公开(公告)号：TWI546145B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW099137763

申请日：2010-11-03

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 胡釧 ,  HU, CHUAN

IPC分类号： B23K1/20 ,  B23K31/02 ,  B23K35/02

CPC分类号： H05K1/0271 ,  B23K1/0018 ,  B23K1/203 ,  B23K3/0623 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/11 ,  H05K13/0465 ,  H05K2201/10734 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201616627A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW104142718

申请日：2012-03-21

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 胡傳 ,  HU, CHUAN ,  里夫 蕭納 ,  LIFF, SHAWNA M. ,  克萊門斯 葛瑞格利 ,  CLEMONS, GREGORY S.

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1624 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明之揭示係有關製造微電子封裝之領域，其中在被沉積在一第一基材上的一介電層中形成腔穴，以維持各被焊接的互連間之分離。在一實施例中，該等腔穴可具有傾斜側壁。在另一實施例中，可在該等腔穴中沉積一焊料膏，且可在加熱之後形成焊料結構。在其他實施例中，可將該等焊料結構放置在該等腔穴中，或可在該第一基材可被連接到的一第二基材上形成該等焊料結構。在另外的其他實施例中，可在該第一基材及第二基材上形成焊料結構。可使該等焊料結構接觸到且回焊到第二基材上之接觸墊或焊料結構，而將該等焊料結構用來形成焊料互連。

简体摘要： 本发明之揭示系有关制造微电子封装之领域，其中在被沉积在一第一基材上的一介电层中形成腔穴，以维持各被焊接的互连间之分离。在一实施例中，该等腔穴可具有倾斜侧壁。在另一实施例中，可在该等腔穴中沉积一焊料膏，且可在加热之后形成焊料结构。在其他实施例中，可将该等焊料结构放置在该等腔穴中，或可在该第一基材可被连接到的一第二基材上形成该等焊料结构。在另外的其他实施例中，可在该第一基材及第二基材上形成焊料结构。可使该等焊料结构接触到且回焊到第二基材上之接触垫或焊料结构，而将该等焊料结构用来形成焊料互连。

公开(公告)号：TW201511142A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103120978

申请日：2014-06-17

申请人： 英凡薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴 貝勒卡塞姆 ,  HABA, BELGACEM ,  渥奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  烏若 席普倫 亞梅卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  紐曼 麥可 ,  NEWMAN, MICHAEL ,  卡斯基 泰倫斯 ,  CASKEY, TERRENCE

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/564 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/181 ,  H05K3/30 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/05552

摘要： 本案為一種微電子組合與製造微電子組合的方法。在實施例中，形成一微電子組合的方法包含：組裝第一與第二組件，以使該等第一與第二組件的第一主要表面面向彼此並且彼此分隔一預定間隔；該第一組件具有第一與第二相對面向的主要表面、延伸在該等第一與第二主要表面之間的一第一方向中的一第一厚度、以及在該第一主要表面處的複數個第一金屬連接元件；該第二組件具有在該第二組件的該第一主要表面處的複數個第二金屬連接元件；以及電鍍複數個金屬連接器區域，每一金屬連接器區域連接且連續地延伸於一特定第一連接元件與一對應第二連接元件之間、在該第一方向中，該對應第二連接元件相對於該特定第一連接元件。

简体摘要： 本案为一种微电子组合与制造微电子组合的方法。在实施例中，形成一微电子组合的方法包含：组装第一与第二组件，以使该等第一与第二组件的第一主要表面面向彼此并且彼此分隔一预定间隔；该第一组件具有第一与第二相对面向的主要表面、延伸在该等第一与第二主要表面之间的一第一方向中的一第一厚度、以及在该第一主要表面处的复数个第一金属连接组件；该第二组件具有在该第二组件的该第一主要表面处的复数个第二金属连接组件；以及电镀复数个金属连接器区域，每一金属连接器区域连接且连续地延伸于一特定第一连接组件与一对应第二连接组件之间、在该第一方向中，该对应第二连接组件相对于该特定第一连接组件。

公开(公告)号：TWI398942B

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：TW097118934

申请日：2008-05-22

申请人： 聯合測試裝配中心 ,  UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER, LTD.

发明人： 劉浩 ,  LIU, HAO ,  科倫瑞夫坎斯 ,  KOLAN, RAVI KANTH

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

公开(公告)号：TW201312715A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW100133133

申请日：2011-09-15

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 劉安鴻 ,  LIU, AN HONG ,  劉宏信 ,  LIU, HUNG HSIN ,  楊佳達 ,  YANG, JAR DAR ,  黃祺家 ,  HUANG, CHI CHIA ,  李宜璋 ,  LEE, YI CHANG ,  黃祥銘 ,  HUANG, HSIANG MING

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/92125

摘要： 本發明係關於一種覆晶封裝結構，包含一基板、一晶片、一凸塊結構以及一阻焊層。基板上具有一電路層，晶片具有一中央區域及位於中央區域兩側之二邊緣區域。凸塊結構係面對基板設置於晶片之中央區域，阻焊層係設置於基板，且部分覆蓋電路層。當晶片設置於基板上時，晶片係藉由凸塊結構與基板電性連接，且阻焊層適可與晶片之二邊緣區域接觸，以與凸塊結構共同支撐晶片。

简体摘要： 本发明系关于一种覆晶封装结构，包含一基板、一芯片、一凸块结构以及一阻焊层。基板上具有一电路层，芯片具有一中央区域及位于中央区域两侧之二边缘区域。凸块结构系面对基板设置于芯片之中央区域，阻焊层系设置于基板，且部分覆盖电路层。当芯片设置于基板上时，芯片系借由凸块结构与基板电性连接，且阻焊层适可与芯片之二边缘区域接触，以与凸块结构共同支撑芯片。

公开(公告)号：TW200950056A

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：TW098109935

申请日：2009-03-26

申请人： 美光科技公司

发明人： 普拉提 大衛

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/8014 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49117

摘要： 本發明提供一種形成一晶片堆疊(212、320、500)之方法(600、700、800)。該方法包括在一第一晶片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)中形成複數個晶圓貫通孔(102、202、304、404、511)及一第一複數個對準特徵(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)。一第二複數個對準特徵(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)形成於一第二晶片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)中，且該第一晶片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)堆疊於該第二晶片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上使得該第一複數個對準特徵(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)嚙合該第二複數個對準特徵(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)。亦提供一種製造一晶片堆疊(212、320、500)之方法，其包括在一第一晶片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上形成複數個晶圓貫通孔(102、202、304、404、511)，在一第一晶片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上形成複數個凹座，及在一第二晶片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上形成複數個突起。亦提供一種晶片堆疊(212、320、500)及一種系統。

简体摘要： 本发明提供一种形成一芯片堆栈(212、320、500)之方法(600、700、800)。该方法包括在一第一芯片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)中形成复数个晶圆贯通孔(102、202、304、404、511)及一第一复数个对准特征(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)。一第二复数个对准特征(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)形成于一第二芯片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)中，且该第一芯片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)堆栈于该第二芯片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上使得该第一复数个对准特征(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)啮合该第二复数个对准特征(104、116、208、216、300、316、410、416、510、512)。亦提供一种制造一芯片堆栈(212、320、500)之方法，其包括在一第一芯片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上形成复数个晶圆贯通孔(102、202、304、404、511)，在一第一芯片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上形成复数个凹座，及在一第二芯片(100、112、200、214、302、312、400、402、502、504)上形成复数个突起。亦提供一种芯片堆栈(212、320、500)及一种系统。

公开(公告)号：TW200620124A

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：TW094109083

申请日：2005-03-24

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 石川直樹 ISHIKAWA, NAOKI ,  馬場俊二 BABA, SHUNJI ,  吉良秀彥 KIRA, HIDEHIKO ,  小林弘 KOBAYASHI, HIROSHI

IPC分类号： G06K ,  G06F

CPC分类号： H01L24/12 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/816 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49018 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本發明係提供一以非接觸方式與一外部裝置交換資訊之射頻識別(RFID)標籤，其中使用一膏劑作為用於一天線之一材料，且其設計成可避免凸塊的沉降。一用於限制當電路晶片連接至一天線時由於一壓抵力造成一電路晶片的凸塊產生沉降之阻止器係在一與凸塊相鄰之位置處設置於電路晶片或一基底上。

简体摘要： 本发明系提供一以非接触方式与一外部设备交换信息之射频识别(RFID)标签，其中使用一膏剂作为用于一天线之一材料，且其设计成可避免凸块的沉降。一用于限制当电路芯片连接至一天线时由于一压抵力造成一电路芯片的凸块产生沉降之阻止器系在一与凸块相邻之位置处设置于电路芯片或一基底上。

公开(公告)号：TWI223363B

公开(公告)日：2004-11-01

申请号：TW092131062

申请日：2003-11-06

申请人： 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 張世明 CHANG, SHYH MING ,  黃元璋 HUANG, YUAN CHANG ,  陳文志 CHEN, WEN CHIH ,  楊省樞 YANG, SHENG SHU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H05K3/325 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/12 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/1189 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係一種複合凸塊的接合結構，並具有擋塊結構與保護層的設計。複合凸塊由高分子凸塊、金屬層與表面導電層所組成，擋塊結構及保護層由高分子凸塊與金屬層所組成。複合凸塊的功能為提供接合時的電極與導電通道。擋塊的功能為控制接合的高度，避免接合壓力過大，導致複合凸塊破裂。保護層的功能為保護基板與接地功用。擋塊的分佈位置可於複合凸塊之外，或與複合凸塊結合一起。保護層可與擋塊連結在一起，或獨立分佈，其高度須低於擋塊與複合凸塊。

简体摘要： 本发明系一种复合凸块的接合结构，并具有挡块结构与保护层的设计。复合凸块由高分子凸块、金属层与表面导电层所组成，挡块结构及保护层由高分子凸块与金属层所组成。复合凸块的功能为提供接合时的电极与导电信道。挡块的功能为控制接合的高度，避免接合压力过大，导致复合凸块破裂。保护层的功能为保护基板与接地功用。挡块的分布位置可于复合凸块之外，或与复合凸块结合一起。保护层可与挡块链接在一起，或独立分布，其高度须低于挡块与复合凸块。

公开(公告)号：TW369695B

公开(公告)日：1999-09-11

申请号：TW086111598

申请日：1997-08-13

申请人： 西門斯股份有限公司

发明人： 卡路斯馬蘇艾斯彼佐 ,  古達辛德拉 ,  華爾特哈拿

IPC分类号： H01L ,  H01G

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

摘要： 一種由電晶體配置(2)和電容器配置(4)組成的記憶體配置，其中電晶體配置(2)和電容器配置(4)可依自動對齊的方式結合在一起，使得各情況中電晶體配置(2)中之電晶體(8)的第一接觸點(10)連接到電容器配置(4)中之記憶體電容器(15)的第二接觸點(12)。為達成兩種配置(2，4)的對齊，將第二接觸點(12)設計成凸出型式且進行結合時它們接合於包括高台(20)的結構中。

简体摘要： 一种由晶体管配置(2)和电容器配置(4)组成的内存配置，其中晶体管配置(2)和电容器配置(4)可依自动对齐的方式结合在一起，使得各情况中晶体管配置(2)中之晶体管(8)的第一接触点(10)连接到电容器配置(4)中之内存电容器(15)的第二接触点(12)。为达成两种配置(2，4)的对齐，将第二接触点(12)设计成凸出型式且进行结合时它们接合于包括高台(20)的结构中。

公开(公告)号：TWI621188B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW104138285

申请日：2015-11-19

申请人： 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

发明人： 渡辺慎也 ,  WATANABE, SHINYA ,  南部俊弘 ,  NAMBU, TOSHIHIRO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC分类号： G01R31/2856 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/11529 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01404 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83