公开(公告)号：TWI697084B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW105138629

申请日：2016-11-24

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S. ,  摩塔吉恩 格雷戈里歐 R. ,  MURTAGIAN, GREGORIO R. ,  葛尼森 桑卡 ,  GANESAN, SANKA ,  萊曼 愛德華 ,  ROYTMAN, EDUARD ,  莫里斯 傑夫 C. ,  MORRISS, JEFF C. ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  張宇 ,  ZHANG, YU AMOS

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

公开(公告)号：TW201733034A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105135858

申请日：2016-11-04

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 巴拉斯 克里西納 ,  BHARATH, KRISHNA ,  馬努沙羅 馬修 J. ,  MANUSHAROW, MATHEW J. ,  艾爾夏比尼 阿黛爾 A. ,  ELSHERBINI, ADEL A. ,  羅伊 米赫 K. ,  ROY, MIHIR K. ,  亞歷克索夫 亞歷山大 ,  ALEKSOV, ALEKSANDAR ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S. ,  索托岡薩雷斯 賈維爾 ,  SOTO GONZALEZ, JAVIER ,  伊德 菲拉斯 ,  EID, FERAS ,  奈德 蘇達沙特瓦 ,  NAD, SUDDHASATTWA ,  焦美姿 ,  JIAO, MEIZI

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/486 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838

摘要： 本發明的具體實施例包括一種電子封裝體及形成該封裝體的方法。在一實施例中，該電子封裝體可包括第一封裝層。可於該第一封裝層上形成具有第一厚度的複數條訊號線。另外，可於該第一封裝層上形成具有第二厚度的一電力平面。根據一實施例，該第二厚度大於該第一厚度。本發明的實施例可以用來形成該等複數條訊號線之微影圖案化及沉積製程不同的微影圖案化及沉積製程來形成該電力平面。在一實施例中，該電力平面可與使該等訊號線電氣耦合至下一個佈線層的通孔同時形成。

简体摘要： 本发明的具体实施例包括一种电子封装体及形成该封装体的方法。在一实施例中，该电子封装体可包括第一封装层。可于该第一封装层上形成具有第一厚度的复数条信号线。另外，可于该第一封装层上形成具有第二厚度的一电力平面。根据一实施例，该第二厚度大于该第一厚度。本发明的实施例可以用来形成该等复数条信号线之微影图案化及沉积制程不同的微影图案化及沉积制程来形成该电力平面。在一实施例中，该电力平面可与使该等信号线电气耦合至下一个布线层的通孔同时形成。

公开(公告)号：TW201810602A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106114931

申请日：2017-05-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 傑雅拉曼 賽庫瑪 ,  JAYARAMAN, SAIKUMAR ,  古札克 約翰 S. ,  GUZEK, JOHN S. ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S.

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161

摘要： 與積體電路 (IC)封裝體設計關聯的設備、方法與系統是被揭露於此中。一IC封裝堆疊可以包括一第一IC封裝體和一第二IC封裝體。該第一IC封裝體可以包括一第一晶粒和一使位於該第一IC封裝體之第一側之接點連通地耦合到該第一晶粒及到位於該第一IC封裝體之第二側之接點的第一重新分佈層，該第二側是與該第一側相對。該第二IC封裝體可以被安裝到該第一IC封裝體的第二側。該第二IC封裝體可以包括一第二晶粒和一使位於該第二IC封裝體之一側之接點連通地耦合到該第二晶粒，該第二IC封裝體的接點是被連通地耦合到位於該第一IC封裝體之第二側的接點。

简体摘要： 与集成电路 (IC)封装体设计关联的设备、方法与系统是被揭露于此中。一IC封装堆栈可以包括一第一IC封装体和一第二IC封装体。该第一IC封装体可以包括一第一晶粒和一使位于该第一IC封装体之第一侧之接点连通地耦合到该第一晶粒及到位于该第一IC封装体之第二侧之接点的第一重新分布层，该第二侧是与该第一侧相对。该第二IC封装体可以被安装到该第一IC封装体的第二侧。该第二IC封装体可以包括一第二晶粒和一使位于该第二IC封装体之一侧之接点连通地耦合到该第二晶粒，该第二IC封装体的接点是被连通地耦合到位于该第一IC封装体之第二侧的接点。

公开(公告)号：TW201735298A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105138629

申请日：2016-11-24

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S. ,  摩塔吉恩 格雷戈里歐 R. ,  MURTAGIAN, GREGORIO R. ,  葛尼森 桑卡 ,  GANESAN, SANKA ,  萊曼 愛德華 ,  ROYTMAN, EDUARD ,  莫里斯 傑夫 C. ,  MORRISS, JEFF C. ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  張宇 ,  ZHANG, YU AMOS

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 一垂直接地隔離封裝裝置可包括(1)用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；(2)封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及(3)用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽。此等減少了資料訊號接點、附接結構及垂直「訊號」互連件間之串擾。該等接地屏蔽附接結構可包括焊料凸塊及/或表面接點之圖案。該陰影孔洞可環繞接地平面中之孔洞且比資料訊號焊料凸塊更大。該等垂直接地屏蔽結構可包括垂直資料訊號互連件間之接地屏蔽互連件之圖案。該屏蔽柵欄可包括接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之圖案。用於該電光模組之該接地屏蔽可包括接地隔離屏蔽附接及接點之圖案。

简体摘要： 一垂直接地隔离封装设备可包括(1)用于封装设备的数据信号接点之接地屏蔽附接结构及阴影孔洞；(2)封装设备的垂直数据信号互连件之垂直接地屏蔽结构及屏蔽栅栏；以及(3)用于封装设备的光电模块连接器数据信号接点及接点针脚之接地屏蔽。此等减少了数据信号接点、附接结构及垂直“信号”互连件间之串扰。该等接地屏蔽附接结构可包括焊料凸块及/或表面接点之图案。该阴影孔洞可环绕接地平面中之孔洞且比数据信号焊料凸块更大。该等垂直接地屏蔽结构可包括垂直数据信号互连件间之接地屏蔽互连件之图案。该屏蔽栅栏可包括接地经镀覆的贯穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之图案。用于该电光模块之该接地屏蔽可包括接地隔离屏蔽附接及接点之图案。