-
公开(公告)号：TWI605559B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW104112804
申请日：2015-04-21
申请人： 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. , 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION
发明人： 小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO , 出合博之 , DEAI, HIROYUKI
CPC分类号： H01L24/45 , B23K35/302 , B32B15/018 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22C9/06 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43827 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033
-
公开(公告)号：TWI589713B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104120028
申请日：2015-06-22
发明人： 薩蘭加帕尼 穆拉利 , SARANGAPANI, MURALI , 張 兮 , ZHANG, XI , 楊 平熹 , YEUNG, PING HA , 米爾克 歐根 , MILKE, EUGEN
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/003 , B21C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43985 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45686 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0541 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
-
公开(公告)号：TW201723196A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105120064
申请日：2016-06-24
申请人： 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. , 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION
发明人： 小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO , 小田大造 , ODA, DAIZO , 山田隆 , YAMADA, TAKASHI
CPC分类号： C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2924/10253 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01046 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01012 , H01L2924/0105 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01202 , H01L2924/01204 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076
摘要： 本發明提供一種半導體裝置用接合線，其確保高度之接合可靠性，並且具有優異之耐毛細管磨耗性及耐表面損傷性，進而滿足球形成性、楔形接合性等綜合性能，適於車載用裝置用接合線。 本發明之半導體裝置用接合線係具有Cu合金芯材、形成於上述Cu合金芯材之表面之Pd被覆層、及形成於上述Pd被覆層之表面之Cu表面層者，其特徵在於：包含Ni，Ni相對於線整體之濃度為0.1~1.2wt.%，上述Pd被覆層之厚度為0.015~0.150μm，上述Cu表面層之厚度為0.0005~0.0070μm。
简体摘要： 本发明提供一种半导体设备用接合线，其确保高度之接合可靠性，并且具有优异之耐毛细管磨耗性及耐表面损伤性，进而满足球形成性、楔形接合性等综合性能，适于车载用设备用接合线。 本发明之半导体设备用接合线系具有Cu合金芯材、形成于上述Cu合金芯材之表面之Pd被覆层、及形成于上述Pd被覆层之表面之Cu表面层者，其特征在于：包含Ni，Ni相对于线整体之浓度为0.1~1.2wt.%，上述Pd被覆层之厚度为0.015~0.150μm，上述Cu表面层之厚度为0.0005~0.0070μm。
-
公开(公告)号：TW201719839A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105127771
申请日：2010-06-18
申请人： 羅姆股份有限公司 , ROHM CO., LTD.
发明人： 芳我基治 , HAGA, MOTOHARU , 吉田真悟 , YOSHIDA, SHINGO , 糟谷泰正 , KASUYA, YASUMASA , 永原斗一 , NAGAHARA, TOICHI , 木村明寬 , KIMURA, AKIHIRO , 藤井賢治 , FUJII, KENJI
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/005 , B23K20/10 , B23K20/24 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48451 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78303 , H01L2224/78307 , H01L2224/78309 , H01L2224/83 , H01L2224/8314 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/8592 , H01L2224/85986 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01066 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/01206 , H01L2924/013 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19107 , H01L2924/20752 , H01L2924/20757 , H01L2924/3512 , H01L2924/01026 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2924/207 , H01L2924/20753 , H01L2924/20756 , H01L2924/20758 , H01L2924/00015
摘要： 本發明之半導體裝置包括：半導體晶片；電極焊墊，其包括含鋁之金屬材料且形成於上述半導體晶片之表面；電極引線，其配置於上述半導體晶片之周圍；接線，其包括呈線狀延伸之本體部、以及形成於上述本體部之兩端且分別與上述電極焊墊及上述電極引線接合之焊墊接合部及引線接合部；以及樹脂封裝體，其密封上述半導體晶片、上述電極引線及上述接線；且上述接線包含銅；整個上述電極焊墊及整個上述焊墊接合部均由不透水膜一體地被覆。
简体摘要： 本发明之半导体设备包括：半导体芯片；电极焊垫，其包括含铝之金属材料且形成于上述半导体芯片之表面；电极引线，其配置于上述半导体芯片之周围；接线，其包括呈线状延伸之本体部、以及形成于上述本体部之两端且分别与上述电极焊垫及上述电极引线接合之焊垫接合部及引线接合部；以及树脂封装体，其密封上述半导体芯片、上述电极引线及上述接线；且上述接线包含铜；整个上述电极焊垫及整个上述焊垫接合部均由不透水膜一体地被覆。
-
公开(公告)号：TW201717214A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105140437
申请日：2015-07-24
申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO
CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013
摘要： 本發明係於具有Cu合金芯材與形成於其表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合導線，謀求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、與耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之併存。 藉由於導線中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1種以上總計0.03~2質量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，進而藉由於對於接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中、相對於導線長度方向而角度差為15度以下的結晶方位 之方位比率設為50%以上，且將接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.3μm，而使耐力比為1.6以下。
简体摘要： 本发明系于具有Cu合金芯材与形成于其表面之Pd被覆层之半导体设备用接合导线，谋求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、与耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之并存。 借由于导线中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1种以上总计0.03~2质量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，进而借由于对于接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中、相对于导线长度方向而角度差为15度以下的结晶方位<100>之方位比率设为50%以上，且将接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.3μm，而使耐力比为1.6以下。
-
公开(公告)号：TW201707009A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104130999
申请日：2015-09-18
申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： 小田大造 , ODA, DAIZO , 江藤基稀 , ETO, MOTOKI , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO
IPC分类号： H01B1/02
CPC分类号： H01L24/45 , B32B15/00 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/06 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43827 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45671 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01028 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/013 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01033
摘要： 本發明提供一種接合線，其係於表面具有Pd被覆層之Cu接合線，且改善高溫高濕環境下之球接合部之接合可靠性，適合於車載用元件。 於具有Cu合金芯材、及形成於上述Cu合金芯材之表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合線中，接合線包含合計為0.011~1.2質量%之Ga、Ge。藉此，可提昇高溫高濕環境下之球接合部之接合壽命，改善接合可靠性。較佳為Pd被覆層之厚度為0.015~0.150μm。若接合線進而含有分別為0.011~1.2質量%之Ni、Ir、Pt之1種以上，則可提昇175℃以上之高溫環境下之球接合部可靠性。又，若於Pd被覆層之表面進而形成包含Au及Pd之合金表皮層，則會改善楔接合性。
简体摘要： 本发明提供一种接合线，其系于表面具有Pd被覆层之Cu接合线，且改善高温高湿环境下之球接合部之接合可靠性，适合于车载用组件。 于具有Cu合金芯材、及形成于上述Cu合金芯材之表面之Pd被覆层之半导体设备用接合线中，接合线包含合计为0.011~1.2质量%之Ga、Ge。借此，可提升高温高湿环境下之球接合部之接合寿命，改善接合可靠性。较佳为Pd被覆层之厚度为0.015~0.150μm。若接合线进而含有分别为0.011~1.2质量%之Ni、Ir、Pt之1种以上，则可提升175℃以上之高温环境下之球接合部可靠性。又，若于Pd被覆层之表面进而形成包含Au及Pd之合金表皮层，则会改善楔接合性。
-
公开(公告)号：TW201643261A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105116514
申请日：2016-05-26
申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO
CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013
摘要： 本發明之半導體裝置用接合線具有Cu合金芯材、及形成於其表面之Pd被覆層，可同時實現高溫下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 藉由使導線中包含賦予高溫環境下之連接可靠性之元素而提高高溫下之球接合部之接合可靠性，進而，藉由於對接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中相對於導線長度方向之角度差為15度以下之結晶方位 之方位比率設為30%以上，且將接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.5μm，而將耐力比設為1.6以下。
简体摘要： 本发明之半导体设备用接合线具有Cu合金芯材、及形成于其表面之Pd被覆层，可同时实现高温下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 借由使导线中包含赋予高温环境下之连接可靠性之元素而提高高温下之球接合部之接合可靠性，进而，借由于对接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中相对于导线长度方向之角度差为15度以下之结晶方位<100>之方位比率设为30%以上，且将接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.5μm，而将耐力比设为1.6以下。
-
公开(公告)号：TWI555860B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW102102164
申请日：2013-01-21
发明人： 富樫亮 , TOGASHI, RYO
CPC分类号： B23K35/0227 , B21C1/02 , B21C9/00 , B21C37/042 , B22D11/041 , B23K35/22 , B23K35/302 , B23K35/404 , B32B15/018 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/745 , H01L2224/43 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/745 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , Y10T29/49988 , Y10T428/12222 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01206 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033
-
公开(公告)号：TW201624655A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104122812
申请日：2015-07-14
申请人： 賀利氏德國有限責任兩合公司 , HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG , 新加坡賀利氏材料私人有限公司 , HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE., LTD.
发明人： 薩蘭加帕尼 穆拉利 , SARANGAPANI, MURALI , 張 兮 , ZHANG, XI , 楊 平熹 , YEUNG, PING HA , 米爾克 歐根 , MILKE, EUGEN
IPC分类号： H01L23/49
CPC分类号： H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85207 , H01L2924/00011 , H01L2924/14 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01046 , H01L2924/01204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01078 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/01005
摘要： 一種球型接合裝置，其包含半導體器件之鋁接合墊及球型接合至該鋁接合墊之線，其中該線具有10μm至80μm之直徑並包含由銅合金組成之芯，該銅合金由0.05wt%至3wt%之鈀及/或鉑與作為剩餘物補足100wt%之銅組成。
简体摘要： 一种球型接合设备，其包含半导体器件之铝接合垫及球型接合至该铝接合垫之线，其中该线具有10μm至80μm之直径并包含由铜合金组成之芯，该铜合金由0.05wt%至3wt%之钯及/或铂与作为剩余物补足100wt%之铜组成。
-
公开(公告)号：TW201614748A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW105100595
申请日：2013-11-26
发明人： 米爾克 歐根 , MILKE, EUGEN , 史查夫 優爾根 , SCHARF, JUERGEN
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： B23K20/007 , B23K20/10 , B23K35/0261 , B23K35/0272 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/322 , B23K35/40 , B23K35/404 , B23K2201/42 , C23C14/14 , C23C18/08 , C23C28/00 , C23C30/00 , C25D5/34 , C25D7/0607 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/745 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/43125 , H01L2224/432 , H01L2224/4321 , H01L2224/435 , H01L2224/43823 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/4556 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45663 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45678 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48824 , H01L2224/85181 , H01L2224/85801 , H01L2924/00011 , H01L2924/01076 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H05K1/09 , H05K3/34 , H05K2201/10287 , H05K2203/049 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/01046 , H01L2924/01006 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/01007 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20752 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049 , H01L2924/01005 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要： 本發明係關於一種接合線材，其包括一具有一表面之芯，其中該芯包括選自由銅及銀組成之群的芯主要組分；及一至少部分覆蓋在該芯之表面上的塗覆層，其中該塗覆層包括作為佔至少10%含量之組分之選自鈀、鉑、金、銠、釕、鋨及銥之群的塗覆組分；其特徵在於該塗覆層包括作為佔至少10%含量之組分的該芯的主要組分。
简体摘要： 本发明系关于一种接合线材，其包括一具有一表面之芯，其中该芯包括选自由铜及银组成之群的芯主要组分；及一至少部分覆盖在该芯之表面上的涂覆层，其中该涂覆层包括作为占至少10%含量之组分之选自钯、铂、金、铑、钌、锇及铱之群的涂覆组分；其特征在于该涂覆层包括作为占至少10%含量之组分的该芯的主要组分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
159 条记录 (耗时 0.033 秒)
