公开(公告)号：TW201704142A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105105696

申请日：2016-02-25

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  周政 ,  ZHOU, ZHENG ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  伊德 菲拉斯 ,  EID, FERAS ,  歐斯特 莎夏N ,  OSTER, SASHA N. ,  江 萊偉 ,  KONG, LAY WAI ,  索托岡薩雷斯 賈維爾 ,  SOTO GONZALEZ, JAVIER

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC分类号： B81B7/0077 ,  B81C2203/0109

摘要： 本發明描述形成感測器積體封裝體裝置之方法及藉其所形成之結構。一實施例包括：提供一基體核心，其中一第一導電跡線結構及一第二導電跡線結構安置於該基體核心上；在該第一導電跡線結構與該第二導電跡線結構之間形成一空腔；以及將一磁體置放於一抗蝕劑材料上，該抗蝕劑材料安置於該第一導電跡線結構與該第二導電跡線結構中之每一者之一部分上，其中該抗蝕劑材料並不在該空腔上方延伸。

简体摘要： 本发明描述形成传感器积体封装体设备之方法及藉其所形成之结构。一实施例包括：提供一基体内核，其中一第一导电迹线结构及一第二导电迹线结构安置于该基体内核上；在该第一导电迹线结构与该第二导电迹线结构之间形成一空腔；以及将一磁体置放于一抗蚀剂材料上，该抗蚀剂材料安置于该第一导电迹线结构与该第二导电迹线结构中之每一者之一部分上，其中该抗蚀剂材料并不在该空腔上方延伸。

公开(公告)号：TW201701426A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105112971

申请日：2016-04-26

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李奎五 ,  LEE, KYU-OH ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  維斯瓦納斯 倫恩S ,  VISWANATH, RAM S. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  薩比 巴巴克 ,  SABI, BABAK ,  查瓦里 斯里查伊特拉J ,  CHAVALI, SRI CHAITRA JYOTSNA

IPC分类号： H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/15311

摘要： 本案所揭示的是用於堆疊式封裝(PoP)之具有凹入式傳導接點的積體電路(IC)結構。舉例來說，一IC結構可包括：具有一第一抗蝕表面的一IC封裝；設置在該第一抗蝕表面內的一凹處，其中該凹處的一底部包括一第二抗蝕表面；位於該第一抗蝕表面的一第一複數個傳導接點；以及位在該第二抗蝕表面的一第二複數個傳導接點。可揭示及/或主張其他具體例。

简体摘要： 本案所揭示的是用于堆栈式封装(PoP)之具有凹入式传导接点的集成电路(IC)结构。举例来说，一IC结构可包括：具有一第一抗蚀表面的一IC封装；设置在该第一抗蚀表面内的一凹处，其中该凹处的一底部包括一第二抗蚀表面；位于该第一抗蚀表面的一第一复数个传导接点；以及位在该第二抗蚀表面的一第二复数个传导接点。可揭示及/或主张其他具体例。

公开(公告)号：TW201601864A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104112428

申请日：2015-04-17

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 張沖 ,  ZHANG, CHONG ,  亞歷克索夫 亞歷山大 ,  ALEKSOV, ALEKSANDAR ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  王 天希 ,  WANG, TIANSI ,  卡 阿拉文達 ,  KAR, ARAVINDA

IPC分类号： B23K26/02 ,  B23K26/08

CPC分类号： G02F1/332 ,  B23K2201/40 ,  G02F1/113

摘要： 本發明描述具有多個聲轉換器之聲光偏轉器，其適合用於基體處理中。在一個實例中，一方法包括使一光射束發射穿過一聲光偏轉器、跨該聲光偏轉器之多個轉換器施加具有一相位延遲之一聲音信號以藉由該聲光偏轉器使該射束沿著一第一軸線偏轉，以及將該偏轉的射束引導至一工件上。

简体摘要： 本发明描述具有多个声转换器之声光偏转器，其适合用于基体处理中。在一个实例中，一方法包括使一光射束发射穿过一声光偏转器、跨该声光偏转器之多个转换器施加具有一相位延迟之一声音信号以借由该声光偏转器使该射束沿着一第一轴线偏转，以及将该偏转的射束引导至一工件上。

公开(公告)号：TWI538139B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW100142702

申请日：2011-11-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H05K3/422 ,  G06F1/183 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI521615B

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：TW099141207

申请日：2010-11-29

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  古魯莫西 恰拉法那K ,  GURUMURTHY, CHARAVANA K. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI647169B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW105105696

申请日：2016-02-25

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  周政 ,  ZHOU, ZHENG ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  伊德 菲拉斯 ,  EID, FERAS ,  歐斯特 莎夏N ,  OSTER, SASHA N. ,  江 萊偉 ,  KONG, LAY WAI ,  索托岡薩雷斯 賈維爾 ,  SOTO GONZALEZ, JAVIER

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00

公开(公告)号：TW201701435A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105109477

申请日：2011-11-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H05K3/422 ,  G06F1/183 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： 一種包含前部及後部的半導體元件基體，該前部及該後部為配置於第一核心之前表面及後表面上的疊合核心。該第一核心有已鍍上金屬以及用空氣核心材料填滿的圓柱形鍍覆貫穿孔洞。該前部及該後部有用導電材料填滿以及耦合至該鍍覆貫穿孔洞的雷射鑽成錐形通孔。該後部包含傳遞至該前部的一整合電感線圈。該第一核心與該等疊合核心形成有整合電感線圈的混成核心半導體元件基體。

简体摘要： 一种包含前部及后部的半导体组件基体，该前部及该后部为配置于第一内核之前表面及后表面上的叠合内核。该第一内核有已镀上金属以及用空气内核材料填满的圆柱形镀覆贯穿孔洞。该前部及该后部有用导电材料填满以及耦合至该镀覆贯穿孔洞的激光钻成锥形通孔。该后部包含传递至该前部的一集成电感线圈。该第一内核与该等叠合内核形成有集成电感线圈的混成内核半导体组件基体。

公开(公告)号：TWI499009B

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW100145584

申请日：2011-12-09

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 海德 馬克S ,  HLAD, MARK S. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  吳濤 ,  WU, TAO ,  劉耀立 ,  LIU, YUELI ,  李奎五 ,  LEE, KYU OH

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/045 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/50 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/113 ,  H05K3/107 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/421 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI647041B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW104112428

申请日：2015-04-17

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 張沖 ,  ZHANG, CHONG ,  亞歷克索夫 亞歷山大 ,  ALEKSOV, ALEKSANDAR ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  王 天希 ,  WANG, TIANSI ,  卡 阿拉文達 ,  KAR, ARAVINDA

IPC分类号： B23K26/02 ,  B23K26/08

公开(公告)号：TWI595622B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW105109477

申请日：2011-11-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H05K3/422 ,  G06F1/183 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00