處理之處理室內之微粒之產生。 本發明中進行如下步驟：向處理室內搬入基板之步驟；於處理室內，由具備加熱器之支撐台支撐基板之步驟；將支撐有基板之支撐台配置於第1位置，於將加熱器設為開啟之狀態下，向處理室內供給處理氣體而於基板上形成膜之步驟；將膜形成後之基板自處理室內搬出之步驟；及將支撐台配置於較第1位置更接近處理室內之頂壁部之第2位置，於將加熱器設為開啟之狀態下，向處理室內供給反應性氣體之步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系抑制于实施过成膜处理之处理室内之微粒之产生。 本发明中进行如下步骤：向处理室内搬入基板之步骤；于处理室内，由具备加热器之支撑台支撑基板之步骤；将支撑有基板之支撑台配置于第1位置，于将加热器设为打开之状态下，向处理室内供给处理气体而于基板上形成膜之步骤；将膜形成后之基板自处理室内搬出之步骤；及将支撑台配置于较第1位置更接近处理室内之顶壁部之第2位置，于将加热器设为打开之状态下，向处理室内供给反应性气体之步骤。

公开(公告)号：TWI515792B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102109193

申请日：2013-03-15

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  渡橋由悟 ,  ORIHASHI, YUGO ,  橋本良知 ,  HASHIMOTO, YOSHITOMO ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B08B7/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263

公开(公告)号：TW201826446A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106108714

申请日：2017-03-16

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  森谷敦 ,  MORIYA, ATSUSHI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  中川崇 ,  NAKAGAWA, TAKASHI

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/04

Abstract: 本發明之課題係即便於三維構造之快閃記憶體中，亦能夠形成特性良好之半導體裝置。 本發明之半導體裝置之製造方法具有以下步驟：將基板搬入之步驟，該基板具有包含絕緣膜與犧牲膜之積層膜、形成於積層膜之通道孔、設置於通道孔內之表面之電荷捕捉膜、設置於電荷捕捉膜之表面之第1通道膜、及於通道孔之底部露出之共同源極線；接收通道孔之直徑之分佈資訊之步驟；以及以基於分佈資訊而修正直徑之分佈之方式，向基板之中心側與外周側之各者供給第1處理氣體及第2處理氣體，而於上述第1通道膜表面形成第2通道膜之步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题系即便于三维构造之闪存中，亦能够形成特性良好之半导体设备。 本发明之半导体设备之制造方法具有以下步骤：将基板搬入之步骤，该基板具有包含绝缘膜与牺牲膜之积层膜、形成于积层膜之信道孔、设置于信道孔内之表面之电荷捕捉膜、设置于电荷捕捉膜之表面之第1信道膜、及于信道孔之底部露出之共同源极线；接收信道孔之直径之分布信息之步骤；以及以基于分布信息而修正直径之分布之方式，向基板之中心侧与外周侧之各者供给第1处理气体及第2处理气体，而于上述第1信道膜表面形成第2信道膜之步骤。

公开(公告)号：TWI601209B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW104104708

申请日：2013-03-15

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  渡橋由悟 ,  ORIHASHI, YUGO ,  橋本良知 ,  HASHIMOTO, YOSHITOMO ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B08B7/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263

公开(公告)号：TW201511131A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103123277

申请日：2014-07-07

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 島本聰 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO ,  佐野敦 ,  SANO, ATSUSHI

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本發明係利用較高之控制性而以高濃度之方式形成添加有碳之薄膜。 本發明係具有針對循環進行既定次數而藉此在基板上形成包含有矽、碳及既定元素之薄膜的步驟；該循環係包含有以下之步驟：對基板供給原料氣體的步驟，該原料氣體係於1分子中包含有至少2個矽，且更進一步包含有碳及鹵素元素，並且具有Si-C鍵；及對基板供給改質氣體的步驟，該改質氣體係包含有氮或氧中之任一者即既定元素。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系利用较高之控制性而以高浓度之方式形成添加有碳之薄膜。 本发明系具有针对循环进行既定次数而借此在基板上形成包含有硅、碳及既定元素之薄膜的步骤；该循环系包含有以下之步骤：对基板供给原料气体的步骤，该原料气体系于1分子中包含有至少2个硅，且更进一步包含有碳及卤素元素，并且具有Si-C键；及对基板供给改质气体的步骤，该改质气体系包含有氮或氧中之任一者即既定元素。