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公开(公告)号：TW201716166A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105117034
申请日：2010-11-03
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
CPC分类号： H05K1/0271 , B23K1/0018 , B23K1/203 , B23K3/0623 , B23K2201/40 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/05647 , H01L2224/10135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11442 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16238 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3841 , H05K1/11 , H05K13/0465 , H05K2201/10734 , Y10T428/12222 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一互連技術可使用模製焊料來界定焊球。一遮罩層可被圖案化以形成腔穴及積設於該等腔穴中的焊料糊料。加熱時焊球即可形成。腔穴由間隔壁來界定以阻止焊球在一結合過程中發生橋接。在某些實施例中，連接至該等焊球的焊球凸塊可能具有比焊球之接觸面更大的接觸面。
简体摘要： 一互连技术可使用模制焊料来界定焊球。一遮罩层可被图案化以形成腔穴及积设于该等腔穴中的焊料煳料。加热时焊球即可形成。腔穴由间隔壁来界定以阻止焊球在一结合过程中发生桥接。在某些实施例中，连接至该等焊球的焊球凸块可能具有比焊球之接触面更大的接触面。
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公开(公告)号：TWI593073B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104120577
申请日：2015-06-25
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡釧 , HU, CHUAN , 邱 嘉平 , CHIU, CHIA-PIN , 史旺 喬安娜 , SWAN, JOHANNA
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/0557 , H01L2224/12105 , H01L2224/82039 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/3511
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公开(公告)号：TWI701778B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105117038
申请日：2016-05-31
申请人： 美商英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 納爾 維傑伊K , NAIR, VIJAY K. , 胡釧 , HU, CHUAN , 梅耶爾 特羅斯登 , MEYER, THORSTEN
IPC分类号： H01L23/31
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公开(公告)号：TW201705401A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105117038
申请日：2016-05-31
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 納爾 維傑伊K , NAIR, VIJAY K. , 胡釧 , HU, CHUAN , 梅耶爾 特羅斯登 , MEYER, THORSTEN
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/065 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/73259 , H01L2224/81815 , H01L2224/8184 , H01L2224/92224 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105
摘要： 本文中之實施例係關於一種系統級封裝(SiP)。該SiP可具有具一或多個第一功能組件之一第一層，該一或多個第一功能組件具有各自第一作用側及與該等第一作用側相對之第一非作用側。該SiP可進一步包括具一或多個第二功能組件之一第二層，該一或多個第二功能組件具有各自第二作用側及與該等第二作用側相對之第二非作用側。在實施例中，該等第一作用側中之一或多者與該等第二作用側中之一或多者相面對且經由一穿模通孔或一穿矽通孔電耦接。
简体摘要： 本文中之实施例系关于一种系统级封装(SiP)。该SiP可具有具一或多个第一功能组件之一第一层，该一或多个第一功能组件具有各自第一作用侧及与该等第一作用侧相对之第一非作用侧。该SiP可进一步包括具一或多个第二功能组件之一第二层，该一或多个第二功能组件具有各自第二作用侧及与该等第二作用侧相对之第二非作用侧。在实施例中，该等第一作用侧中之一或多者与该等第二作用侧中之一或多者相面对且经由一穿模通孔或一穿硅通孔电耦接。
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公开(公告)号：TWI546145B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW099137763
申请日：2010-11-03
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
CPC分类号： H05K1/0271 , B23K1/0018 , B23K1/203 , B23K3/0623 , B23K2201/40 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/05647 , H01L2224/10135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11442 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16238 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3841 , H05K1/11 , H05K13/0465 , H05K2201/10734 , Y10T428/12222 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201618265A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104120577
申请日：2015-06-25
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡釧 , HU, CHUAN , 邱 嘉平 , CHIU, CHIA-PIN , 史旺 喬安娜 , SWAN, JOHANNA
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/0557 , H01L2224/12105 , H01L2224/82039 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/3511
摘要： 描述具有一堆積層的裝置。該堆積層具有多個晶粒之一襯墊側加壓入該堆積層之一底側內。該等多個晶粒具有寬襯墊用以協助在晶圓上該等多個晶粒之測試。該等寬襯墊間隔由用以製造其個別晶粒的一製程所許可的一最小距離。該等寬襯墊上方之該堆積層被移除。該裝置也包括在該堆積層之一頂側上的金屬化，其實質上填補該等寬襯墊上方之區域。該金屬化包括在該等寬襯墊上方之連接塊及在該等寬襯墊間之多條導線。
简体摘要： 描述具有一堆积层的设备。该堆积层具有多个晶粒之一衬垫侧加压入该堆积层之一底侧内。该等多个晶粒具有宽衬垫用以协助在晶圆上该等多个晶粒之测试。该等宽衬垫间隔由用以制造其个别晶粒的一制程所许可的一最小距离。该等宽衬垫上方之该堆积层被移除。该设备也包括在该堆积层之一顶侧上的金属化，其实质上填补该等宽衬垫上方之区域。该金属化包括在该等宽衬垫上方之连接块及在该等宽衬垫间之多条导线。
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8.发明专利腔穴內焊料互連技術 SOLDER IN CAVITY INTERCONNECTION TECHNOLOGY 审中-公开腔穴内焊料互连技术 SOLDER IN CAVITY INTERCONNECTION TECHNOLOGY
公开(公告)号：TW201134588A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099137763
申请日：2010-11-03
申请人： 英特爾公司
发明人： 胡釧
IPC分类号： B23K
CPC分类号： H05K1/0271 , B23K1/0018 , B23K1/203 , B23K3/0623 , B23K2201/40 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/05647 , H01L2224/10135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11442 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16238 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3841 , H05K1/11 , H05K13/0465 , H05K2201/10734 , Y10T428/12222 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一互連技術可使用模製焊料來界定焊球。一遮罩層可被圖案化以形成腔穴及積設於該等腔穴中的焊料糊料。加熱時焊球即可形成。腔穴由間隔壁來界定以阻止焊球在一結合過程中發生橋接。在某些實施例中，連接至該等焊球的焊球凸塊可能具有比焊球之接觸面更大的接觸面。
简体摘要： 一互连技术可使用模制焊料来界定焊球。一遮罩层可被图案化以形成腔穴及积设于该等腔穴中的焊料煳料。加热时焊球即可形成。腔穴由间隔壁来界定以阻止焊球在一结合过程中发生桥接。在某些实施例中，连接至该等焊球的焊球凸块可能具有比焊球之接触面更大的接触面。
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