公开(公告)号：TW201628108A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW105110018

申请日：2013-10-03

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH ,  小卡本特 洛伊德 米爾頓 ,  CARPENTER JR., LOYDE MILTON

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述的實施例涉及一種製造引線框架上具有焊料阻流塞的封裝電路的方法。所述方法包括在引線框架的未來區段之間的分界線處部分地蝕刻所述引線框架的內表面作為形成溝槽的第一部分蝕刻。在所述溝槽內施加可黏合至所述引線框架的非導電材料，使得所述非導電材料橫跨所述溝槽延伸形成焊料阻流塞。將一個或多個組件附接至所述引線框架的內表面並囊封。在所述分界線處蝕刻所述引線框架的外表面以作為第二部分蝕刻使引線框架的不同區段斷開。

Abstract in simplified Chinese: 本文描述的实施例涉及一种制造引线框架上具有焊料阻流塞的封装电路的方法。所述方法包括在引线框架的未来区段之间的分界线处部分地蚀刻所述引线框架的内表面作为形成沟槽的第一部分蚀刻。在所述沟槽内施加可黏合至所述引线框架的非导电材料，使得所述非导电材料横跨所述沟槽延伸形成焊料阻流塞。将一个或多个组件附接至所述引线框架的内表面并囊封。在所述分界线处蚀刻所述引线框架的外表面以作为第二部分蚀刻使引线框架的不同区段断开。

公开(公告)号：TW201713202A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105120296

申请日：2016-06-28

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH

IPC: H05K7/20 ,  G06F1/26 ,  H02M3/158 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: G06F1/26 ,  G06F1/183 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H02M3/158

Abstract: 本發明提供用於基板的系統和方法，其中一個實施例涉及經模塑絕緣體基板。所述經模塑絕緣體基板包含具有第一表面和第二表面的第一絕緣體。所述第一絕緣體的所述第一表面中的凹口經配置以促進第二絕緣體在所述第一表面的暴露區域上方排氣。通過所述第一表面暴露第一導電端子。通過所述第二表面暴露第二導電端子，且所述第二導電端子電耦合到所述第一端子。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于基板的系统和方法，其中一个实施例涉及经模塑绝缘体基板。所述经模塑绝缘体基板包含具有第一表面和第二表面的第一绝缘体。所述第一绝缘体的所述第一表面中的凹口经配置以促进第二绝缘体在所述第一表面的暴露区域上方排气。通过所述第一表面暴露第一导电端子。通过所述第二表面暴露第二导电端子，且所述第二导电端子电耦合到所述第一端子。

公开(公告)号：TWI543279B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW102135780

申请日：2013-10-03

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH ,  小卡本特 洛伊德 米爾頓 ,  CARPENTER JR., LOYDE MILTON

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201428920A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102135781

申请日：2013-10-03

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH ,  小卡本特 洛伊德 米爾頓 ,  CARPENTER JR., LOYDE MILTON

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述的實施方案涉及製造裝置。所述方法包括在引線框架的內表面中蝕刻至少一個凹部圖案，所述至少一個凹部圖案包括限定安裝區域的周邊的周邊凹部。所述方法還包括將組件附接至引線框架的內表面，使得所述組件的單個端子附接在安裝區域中且單個端子覆蓋周邊凹部，其中周邊凹部具有使得凹部接近單個端子的周邊的尺寸和形狀。

Abstract in simplified Chinese: 本文描述的实施方案涉及制造设备。所述方法包括在引线框架的内表面中蚀刻至少一个凹部图案，所述至少一个凹部图案包括限定安装区域的周边的周边凹部。所述方法还包括将组件附接至引线框架的内表面，使得所述组件的单个端子附接在安装区域中且单个端子覆盖周边凹部，其中周边凹部具有使得凹部接近单个端子的周边的尺寸和形状。

公开(公告)号：TWI593071B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW102135781

申请日：2013-10-03

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH ,  小卡本特 洛伊德 米爾頓 ,  CARPENTER JR., LOYDE MILTON

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201409642A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102122682

申请日：2013-06-26

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 蘭多夫 ,  CRUZ, RANDOLPH ,  小卡本特 洛伊德 米爾頓 ,  CARPENTER JR., LOYDE MILTON

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一個實施方案目的在於製造封裝電路的方法。該方法包括部分地蝕刻在引線框架的未來區段之間的分界線處的引線框架的內表面作為第一部分蝕刻。一個或多個裸晶附接到引線框架的內表面並被密封。該方法還包括部分地蝕刻分界線處的引線框架的外表面以使引線框架的不同區段分離作為第二部分蝕刻，其中該第二部分蝕刻比內表面的第一部分蝕刻移除引線框架的橫向更寬的部分；以及包括部分地蝕刻引線框架的外表面作為第三部分蝕刻，其中該第三部分蝕刻與該第二部分蝕刻的一部分重叠並且比該第二部分蝕刻更深地延伸到引線框架中。

Abstract in simplified Chinese: 一个实施方案目的在于制造封装电路的方法。该方法包括部分地蚀刻在引线框架的未来区段之间的分界线处的引线框架的内表面作为第一部分蚀刻。一个或多个裸晶附接到引线框架的内表面并被密封。该方法还包括部分地蚀刻分界线处的引线框架的外表面以使引线框架的不同区段分离作为第二部分蚀刻，其中该第二部分蚀刻比内表面的第一部分蚀刻移除引线框架的横向更宽的部分；以及包括部分地蚀刻引线框架的外表面作为第三部分蚀刻，其中该第三部分蚀刻与该第二部分蚀刻的一部分重叠并且比该第二部分蚀刻更深地延伸到引线框架中。

公开(公告)号：TW201421589A

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW102135780

申请日：2013-10-03

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH ,  小卡本特 洛伊德 米爾頓 ,  CARPENTER JR., LOYDE MILTON

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述的實施例涉及一種製造引線框架上具有焊料阻流塞的封裝電路的方法。所述方法包括在引線框架的未來區段之間的分界線處部分地蝕刻所述引線框架的內表面作為形成溝槽的第一部分蝕刻。在所述溝槽內施加可黏合至所述引線框架的非導電材料，使得所述非導電材料橫跨所述溝槽延伸形成焊料阻流塞。將一個或多個組件附接至所述引線框架的內表面並囊封。在所述分界線處蝕刻所述引線框架的外表面以作為第二部分蝕刻使引線框架的不同區段斷開。

Abstract in simplified Chinese: 本文描述的实施例涉及一种制造引线框架上具有焊料阻流塞的封装电路的方法。所述方法包括在引线框架的未来区段之间的分界线处部分地蚀刻所述引线框架的内表面作为形成沟槽的第一部分蚀刻。在所述沟槽内施加可黏合至所述引线框架的非导电材料，使得所述非导电材料横跨所述沟槽延伸形成焊料阻流塞。将一个或多个组件附接至所述引线框架的内表面并囊封。在所述分界线处蚀刻所述引线框架的外表面以作为第二部分蚀刻使引线框架的不同区段断开。

公开(公告)号：TWI587413B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105110018

申请日：2013-10-03

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH ,  小卡本特 洛伊德 米爾頓 ,  CARPENTER JR., LOYDE MILTON

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI571980B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW101138204

申请日：2012-10-17

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS INC.

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49548 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L2224/32245

公开(公告)号：TW201330190A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101138204

申请日：2012-10-17

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS INC.

Inventor： 克魯茲 朗道夫 ,  CRUZ, RANDOLPH

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49548 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L2224/32245

Abstract: 提供了用於引線框架鎖定設計部分的系統和方法。在一個實施方案中，方法包括：製作晶片封裝的引線框架，該引線框架具有襯墊，該襯墊包括一突出底部鎖定部輪廓，其橫越該襯墊邊緣的至少第一區段，該襯墊邊緣提供與塑封料的接合部；蝕刻該襯墊為具有該邊緣的至少第二區段，該第二區段具有延長突出底部鎖定部輪廓或懸垂頂部鎖定部輪廓；和沿著該襯墊的該邊緣交替之第一區段和第二區段。

Abstract in simplified Chinese: 提供了用于引线框架锁定设计部分的系统和方法。在一个实施方案中，方法包括：制作芯片封装的引线框架，该引线框架具有衬垫，该衬垫包括一突出底部锁定部轮廓，其横越该衬垫边缘的至少第一区段，该衬垫边缘提供与塑封料的接合部；蚀刻该衬垫为具有该边缘的至少第二区段，该第二区段具有延长突出底部锁定部轮廓或悬垂顶部锁定部轮廓；和沿着该衬垫的该边缘交替之第一区段和第二区段。