封裝結構及其製法
    3.
    发明专利
    封裝結構及其製法 审中-公开
    封装结构及其制法

    公开(公告)号:TW201701418A

    公开(公告)日:2017-01-01

    申请号:TW104120479

    申请日:2015-06-25

    IPC分类号: H01L23/28 H01L23/34 H01L21/56

    摘要: 一種封裝結構,係包括:基板、設於該基板上之第一電子元件與第二電子元件、設於該第二電子元件上之散熱板、以及包覆該散熱板、第一與第二電子元件之封裝層,其中,該第一電子元件之高度係高於該第二電子元件之高度,且該第一電子元件之高度係等於該第二電子元件與該散熱板之總高度,而該散熱板之表面與該第一電子元件之表面外露於該封裝層,以令該第一電子元件達到散熱之目的,且令該第二電子元件利用該散熱板而達到散熱之目的。本發明復提供該封裝結構之製法。

    简体摘要: 一种封装结构,系包括:基板、设于该基板上之第一电子组件与第二电子组件、设于该第二电子组件上之散热板、以及包覆该散热板、第一与第二电子组件之封装层,其中,该第一电子组件之高度系高于该第二电子组件之高度,且该第一电子组件之高度系等于该第二电子组件与该散热板之总高度,而该散热板之表面与该第一电子组件之表面外露于该封装层,以令该第一电子组件达到散热之目的,且令该第二电子组件利用该散热板而达到散热之目的。本发明复提供该封装结构之制法。

    半導體封裝件及其製法
    5.
    发明专利
    半導體封裝件及其製法 审中-公开
    半导体封装件及其制法

    公开(公告)号:TW201611203A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:TW103131509

    申请日:2014-09-12

    IPC分类号: H01L23/12 H01L23/28

    摘要: 一種半導體封裝件及其製法,半導體封裝件包括封裝膠體、半導體元件、複數導電柱以及增層結構。封裝膠體係具有相對之第一與第二表面。半導體元件係嵌埋於封裝膠體內並具有相對之主動面與被動面,且主動面係與封裝膠體之第一表面同側。導電柱係嵌埋於封裝膠體內,並具有相對之第一與第二端部以分別外露於封裝膠體之第一及第二表面。增層結構係形成於封裝膠體之第一表面上,並電性連接半導體元件及導電柱之第一端部。藉此,本發明無須精準對位,便可將增層結構電性連接至導電柱。

    简体摘要: 一种半导体封装件及其制法,半导体封装件包括封装胶体、半导体组件、复数导电柱以及增层结构。封装胶体系具有相对之第一与第二表面。半导体组件系嵌埋于封装胶体内并具有相对之主动面与被动面,且主动面系与封装胶体之第一表面同侧。导电柱系嵌埋于封装胶体内,并具有相对之第一与第二端部以分别外露于封装胶体之第一及第二表面。增层结构系形成于封装胶体之第一表面上,并电性连接半导体组件及导电柱之第一端部。借此,本发明无须精准对位,便可将增层结构电性连接至导电柱。