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公开(公告)号：TW201602366A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103124223
申请日：2014-07-15
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , LIU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
CPC分类号： C22C9/06 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012
摘要： 本發明之目的係抑制半導體裝置用銅合金接合線中，產生於線材表層正下方之不規則的肥大氧化層的成長，並提升第二接合性。 為達成上述之目的，本發明之半導體裝置用銅合金接合線係由表層、內部氧化層及銅稀薄鎳合金層所構成，且銅稀薄鎳合金的合金組成，係將0.1~1.5質量%的鎳(Ni)均勻固溶於純度99.995質量%以上的高純度銅(Cu)母材；內部氧化層係由使鎳氧化物粒子朝向表層的銅氧化物層正下方內部均勻地微細分散的金屬不足型氧化銅母材所形成；使自由的氧快速移動，以使從表層入侵的氧往內擴散，進而抑制表層正下方的銅氧化物層之不規則的半球狀成長，並提升第二接合性。藉由使內部氧化層的厚度為該表層氧化物層的60倍以上，以確保氧的移動所產生的效果。
简体摘要： 本发明之目的系抑制半导体设备用铜合金接合线中，产生于线材表层正下方之不守则的肥大氧化层的成长，并提升第二接合性。 为达成上述之目的，本发明之半导体设备用铜合金接合线系由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层所构成，且铜稀薄镍合金的合金组成，系将0.1~1.5质量%的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量%以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层系由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材所形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧往内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层之不守则的半球状成长，并提升第二接合性。借由使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，以确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：TWI510652B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103124223
申请日：2014-07-15
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , LIU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
CPC分类号： C22C9/06 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI509089B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW103124224
申请日：2014-07-15
发明人： 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 劉斌 , LIU, BIN
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/01203
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公开(公告)号：TWI479581B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102116582
申请日：2013-05-09
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , RYU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024
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公开(公告)号：TWI437650B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW102116584
申请日：2013-05-09
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , RYU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
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公开(公告)号：TW201602367A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103124224
申请日：2014-07-15
发明人： 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 劉斌 , LIU, BIN
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/01203
摘要： 本發明提供一種線材，即使是純銅合金連接線，在因為大氣中的氧而使得線材表面的銅氧化物層為未飽和之銅氧化物(Cu2-xO)的期間，亦可藉由形成其厚度為不使該氧化物層還原之程度的有機碳層，使得超音波接合的製程容許度(process window)變得廣泛。該線材的成分組成，係鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋅(Zn)及錫(Sn)中的至少1種卑金屬(base metal)為40質量ppm以上、未滿100質量ppm(以下簡記為「40~100質量ppm」)，以及剩餘部分由純度99.990~99.996質量%的銅(Cu)所構成；該線材的剖面構造，係該線材表面因鑽石伸線模而縮徑的伸線加工面，該線材表面的整個面上，形成總有機碳量(TOC值)為50~3,000μg/m2的有機碳層，該線材剖面的最外層，形成氧未飽和之銅氧化物(Cu2-xO)所構成之厚度為2~20奈米的銅氧化物層，該銅氧化物層的內側所存在的上述卑金屬，係為未被內部氧化的狀態。
简体摘要： 本发明提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因为大气中的氧而使得线材表面的铜氧化物层为未饱和之铜氧化物(Cu2-xO)的期间，亦可借由形成其厚度为不使该氧化物层还原之程度的有机碳层，使得超音波接合的制程容许度(process window)变得广泛。该线材的成分组成，系钛(Ti)、锆(Zr)、锌(Zn)及锡(Sn)中的至少1种卑金属(base metal)为40质量ppm以上、未满100质量ppm(以下简记为“40~100质量ppm”)，以及剩余部分由纯度99.990~99.996质量%的铜(Cu)所构成；该线材的剖面构造，系该线材表面因钻石伸线模而缩径的伸线加工面，该线材表面的整个面上，形成总有机碳量(TOC值)为50~3,000μg/m2的有机碳层，该线材剖面的最外层，形成氧未饱和之铜氧化物(Cu2-xO)所构成之厚度为2~20奈米的铜氧化物层，该铜氧化物层的内侧所存在的上述卑金属，系为未被内部氧化的状态。
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公开(公告)号：TW201415566A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102116582
申请日：2013-05-09
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , RYU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024
摘要： 抑制銅合金球接合線之超音波接合之鋁飛濺及斜靠性，提高第二次接合中之第二次接合性。在由純度99.995質量%以上之原料銅(Cu)與銠(Rh)0.1~1.5質量%所構成之金屬基體中，固溶做為非金屬元素之硫(S)1.0~10質量ppm及氧(O)10~150質量ppm，而且，固溶磷(P)1~10質量ppm。金屬基體中之銠係抑制硫往球表面之偏析以控制動態強度，抑制被固溶之氧與硫之舉動，提高斜靠性及第二次接合性。
简体摘要： 抑制铜合金球接合线之超音波接合之铝飞溅及斜靠性，提高第二次接合中之第二次接合性。在由纯度99.995质量%以上之原料铜(Cu)与铑(Rh)0.1~1.5质量%所构成之金属基体中，固溶做为非金属元素之硫(S)1.0~10质量ppm及氧(O)10~150质量ppm，而且，固溶磷(P)1~10质量ppm。金属基体中之铑系抑制硫往球表面之偏析以控制动态强度，抑制被固溶之氧与硫之举动，提高斜靠性及第二次接合性。
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公开(公告)号：TW201411748A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102116584
申请日：2013-05-09
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , RYU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
摘要： 在球接合用銅細線中，可提高第二次接合性，同時防止球接合之晶片龜裂，提高環接性。連續鑄造在高純度銅(Cu)含有鉑(Pt)0.1~2.0質量%、做為非金屬元素之硫(S)1~10質量ppm、氧(O)10~150質量ppm、及如有需要則含有磷(P)1~5質量ppm之熔融銅鉑合金，以形成素線之過程中，藉偏析而形成有不含鉑之銅的極薄層，於在大氣環境氣體中被氧化而伸線加工後的接合線表層，形成6~2nm氧化膜。維氏硬度係77~105Hv之接合線，均勻的氧化膜係提高第二次接合性，藉基體添加元素，抑制球接合時之動態強度而防止鋁飛濺，維持不產生斜靠之靜態強度。
简体摘要： 在球接合用铜细线中，可提高第二次接合性，同时防止球接合之芯片龟裂，提高环接性。连续铸造在高纯度铜(Cu)含有铂(Pt)0.1~2.0质量%、做为非金属元素之硫(S)1~10质量ppm、氧(O)10~150质量ppm、及如有需要则含有磷(P)1~5质量ppm之熔融铜铂合金，以形成素线之过程中，藉偏析而形成有不含铂之铜的极薄层，于在大气环境气体中被氧化而伸线加工后的接合线表层，形成6~2nm氧化膜。维氏硬度系77~105Hv之接合线，均匀的氧化膜系提高第二次接合性，藉基体添加元素，抑制球接合时之动态强度而防止铝飞溅，维持不产生斜靠之静态强度。
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公开(公告)号：TW201631215A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103242
申请日：2015-09-18
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 永江祐佳 , NAGAE, YUKA , 崎田雄祐 , SAKITA, YUSUKE , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 高田満生 , TAKADA, MITSUO , 桑原岳 , KUWAHARA, TAKESHI
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/78601 , H01L2224/85045 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/01015 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/1204 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033
摘要： 本發明係為解決量產的接合線之FAB所導致之熔融球的形成變 得不安定的上述課題而完成者，目的在提供線的解繞性佳，而且可形成安定的熔融球之用於球焊且披覆鈀(Pd)的銅線。 一種用於球焊且披覆鈀(Pd)的銅線，其係線徑為10~25μm； 在由銅(Cu)或銅合金所成之芯材上形成有鈀(Pd)的披覆層之，其中：在該鈀(Pd)的披覆層中存在有鈀(Pd)單獨的無垢層，並且在該鈀(Pd)的披覆層上形成有來自該芯材的銅(Cu)的滲出層。再者，一種用於球焊且披覆鈀(Pd)的銅線，其係線徑為10~25μm；在銅(Cu)或銅合金所成之芯材披覆有鈀(Pd)的披覆層及金(Au)的表皮層，其中：在該金(Au)的表皮層上形成銅(Cu)的滲出層，而且在鈀(Pd)的披覆層存在鈀(Pd)單獨的無垢層。
简体摘要： 本发明系为解决量产的接合线之FAB所导致之熔融球的形成变 得不安定的上述课题而完成者，目的在提供线的解绕性佳，而且可形成安定的熔融球之用于球焊且披覆钯(Pd)的铜线。 一种用于球焊且披覆钯(Pd)的铜线，其系线径为10~25μm； 在由铜(Cu)或铜合金所成之芯材上形成有钯(Pd)的披覆层之，其中：在该钯(Pd)的披覆层中存在有钯(Pd)单独的无垢层，并且在该钯(Pd)的披覆层上形成有来自该芯材的铜(Cu)的渗出层。再者，一种用于球焊且披覆钯(Pd)的铜线，其系线径为10~25μm；在铜(Cu)或铜合金所成之芯材披覆有钯(Pd)的披覆层及金(Au)的表皮层，其中：在该金(Au)的表皮层上形成铜(Cu)的渗出层，而且在钯(Pd)的披覆层存在钯(Pd)单独的无垢层。
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公开(公告)号：TW201709363A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105108645
申请日：2016-03-21
发明人： 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/48451 , H01L2224/48456 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2924/00011 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/013 , H01L2924/01026 , H01L2924/0103 , H01L2924/01034 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01083 , H01L2924/00013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01206
摘要： 【課題】本發明之目的在於提供一種藉由統一結晶粒徑、使其為無方向性，而使切斷端部不會從接合線的剖面積內伸出的銅合金接合線，本發明用以解決下述課題：在將銅合金接合線進行楔焊後向上拉起以切斷時，接合線的前端彎曲成J字形。 【構成】本發明之銅合金接合線，其特徵為：單位剖面積的晶粒為50~250個，其最大粒徑為接合線直徑的1/3以下，且為特定方向皆在40%以下的無方向性。
简体摘要： 【课题】本发明之目的在于提供一种借由统一结晶粒径、使其为无方向性，而使切断端部不会从接合线的剖面积内伸出的铜合金接合线，本发明用以解决下述课题：在将铜合金接合线进行楔焊后向上拉起以切断时，接合线的前端弯曲成J字形。 【构成】本发明之铜合金接合线，其特征为：单位剖面积的晶粒为50~250个，其最大粒径为接合线直径的1/3以下，且为特定方向皆在40%以下的无方向性。
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