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    具有電介質襯裡之高電壓三維裝置
    2.
    发明专利
    具有電介質襯裡之高電壓三維裝置 审中-公开
    具有电介质衬里之高电压三维设备

    公开(公告)号：TW201832349A

    公开(公告)日：2018-09-01

    申请号：TW106139962

    申请日：2013-06-13

    Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    Inventor： 賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  哈瑪撒帝 古賓納 ,  BHIMARASETTI, GOPINATH

    IPC: H01L27/105 ,  H01L21/31

    Abstract: 說明具有電介質襯裡的高電壓三維裝置以及具有電介質襯裡的高電壓三維裝置的形成方法。舉例而言，半導體結構包含配置在上述基底上方的第一鰭主動區以及第二鰭主動區。第一閘極結構配置在第一鰭主動區的上表面上方、以及延著第一鰭主動區的側壁。第一閘極結構包含第一閘極電介質、第一閘極電極、及第一間隔器。第一閘極電介質由配置在第一鰭主動區上及延著第一間隔器側壁之第一電介層、以及配置在第一電介層上及延著第一間隔器側壁之第二、不同的電介層構成。半導體結構也包含配置在第二鰭主動區的上表面上方、以及延著第二鰭主動區的側壁之第二閘極結構。第二閘極結構包含第二閘極電介質、第二閘極電極、及第二間隔器。第二閘極電介質由配置在第二鰭主動區上及延著第二間隔器側壁之第二電介層構成。

    Abstract in simplified Chinese: 说明具有电介质衬里的高电压三维设备以及具有电介质衬里的高电压三维设备的形成方法。举例而言，半导体结构包含配置在上述基底上方的第一鳍主动区以及第二鳍主动区。第一闸极结构配置在第一鳍主动区的上表面上方、以及延着第一鳍主动区的侧壁。第一闸极结构包含第一闸极电介质、第一闸极电极、及第一间隔器。第一闸极电介质由配置在第一鳍主动区上及延着第一间隔器侧壁之第一电介层、以及配置在第一电介层上及延着第一间隔器侧壁之第二、不同的电介层构成。半导体结构也包含配置在第二鳍主动区的上表面上方、以及延着第二鳍主动区的侧壁之第二闸极结构。第二闸极结构包含第二闸极电介质、第二闸极电极、及第二间隔器。第二闸极电介质由配置在第二鳍主动区上及延着第二间隔器侧壁之第二电介层构成。

    有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置
    7.
    发明专利
    有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置 审中-公开
    有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备

    公开(公告)号：TW201637216A

    公开(公告)日：2016-10-16

    申请号：TW105105807

    申请日：2014-06-23

    Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    Inventor： 葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

    CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    Abstract: 敘述有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置，以及製造有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置的方法。例如，半導體結構包含，半導體鰭部，設置於半導體基板上且具有頂表面。隔離層，設置於半導體鰭部的任一側上，且凹陷至半導體鰭部的頂表面下以提供半導體鰭部的突出部分。突出部分具有側壁及頂表面。閘極阻擋層，具有設置在半導體鰭部的頂表面的至少一部分上的第一部分，且具有設置在半導體鰭部的側壁的至少一部分上的第二部分。閘極阻擋層的第一部分與閘極阻擋層的第二部分連續，但閘極阻擋層的第一部分厚於閘極阻擋層的第二部分。閘極堆疊，設置於閘極阻擋層的第一部分及第二部分上。

    Abstract in simplified Chinese: 叙述有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备，以及制造有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备的方法。例如，半导体结构包含，半导体鳍部，设置于半导体基板上且具有顶表面。隔离层，设置于半导体鳍部的任一侧上，且凹陷至半导体鳍部的顶表面下以提供半导体鳍部的突出部分。突出部分具有侧壁及顶表面。闸极阻挡层，具有设置在半导体鳍部的顶表面的至少一部分上的第一部分，且具有设置在半导体鳍部的侧壁的至少一部分上的第二部分。闸极阻挡层的第一部分与闸极阻挡层的第二部分连续，但闸极阻挡层的第一部分厚于闸极阻挡层的第二部分。闸极堆栈，设置于闸极阻挡层的第一部分及第二部分上。

    用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器
    9.
    发明专利
    用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器 审中-公开
    用于非平面半导体设备架构的精密电阻器

    公开(公告)号：TW201432908A

    公开(公告)日：2014-08-16

    申请号：TW102131802

    申请日：2013-09-04

    Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    Inventor： 葉正亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  汎德佛 彼德 ,  VANDERVOORN, PETER J. ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0886 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

    Abstract: 說明用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器。在第一範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。電阻器結構係配置於第一半導體鰭上面但未在第二半導體鰭上面。電晶體結構係形成自第二半導體鰭但非自第一半導體鰭。在第二範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。隔離區域係配置於基板上面、介於第一及第二半導體鰭之間，且在小於第一及第二半導體鰭的高度。電阻器結構係配置於隔離區域上面但未在第一及第二半導體鰭上面。第一及第二電晶體結構係分別形成自第一及第二半導體鰭。

    Abstract in simplified Chinese: 说明用于非平面半导体设备架构的精密电阻器。在第一范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。电阻器结构系配置于第一半导体鳍上面但未在第二半导体鳍上面。晶体管结构系形成自第二半导体鳍但非自第一半导体鳍。在第二范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。隔离区域系配置于基板上面、介于第一及第二半导体鳍之间，且在小于第一及第二半导体鳍的高度。电阻器结构系配置于隔离区域上面但未在第一及第二半导体鳍上面。第一及第二晶体管结构系分别形成自第一及第二半导体鳍。

    具有電介質襯裡之高電壓三維裝置
    10.
    发明专利
    具有電介質襯裡之高電壓三維裝置 审中-公开
    具有电介质衬里之高电压三维设备

    公开(公告)号：TW201413920A

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：TW102120901

    申请日：2013-06-13

    Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    Inventor： 賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  哈瑪撒帝 古賓納 ,  BHIMARASETTI, GOPINATH

    IPC: H01L27/105 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/845 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6681

    Abstract: 說明具有電介質襯裡的高電壓三維裝置以及具有電介質襯裡的高電壓三維裝置的形成方法。舉例而言，半導體結構包含配置在上述基底上方的第一鰭主動區以及第二鰭主動區。第一閘極結構配置在第一鰭主動區的上表面上方、以及延著第一鰭主動區的側壁。第一閘極結構包含第一閘極電介質、第一閘極電極、及第一間隔器。第一閘極電介質由配置在第一鰭主動區上及延著第一間隔器側壁之第一電介層、以及配置在第一電介層上及延著第一間隔器側壁之第二、不同的電介層構成。半導體結構也包含配置在第二鰭主動區的上表面上方、以及延著第二鰭主動區的側壁之第二閘極結構。第二閘極結構包含第二閘極電介質、第二閘極電極、及第二間隔器。第二閘極電介質由配置在第二鰭主動區上及延著第二間隔器側壁之第二電介層構成。

    Abstract in simplified Chinese: 说明具有电介质衬里的高电压三维设备以及具有电介质衬里的高电压三维设备的形成方法。举例而言，半导体结构包含配置在上述基底上方的第一鳍主动区以及第二鳍主动区。第一闸极结构配置在第一鳍主动区的上表面上方、以及延着第一鳍主动区的侧壁。第一闸极结构包含第一闸极电介质、第一闸极电极、及第一间隔器。第一闸极电介质由配置在第一鳍主动区上及延着第一间隔器侧壁之第一电介层、以及配置在第一电介层上及延着第一间隔器侧壁之第二、不同的电介层构成。半导体结构也包含配置在第二鳍主动区的上表面上方、以及延着第二鳍主动区的侧壁之第二闸极结构。第二闸极结构包含第二闸极电介质、第二闸极电极、及第二间隔器。第二闸极电介质由配置在第二鳍主动区上及延着第二间隔器侧壁之第二电介层构成。

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