公开(公告)号：TWI412071B

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：TW099144886

申请日：2010-12-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 陳軍 ,  CHEN, JOHN ,  李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  何佩天 ,  HO, MOSES ,  馬國榮 ,  MA, WILSON ,  叭剌 安荷 ,  BHALLA, ANUP ,  依瑪茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

公开(公告)号：TWI475666B

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW099136388

申请日：2010-10-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 常虹 ,  CHANG, HONG ,  陳軍 ,  CHEN, JOHN ,  翁麗敏 ,  WENG, LIMIN ,  李文軍

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/47 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/782 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/905 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI470676B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：TW099131841

申请日：2010-09-20

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 戴嵩山 ,  TAI, SUNG-SHAN ,  依瑪茲 哈姆扎 ,  YILMAZ, HAMZA ,  叭剌 安荷 ,  BHALLA, ANUP ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  陳軍 ,  CHEN, JOHN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

公开(公告)号：TWI528458B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW101114809

申请日：2012-04-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 蘇毅 ,  SU, YI ,  伍 時謙 ,  NG, DANIEL ,  安荷 叭剌 ,  BHALLA, ANUP ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  陳軍 ,  CHEN, JOHN

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/7801 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/782 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI427801B

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：TW099141441

申请日：2010-11-30

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 博德 馬督兒 ,  BOBDE, MADHUR ,  叭剌 安荷 ,  BHALLA, ANUP ,  依瑪茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  馬國榮 ,  MA, WILSON ,  管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  陳軍 ,  CHEN, JOHN

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L27/0705 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201246390A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW101114809

申请日：2012-04-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司

发明人： 蘇毅 ,  伍 時謙 ,  安荷 叭剌 ,  常虹 ,  金鐘五 ,  陳軍

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7801 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/782 ,  H01L29/872

摘要： 本發明係揭露一種半導體元件及其製備方法。半導體元件包括多個溝槽，多個溝槽含有在主動區中的主動閘極溝槽，以及在主動區外部的終端區中的閘極通道/或終端溝槽和屏蔽電極吸引溝槽。閘極通道/或終端溝槽包括限定位於主動區外部的臺面結構的至少一溝槽。第一導電區形成於多個溝槽中。中間電介質區和終端保護區形成於限定臺面結構的溝槽中。第二導電區形成於限定臺面結構的那部分溝槽中。第二導電區通過中間電介質區，與第一導電區電絕緣。到第二導電區形成第一電性接點，到屏蔽電極吸引溝槽中第一導電區形成第二電性接點。至少一蕭特基二極體形成於臺面結構中。

简体摘要： 本发明系揭露一种半导体组件及其制备方法。半导体组件包括多个沟槽，多个沟槽含有在主动区中的主动闸极沟槽，以及在主动区外部的终端区中的闸极信道/或终端沟槽和屏蔽电极吸引沟槽。闸极信道/或终端沟槽包括限定位于主动区外部的台面结构的至少一沟槽。第一导电区形成于多个沟槽中。中间电介质区和终端保护区形成于限定台面结构的沟槽中。第二导电区形成于限定台面结构的那部分沟槽中。第二导电区通过中间电介质区，与第一导电区电绝缘。到第二导电区形成第一电性接点，到屏蔽电极吸引沟槽中第一导电区形成第二电性接点。至少一萧特基二极管形成于台面结构中。

公开(公告)号：TW201123461A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：TW099141441

申请日：2010-11-30

申请人： 萬國半導體股份有限公司

发明人： 博德 馬督兒 ,  叭剌 安荷 ,  依瑪茲 哈姆紮 ,  馬國榮 ,  管靈鵬 ,  李亦衡 ,  陳軍

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/0705 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明係揭露一種橫向功率元件的結構和製備方法，該元件包括一個帶有形成在汲極和閘極之間的雪崩箝位元二極體的超接面結構。該橫向超接面結構降低了導通電阻，包括雪崩箝位二極體和N緩衝區在內的結構調整，增大了基體和汲極之間的擊穿電壓，增強了非箝位元感應開關(UIS)性能。

简体摘要： 本发明系揭露一种横向功率组件的结构和制备方法，该组件包括一个带有形成在汲极和闸极之间的雪崩箝比特二极管的超接面结构。该横向超接面结构降低了导通电阻，包括雪崩箝位二极管和N缓冲区在内的结构调整，增大了基体和汲极之间的击穿电压，增强了非箝比特感应开关(UIS)性能。

公开(公告)号：TW201133784A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099136388

申请日：2010-10-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司

发明人： 常虹 ,  陳軍 ,  翁麗敏 ,  李文軍

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/782 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/905 ,  H01L2924/00

摘要： 一種形成在半導體基板上的半導體元件,包括一個形成在接觸溝槽中的組件,接觸溝槽位於主動晶胞區中。該組件是由一種沉積在接觸溝槽底部和側壁部分的勢壘金屬,以及一個沉積在接觸溝槽剩餘部分中的鎢插塞構成的。勢壘金屬可以由第一和第二金屬層構成。第一金屬層位於接觸溝槽的側壁和底部附近。第一金屬層含有一種氮化物。第二金屬層可以位於第一金屬層和鎢插塞之間,以及鎢插塞和側壁之間。第二金屬層覆蓋未被第一金屬層覆蓋的部分側壁。

简体摘要： 一种形成在半导体基板上的半导体组件,包括一个形成在接触沟槽中的组件,接触沟槽位于主动晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属,以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插塞构成的。势垒金属可以由第一和第二金属层构成。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插塞之间,以及钨插塞和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。

公开(公告)号：TW201112315A

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：TW099131841

申请日：2010-09-20

申请人： 萬國半導體股份有限公司

发明人： 戴嵩山 ,  依瑪茲 哈姆扎 ,  叭剌 安荷 ,  常虹 ,  陳軍

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： 本發明提出了一種半導體裝置及其製備方法。在半導體襯底上使用溝槽掩膜,刻蝕襯底形成三種不同寬度的溝槽。第一導電材料形成在溝槽底部。第二導電材料形成在第一導電材料上方。絕緣層將第一和第二導電材料分隔開。第一絕緣層沉積在溝槽上方。本體層形成在襯底的頂部。源極形成在本體層中。在溝槽和源極上方使用第二絕緣層。在第二絕緣層上方使用接觸掩膜。形成穿過第二絕緣層的源極和柵極接頭。源極和柵極金屬形成在第二絕緣層上方。

简体摘要： 本发明提出了一种半导体设备及其制备方法。在半导体衬底上使用沟槽掩膜,刻蚀衬底形成三种不同宽度的沟槽。第一导电材料形成在沟槽底部。第二导电材料形成在第一导电材料上方。绝缘层将第一和第二导电材料分隔开。第一绝缘层沉积在沟槽上方。本体层形成在衬底的顶部。源极形成在本体层中。在沟槽和源极上方使用第二绝缘层。在第二绝缘层上方使用接触掩膜。形成穿过第二绝缘层的源极和栅极接头。源极和栅极金属形成在第二绝缘层上方。

公开(公告)号：TW201123278A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：TW099144886

申请日：2010-12-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司

发明人： 陳軍 ,  李亦衡 ,  管靈鵬 ,  何佩天 ,  馬國榮 ,  叭剌 安荷 ,  依瑪茲 哈姆紮

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

摘要： 本發明係揭露一種自對準電荷平衡的半導體元件以及製備這種元件的方法。一個或多個平面閘極形成在第一導電類型的半導體基體上方。刻蝕半導體中的一個或多個深溝槽，自對準到平面閘極。用第二導電類型的半導體材料填充溝槽，使深溝槽與半導體基體的鄰近區域達到電荷平衡。該技術可以製備單元間距小於12微米的自對準電荷平衡的元件。

简体摘要： 本发明系揭露一种自对准电荷平衡的半导体组件以及制备这种组件的方法。一个或多个平面闸极形成在第一导电类型的半导体基体上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面闸极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体基体的邻近区域达到电荷平衡。该技术可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的组件。