公开(公告)号：TW201841328A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106141222

申请日：2017-11-27

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  布蘭尼許 海寧 ,  BRAUNISCH, HENNING ,  馬哈吉 雷文卓奈斯 ,  MAHAJAN, RAVINDRANATH ,  錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  莎朗 蘇吉特 ,  SHARAN, SUJIT

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/60

摘要： 一種利用一轉發器電路以延伸一互連橋接件之可行長度之裝置及方法。顯示使用一轉發器晶粒中之一轉發器電路，嵌入至一基材內，以及包含在一互連橋接件中之積體電路封裝件。顯示使用耦接轉發器電路之互連橋接件之連接半導體晶粒的方法。

简体摘要： 一种利用一转发器电路以延伸一互连桥接件之可行长度之设备及方法。显示使用一转发器晶粒中之一转发器电路，嵌入至一基材内，以及包含在一互连桥接件中之集成电路封装件。显示使用耦接转发器电路之互连桥接件之连接半导体晶粒的方法。

公开(公告)号：TW201719857A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105121525

申请日：2016-07-07

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 索比斯基 丹尼爾 ,  SOBIESKI, DANIEL ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI ,  切雷克庫爾 莫維 ,  CELIKKOL, MERVE ,  李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/147 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/3511

摘要： 本發明大體上論述用於包括一無機中介件之多晶片封裝之方法及裝置。一種裝置可包括：一基體，該基體於其中包括低密度互連電路；該基體上之一無機中介件，該無機中介件包括電連接至該低密度互連電路之高密度互連電路，該無機中介件包括無機材料；以及兩個或兩個以上晶片，其電連接至該無機中介件，該等兩個或兩個以上晶片經由該高密度互連電路彼此電連接。

简体摘要： 本发明大体上论述用于包括一无机中介件之多芯片封装之方法及设备。一种设备可包括：一基体，该基体于其中包括低密度互连电路；该基体上之一无机中介件，该无机中介件包括电连接至该低密度互连电路之高密度互连电路，该无机中介件包括无机材料；以及两个或两个以上芯片，其电连接至该无机中介件，该等两个或两个以上芯片经由该高密度互连电路彼此电连接。

公开(公告)号：TW201810581A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106116165

申请日：2017-05-16

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  金 大禑 ,  KIM, DAE-WOO ,  佩里西亞多 傑基 C ,  PRECIADO, JACKIE C

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/52 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192

摘要： 一微電子封裝橋接器可包含有複數個接地層、及與該複數個接地層交織之複數個信號層。各該信號層可包括有複數條導電路徑。各該導電路徑可布置來在一第一晶粒之第一複數個凸塊其中一者與一第二晶粒之第二複數個凸塊其中一者之間形成一電氣連接。該複數條導電路徑各可具有彼此實質相等之一長度。

简体摘要： 一微电子封装桥接器可包含有复数个接地层、及与该复数个接地层交织之复数个信号层。各该信号层可包括有复数条导电路径。各该导电路径可布置来在一第一晶粒之第一复数个凸块其中一者与一第二晶粒之第二复数个凸块其中一者之间形成一电气连接。该复数条导电路径各可具有彼此实质相等之一长度。

公开(公告)号：TWI699869B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW105121525

申请日：2016-07-07

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 索比斯基 丹尼爾 ,  SOBIESKI, DANIEL ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI ,  切雷克庫爾 莫維 ,  CELIKKOL, MERVE ,  李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18

公开(公告)号：TWI697084B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW105138629

申请日：2016-11-24

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S. ,  摩塔吉恩 格雷戈里歐 R. ,  MURTAGIAN, GREGORIO R. ,  葛尼森 桑卡 ,  GANESAN, SANKA ,  萊曼 愛德華 ,  ROYTMAN, EDUARD ,  莫里斯 傑夫 C. ,  MORRISS, JEFF C. ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  張宇 ,  ZHANG, YU AMOS

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

公开(公告)号：TW201733053A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105138250

申请日：2016-11-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  謝建勇 ,  XIE, JIANYONG ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/20 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014

摘要： 本發明揭露具有穿式橋接晶粒連接的半導體封裝體以及其製造方法。半導體封裝體可容置一或多個電子組件，作為一系統級封裝(SiP)實行方式。一橋接晶粒，諸如一嵌入式多晶粒互連橋接(EMIB)可嵌入半導體封裝體的一或多個增建層內。橋接晶粒可具有一導電體塊，該導電體塊可在一背側上被電氣式連接至一電力層並用來輸送電力至一或多個晶粒，該一或多個晶粒經由互連件而附接至半導體封裝體，該等互連件形成於電氣式連接至橋接晶粒的體塊之橋接晶粒的一頂側上。相較於將電力排佈於橋接晶粒周圍而言，本發明可達成用於通過橋接晶粒的電力輸送之一種更直接的路徑。

简体摘要： 本发明揭露具有穿式桥接晶粒连接的半导体封装体以及其制造方法。半导体封装体可容置一或多个电子组件，作为一系统级封装(SiP)实行方式。一桥接晶粒，诸如一嵌入式多晶粒互连桥接(EMIB)可嵌入半导体封装体的一或多个增建层内。桥接晶粒可具有一导电体块，该导电体块可在一背侧上被电气式连接至一电力层并用来输送电力至一或多个晶粒，该一或多个晶粒经由互连件而附接至半导体封装体，该等互连件形成于电气式连接至桥接晶粒的体块之桥接晶粒的一顶侧上。相较于将电力排布于桥接晶粒周围而言，本发明可达成用于通过桥接晶粒的电力输送之一种更直接的路径。

公开(公告)号：TW201735298A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105138629

申请日：2016-11-24

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S. ,  摩塔吉恩 格雷戈里歐 R. ,  MURTAGIAN, GREGORIO R. ,  葛尼森 桑卡 ,  GANESAN, SANKA ,  萊曼 愛德華 ,  ROYTMAN, EDUARD ,  莫里斯 傑夫 C. ,  MORRISS, JEFF C. ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  張宇 ,  ZHANG, YU AMOS

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 一垂直接地隔離封裝裝置可包括(1)用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；(2)封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及(3)用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽。此等減少了資料訊號接點、附接結構及垂直「訊號」互連件間之串擾。該等接地屏蔽附接結構可包括焊料凸塊及/或表面接點之圖案。該陰影孔洞可環繞接地平面中之孔洞且比資料訊號焊料凸塊更大。該等垂直接地屏蔽結構可包括垂直資料訊號互連件間之接地屏蔽互連件之圖案。該屏蔽柵欄可包括接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之圖案。用於該電光模組之該接地屏蔽可包括接地隔離屏蔽附接及接點之圖案。

简体摘要： 一垂直接地隔离封装设备可包括(1)用于封装设备的数据信号接点之接地屏蔽附接结构及阴影孔洞；(2)封装设备的垂直数据信号互连件之垂直接地屏蔽结构及屏蔽栅栏；以及(3)用于封装设备的光电模块连接器数据信号接点及接点针脚之接地屏蔽。此等减少了数据信号接点、附接结构及垂直“信号”互连件间之串扰。该等接地屏蔽附接结构可包括焊料凸块及/或表面接点之图案。该阴影孔洞可环绕接地平面中之孔洞且比数据信号焊料凸块更大。该等垂直接地屏蔽结构可包括垂直数据信号互连件间之接地屏蔽互连件之图案。该屏蔽栅栏可包括接地经镀覆的贯穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之图案。用于该电光模块之该接地屏蔽可包括接地隔离屏蔽附接及接点之图案。

公开(公告)号：TW201729391A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105139056

申请日：2016-11-28

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 張宇 ,  ZHANG, YU AMOS ,  瑞賈拉多 加百列爾 S. ,  REGALADO, GABRIEL S. ,  錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0243

摘要： 一種接地隔離傳輸線路封裝裝置包括(1)介於水平資料信號傳輸線路(例如，金屬信號跡線)之間的接地隔離平面、(2)包圍該等水平資料信號傳輸線路的接地隔離線路，或(3)介於該等水平資料信號傳輸線路之間的此類接地平面及包圍該等水平資料信號傳輸線路的此類接地隔離線路，該等水平資料信號傳輸線路水平地路由穿過該封裝裝置。該等(1)其間的接地隔離平面及/或(2)接地隔離線路電氣式屏蔽在信號線路中傳送的資料信號，因此減少該等資料信號傳輸線路之間的信號串音且增加該等資料信號傳輸線路之電氣隔離。另外，資料信號傳輸線路可使用眼圖加以調諧以選擇提供最佳資料傳輸效能的信號線路寬度及接地隔離線路寬度。此封裝裝置在該等資料信號傳輸線路之不同水平位置之間，且因此亦在諸如附接至該封裝裝置的積體電路(IC)晶片的裝置之間提供較高頻率及更精確的資料信號傳遞。

简体摘要： 一种接地隔离传输线路封装设备包括(1)介于水平数据信号传输线路(例如，金属信号迹线)之间的接地隔离平面、(2)包围该等水平数据信号传输线路的接地隔脱机路，或(3)介于该等水平数据信号传输线路之间的此类接地平面及包围该等水平数据信号传输线路的此类接地隔脱机路，该等水平数据信号传输线路水平地路由穿过该封装设备。该等(1)其间的接地隔离平面及/或(2)接地隔脱机路电气式屏蔽在信号线路中发送的数据信号，因此减少该等数据信号传输线路之间的信号串音且增加该等数据信号传输线路之电气隔离。另外，数据信号传输线路可使用眼图加以调谐以选择提供最佳数据传输性能的信号线路宽度及接地隔脱机路宽度。此封装设备在该等数据信号传输线路之不同水平位置之间，且因此亦在诸如附接至该封装设备的集成电路(IC)芯片的设备之间提供较高频率及更精确的数据信号传递。

公开(公告)号：TW201729390A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105138652

申请日：2016-11-24

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 張宇 ,  ZHANG, YU AMOS ,  瑞賈拉多 加百列爾 S. ,  REGALADO, GABRIEL S. ,  錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0243

摘要： 一種接地隔離傳輸線路封裝裝置包括(1)介於水平資料信號傳輸線路(例如，金屬信號跡線)之間的接地隔離平面、(2)包圍該等水平資料信號傳輸線路的接地隔離線路，或(3)介於該等水平資料信號傳輸線路之間的此類接地平面及包圍該等水平資料信號傳輸線路的此類接地隔離線路，該等水平資料信號傳輸線路水平地路由穿過該封裝裝置。該等(1)其間的接地隔離平面及/或(2)接地隔離線路電氣地屏蔽在信號線路中傳送的資料信號，因此減少該等資料信號傳輸線路之間的信號串音且增加該等資料信號傳輸線路之電氣隔離。另外，資料信號傳輸線路可使用眼圖加以調諧以選擇提供最佳資料傳輸效能的信號線路寬度及接地隔離線路寬度。此封裝裝置在該等資料信號傳輸線路之不同水平位置之間，且因此亦在諸如附接至該封裝裝置的積體電路(IC)晶片的裝置之間提供較高頻率及更精確的資料信號傳遞。

简体摘要： 一种接地隔离传输线路封装设备包括(1)介于水平数据信号传输线路(例如，金属信号迹线)之间的接地隔离平面、(2)包围该等水平数据信号传输线路的接地隔脱机路，或(3)介于该等水平数据信号传输线路之间的此类接地平面及包围该等水平数据信号传输线路的此类接地隔脱机路，该等水平数据信号传输线路水平地路由穿过该封装设备。该等(1)其间的接地隔离平面及/或(2)接地隔脱机路电气地屏蔽在信号线路中发送的数据信号，因此减少该等数据信号传输线路之间的信号串音且增加该等数据信号传输线路之电气隔离。另外，数据信号传输线路可使用眼图加以调谐以选择提供最佳数据传输性能的信号线路宽度及接地隔脱机路宽度。此封装设备在该等数据信号传输线路之不同水平位置之间，且因此亦在诸如附接至该封装设备的集成电路(IC)芯片的设备之间提供较高频率及更精确的数据信号传递。

公开(公告)号：TW201618232A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104126392

申请日：2015-08-13

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO ,  艾崗 肯莫 ,  AYGUN, KEMAL ,  金大祐 ,  KIM, DAE-WOO

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5381 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15311

摘要： 本發明揭露之實施例指向互連路由配置及相關技術。在一實施例中，一種設備包含基板、設置在基板上且具有第一複數走線的第一路由層、和設置為直接相鄰於第一路由層且具有第二複數走線的第二路由層，其中，第一複數走線的第一走線具有大於第二複數走線的第二走線之寬度的寬度。可描述及/或主張其他實施例。

简体摘要： 本发明揭露之实施例指向互连路由配置及相关技术。在一实施例中，一种设备包含基板、设置在基板上且具有第一复数走线的第一路由层、和设置为直接相邻于第一路由层且具有第二复数走线的第二路由层，其中，第一复数走线的第一走线具有大于第二复数走线的第二走线之宽度的宽度。可描述及/或主张其他实施例。