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公开(公告)号：TW201827131A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106102379
申请日：2017-01-23
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 王愉博 , WANG, YU PO
Abstract: 一種上膠設備，係包括：機台本體、設於該機台本體上之供膠裝置以及感應式量測裝置，以藉由該感應式量測裝置量測該供膠裝置所形成至一物件上之膠材之份量。本發明復提供該上膠設備之使用方法。
Abstract in simplified Chinese: 一种上胶设备，系包括：机台本体、设于该机台本体上之供胶设备以及感应式量测设备，以借由该感应式量测设备量测该供胶设备所形成至一对象上之胶材之份量。本发明复提供该上胶设备之使用方法。
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公开(公告)号：TW201818516A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105136121
申请日：2016-11-07
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 王愉博 , WANG, YU PO
IPC: H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 一種電子封裝件之製法，先設置第一電子元件於一承載件上，且該第一電子元件上設有第一絕緣層，再形成包覆該第一絕緣層與該第一電子元件之包覆層於該承載件上，接著僅需移除部分該包覆層與部分該第一絕緣層，即可於該包覆層及第一絕緣層上形成第二絕緣層及電性連接該第一電子元件之線路層。本發明復提供該電子封裝件。
Abstract in simplified Chinese: 一种电子封装件之制法，先设置第一电子组件于一承载件上，且该第一电子组件上设有第一绝缘层，再形成包覆该第一绝缘层与该第一电子组件之包覆层于该承载件上，接着仅需移除部分该包覆层与部分该第一绝缘层，即可于该包覆层及第一绝缘层上形成第二绝缘层及电性连接该第一电子组件之线路层。本发明复提供该电子封装件。
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公开(公告)号：TWI571185B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103135624
申请日：2014-10-15
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 紀傑元 , CHI, CHIEH YUAN
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162
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公开(公告)号：TWI546920B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW102147718
申请日：2013-12-23
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 葉啓東 , YEH, CHI TUNG , 黃惠暖 , HUANG, HUEI NUAN , 李百淵 , LI, PAI YUAN , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI543320B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103129815
申请日：2014-08-29
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 紀傑元 , CHI, CHIEH YUAN
IPC: H01L23/48 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201539653A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103113640
申请日：2014-04-15
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG , 紀傑元 , CHI, CHIEH YUAN , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76879 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/53228 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種導電盲孔結構之製法，係先形成穿孔於一封裝膠體上，再形成介電層於該封裝膠體上，且該介電層填滿該些穿孔，之後形成盲孔於該介電層上，且該盲孔係位於該些穿孔中，最後形成導電材於該盲孔中。藉由先將該介電層填滿該些穿孔，再形成該盲孔於該些穿孔中之介電層中，以改善該些穿孔之壁面之粗糙度。本發明復提供該導電盲孔結構。
Abstract in simplified Chinese: 一种导电盲孔结构之制法，系先形成穿孔于一封装胶体上，再形成介电层于该封装胶体上，且该介电层填满该些穿孔，之后形成盲孔于该介电层上，且该盲孔系位于该些穿孔中，最后形成导电材于该盲孔中。借由先将该介电层填满该些穿孔，再形成该盲孔于该些穿孔中之介电层中，以改善该些穿孔之壁面之粗糙度。本发明复提供该导电盲孔结构。
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公开(公告)号：TW201539592A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103112457
申请日：2014-04-03
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG , 紀傑元 , CHI, CHIEH YUAN , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 劉亦瑋 , LIU, YIWEI
CPC classification number: H01L24/96 , H01L21/568 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012
Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係先提供一封裝體，係具有絕緣層及嵌埋於該絕緣層中之至少一半導體元件，該半導體元件具有相對之主動面與非主動面，且該絕緣層係具有相對之第一表面與第二表面，該第一表面與該主動面同側，而該絕緣層之第二表面形成有至少一凹陷處；接著，形成填補材於該凹陷處中；之後形成線路重佈結構於該半導體元件與該絕緣層上。藉由該填補材填滿該凹陷處，以提升該絕緣層之第二表面之平整性。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系先提供一封装体，系具有绝缘层及嵌埋于该绝缘层中之至少一半导体组件，该半导体组件具有相对之主动面与非主动面，且该绝缘层系具有相对之第一表面与第二表面，该第一表面与该主动面同侧，而该绝缘层之第二表面形成有至少一凹陷处；接着，形成填补材于该凹陷处中；之后形成线路重布结构于该半导体组件与该绝缘层上。借由该填补材填满该凹陷处，以提升该绝缘层之第二表面之平整性。
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公开(公告)号：TW201519328A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102140243
申请日：2013-11-06
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 紀傑元 , CHI, CHIEH YUAN
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/96 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012
Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係先提供一封裝結構，其包含承載件、設於該承載件上之半導體元件及形成於該承載件上且包覆該半導體元件之封裝材，再結合一承載結構於該封裝材上，之後移除該承載件，藉由該承載結構之設計，以當移除該承載件後能平衡該封裝材之應力，使後續線路重佈結構之製程能順利進行。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系先提供一封装结构，其包含承载件、设于该承载件上之半导体组件及形成于该承载件上且包覆该半导体组件之封装材，再结合一承载结构于该封装材上，之后移除该承载件，借由该承载结构之设计，以当移除该承载件后能平衡该封装材之应力，使后续线路重布结构之制程能顺利进行。
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公开(公告)号：TWI610404B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103120146
申请日：2014-06-11
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 紀傑元 , CHI, CHIEH YUAN
CPC classification number: H01L24/96 , H01L21/568 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI556365B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103114636
申请日：2014-04-23
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor： 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 紀傑元 , CHI, CHIEH YUAN , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012
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