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    半導體裝置及半導體裝置之製造方法
    3.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201830525A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW106143865

    申请日：2017-12-14

    申请人： 日商瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 中山達峰 ,  NAKAYAMA, TATSUO ,  宮本広信 ,  MIYAMOTO, HIRONOBU ,  岡本康宏 ,  OKAMOTO, YASUHIRO

    IPC分类号： H01L21/38 ,  H01L21/8252

    摘要： 本發明之課題在於提高半導體裝置之特性。 本發明將半導體裝置之台面部設為共摻層，前述半導體裝置具有：包含第1氮化物半導體層S1之通道基底層、包含第2氮化物半導體層S2之通道層、包含第3氮化物半導體層S3之障壁層、平台型第4氮化物半導體層(台面部)S4、覆蓋台面部之閘極絕緣膜GI、及形成於其上之閘極電極GE。如此，藉由將台面部設為共摻層，而能夠利用共摻層中之p型雜質(Mg)或n型雜質(Si)而抵消在閘極絕緣膜/台面部之界面產生之界面電荷，能夠提高臨限值電位。又，藉由在形成閘極絕緣膜GI之前預先將第4氮化物半導體層S4設為n型，且在形成閘極絕緣膜GI之後將第4氮化物半導體層S4設為中性或p型，能夠提高臨限值電位，從而提高常關特性。

    简体摘要： 本发明之课题在于提高半导体设备之特性。 本发明将半导体设备之台面部设为共掺层，前述半导体设备具有：包含第1氮化物半导体层S1之信道基底层、包含第2氮化物半导体层S2之信道层、包含第3氮化物半导体层S3之障壁层、平台型第4氮化物半导体层(台面部)S4、覆盖台面部之闸极绝缘膜GI、及形成于其上之闸极电极GE。如此，借由将台面部设为共掺层，而能够利用共掺层中之p型杂质(Mg)或n型杂质(Si)而抵消在闸极绝缘膜/台面部之界面产生之界面电荷，能够提高临限值电位。又，借由在形成闸极绝缘膜GI之前预先将第4氮化物半导体层S4设为n型，且在形成闸极绝缘膜GI之后将第4氮化物半导体层S4设为中性或p型，能够提高临限值电位，从而提高常关特性。

    半導體裝置及半導體裝置之製造方法
    4.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201533900A

    公开(公告)日：2015-09-01

    申请号：TW103139037

    申请日：2014-11-11

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 井上 ,  INOUE, TAKASHI ,  竹脇利至 ,  TAKEWAKI, TOSHIYUKI ,  中山達峰 ,  NAKAYAMA, TATSUO ,  岡本康宏 ,  OKAMOTO, YASUHIRO ,  宮本広信 ,  MIYAMOTO, HIRONOBU

    IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

    CPC分类号： H01L29/518 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本發明係一種半導體裝置及半導體裝置之製造方法，其課題為使半導體裝置之特性提升。 解決手段係呈具有：加以形成於基板(S)之上方的通道層(CH)，障壁層(BA)，和貫通開口範圍(OA2)之障壁層(BA)，到達至通道層(CH)之途中為止的溝(T)，和於此溝(T)內，藉由閘極絕緣膜(GI)而加以配置之閘極電極(GE)，和加以形成於開口範圍(OA2)外側之障壁層(BA)上的絕緣膜(IF1)地，構成半導體裝置。並且，絕緣膜(IF1)則具有富有Si之氮化矽膜(IF1b)，和位置於其下部之富有N之氮化矽膜(IF1a)之的層積構造。如此，由將絕緣膜(IF1)之上層作為富有Si之氮化矽膜(IF1b)者，可謀求耐壓的提升者。另外，可謀求蝕刻耐性的提升者。另外，由將絕緣膜(IF1)之下層作為富有N之氮化矽膜(IF1a)者，可抑制塌陷者。

    简体摘要： 本发明系一种半导体设备及半导体设备之制造方法，其课题为使半导体设备之特性提升。 解决手段系呈具有：加以形成于基板(S)之上方的信道层(CH)，障壁层(BA)，和贯通开口范围(OA2)之障壁层(BA)，到达至信道层(CH)之途中为止的沟(T)，和于此沟(T)内，借由闸极绝缘膜(GI)而加以配置之闸极电极(GE)，和加以形成于开口范围(OA2)外侧之障壁层(BA)上的绝缘膜(IF1)地，构成半导体设备。并且，绝缘膜(IF1)则具有富有Si之氮化硅膜(IF1b)，和位置于其下部之富有N之氮化硅膜(IF1a)之的层积构造。如此，由将绝缘膜(IF1)之上层作为富有Si之氮化硅膜(IF1b)者，可谋求耐压的提升者。另外，可谋求蚀刻耐性的提升者。另外，由将绝缘膜(IF1)之下层作为富有N之氮化硅膜(IF1a)者，可抑制塌陷者。

    場效電晶體及半導體裝置
    5.
    发明专利
    場效電晶體及半導體裝置 审中-公开
    场效应管及半导体设备

    公开(公告)号：TW201631767A

    公开(公告)日：2016-09-01

    申请号：TW105116753

    申请日：2012-05-10

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 岡本康宏 ,  OKAMOTO, YASUHIRO ,  安藤裕二 ,  ANDO, YUJI ,  中山達峰 ,  NAKAYAMA, TATSUO ,  井上隆 ,  INOUE, TAKASHI ,  大田一樹 ,  OTA, KAZUKI

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

    摘要： 本發明提供一種可藉由改變閘極絕緣膜之厚度而控制場效電晶體之閾值電壓，且大大有助於高閾值化或擴大閾值電壓之設計範圍之場效電晶體。本發明之場效電晶體包含基板、與設置於上述基板上之半導體層，上述半導體層包括：下部障壁層，其設置於上述基板上，使Ga面成長，且具有經晶格鬆弛之組成In1-zAlzN(0≦z≦1)；及通道層，其設置於上述下部障壁層上，與上述下部障壁層進行晶格匹配，且具有組成AlxGa1-xN(0≦x≦1)或InyGa1-yN(0≦y≦1)；且於上述半導體層之上部相互隔開地配設有歐姆接觸之源極電極與汲極電極，於上述源極電極與上述汲極電極之間之區域，隔著閘極絕緣膜而配置有閘極電極。

    简体摘要： 本发明提供一种可借由改变闸极绝缘膜之厚度而控制场效应管之阈值电压，且大大有助于高阈值化或扩大阈值电压之设计范围之场效应管。本发明之场效应管包含基板、与设置于上述基板上之半导体层，上述半导体层包括：下部障壁层，其设置于上述基板上，使Ga面成长，且具有经晶格松弛之组成In1-zAlzN(0≦z≦1)；及信道层，其设置于上述下部障壁层上，与上述下部障壁层进行晶格匹配，且具有组成AlxGa1-xN(0≦x≦1)或InyGa1-yN(0≦y≦1)；且于上述半导体层之上部相互隔开地配设有欧姆接触之源极电极与汲极电极，于上述源极电极与上述汲极电极之间之区域，隔着闸极绝缘膜而配置有闸极电极。

    半導體裝置及半導體裝置之製造方法
    7.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201314904A

    公开(公告)日：2013-04-01

    申请号：TW101127846

    申请日：2012-08-01

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 岡本康宏 ,  OKAMOTO, YASUHIRO ,  中山達峰 ,  NAKAYAMA, TATSUO ,  井上隆 ,  INOUE, TAKASHI ,  宮本廣信 ,  MIYAMOTO, HIRONOBU

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： 本發明之課題在於，在將氮化物半導體層用作通道之電晶體中提高閾值電壓。第2氮化物半導體層200具有依序積層有Al之組成比互不相同之複數層氮化物半導體層204之構造，故而Al組成呈階梯狀變化。形成第2氮化物半導體層200之複數層半導體層分別向同一方向極化。而且，靠近閘極電極420之半導體層之極化強度變得強於(或弱於)遠離閘極電極420之半導體層。即，複數層半導體層係隨著接近於閘極電極420，而極化之強度向一個方向變化。該極化之方向係於複數層半導體層內之界面中負電荷變得多於正電荷之方向。

    简体摘要： 本发明之课题在于，在将氮化物半导体层用作信道之晶体管中提高阈值电压。第2氮化物半导体层200具有依序积层有Al之组成比互不相同之复数层氮化物半导体层204之构造，故而Al组成呈阶梯状变化。形成第2氮化物半导体层200之复数层半导体层分别向同一方向极化。而且，靠近闸极电极420之半导体层之极化强度变得强于(或弱于)远离闸极电极420之半导体层。即，复数层半导体层系随着接近于闸极电极420，而极化之强度向一个方向变化。该极化之方向系于复数层半导体层内之界面中负电荷变得多于正电荷之方向。