专利检索 ap:("萬國半導體股份有限公司" OR "ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED") AND inv:"SU, YI" 第 1 页

1.

发明专利
在分立的功率MOS場效電晶體結合感測場效電晶體的元件及方法有权
简体标题：在分立的功率MOS场效应管结合传感场效应管的组件及方法

公开(公告)号：TWI500141B

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：TW100124349

申请日：2011-07-08

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 蘇毅 , SU, YI , 安荷叭剌 , ANUP, BHALLA

IPC分类号： H01L27/085

2.

发明专利
帶有整合肖特基能障二極體的溝槽MOSFET器件有权
简体标题：带有集成肖特基能障二极管的沟槽MOSFET器件

公开(公告)号：TWI481038B

公开(公告)日：2015-04-11

申请号：TW101134695

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 高立德 , CALAFUT, DANIEL , 蘇毅 , SU, YI , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 常虹 , CHANG, HONG , 哈姆紥依瑪茲 , YILMAZ, HAMZA , 伍時謙 , NG, DANIEL S.

IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L27/06 , H01L27/0629 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/7806 , H01L29/872

3.

发明专利
一種低導通電阻的功率MOS電晶體裝置及其製備方法有权
简体标题：一种低导通电阻的功率MOS晶体管设备及其制备方法

公开(公告)号：TWI478245B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW100134815

申请日：2011-09-27

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 蘇毅 , SU, YI , 伍時謙 , NG, DANIEL , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 魯軍 , LU, JUN

IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/085 , H01L29/78

4.

发明专利
在金氧半場效電晶體元件中整合肖特基之結構及其方法有权
简体标题：在金氧半场效应管组件中集成肖特基之结构及其方法

公开(公告)号：TWI464885B

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：TW101108798

申请日：2012-03-15

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雷燮光 , LUI, SIK , 蘇毅 , SU, YI , 伍時謙 , NG, DANIEL , 安荷叭剌 , BHALLA, ANUP

IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/8248

CPC分类号： H01L29/7806 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/8725

5.

发明专利
一種低導通電阻的功率MOS電晶體裝置及其製備方法审中-公开
简体标题：一种低导通电阻的功率MOS晶体管设备及其制备方法

公开(公告)号：TW201314787A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW100134815

申请日：2011-09-27

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 蘇毅 , SU, YI , 伍時謙 , NG, DANIEL , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 魯軍 , LU, JUN

IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/085 , H01L29/78

摘要： 本發明一般涉及一種功率半導體器件及其製備方法，更確切的說，本發明旨在提供一種減薄矽襯底來降低功率MOS電晶體導通電阻的方法及該方法所製備的功率MOS電晶體器件。由於在矽襯底形成有一個或多個底部凹槽，有效的減少了功率MOSFET電晶體的矽襯底導通電阻，並且與底部凹槽相匹配的基座進一步提供了對具有底部凹槽的功率MOSFET電晶體的封裝能力。

简体摘要： 本发明一般涉及一种功率半导体器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种减薄硅衬底来降低功率MOS晶体管导通电阻的方法及该方法所制备的功率MOS晶体管器件。由于在硅衬底形成有一个或多个底部凹槽，有效的减少了功率MOSFET晶体管的硅衬底导通电阻，并且与底部凹槽相匹配的基座进一步提供了对具有底部凹槽的功率MOSFET晶体管的封装能力。

6.

发明专利
屏蔽閘極溝槽MOSFET封裝审中-公开
简体标题：屏蔽闸极沟槽MOSFET封装

公开(公告)号：TW201310652A

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW101129181

申请日：2012-08-13

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雷燮光 , LUI, SIK K , 蘇毅 , SU, YI , 伍時謙 , NG, DANIEL , 卡拉夫特丹尼爾 , CALAFUT, DANIEL , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP

IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52

CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/647 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2224/0603 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一種屏蔽閘溝槽場效應電晶體可以形成在襯底上，具有一個外延層在襯底上，以及一個本體層在外延層上。形成在本體層和外延層中的溝槽，內襯電介質層。屏蔽電極形成在溝槽下部。通過電介質層使屏蔽電極絕緣。閘極電極形成在屏蔽電極上方的溝槽中，並通過額外的電介質層，與屏蔽電極絕緣。一個或多個源極區形成在本體層中，位於溝槽的側壁附近。源極墊形成在本體層上方，電連接到一個或多個源極區，並與閘極電極和屏蔽電極絕緣。源極墊提供到源極區的外部接頭。閘極墊提供到閘極電極的外部接頭。屏蔽電極墊提供到屏蔽電極的外部接頭。電阻元件可以電連接在封裝中的屏蔽電極墊和源極引線之間。

简体摘要： 一种屏蔽闸沟槽场效应晶体管可以形成在衬底上，具有一个外延层在衬底上，以及一个本体层在外延层上。形成在本体层和外延层中的沟槽，内衬电介质层。屏蔽电极形成在沟槽下部。通过电介质层使屏蔽电极绝缘。闸极电极形成在屏蔽电极上方的沟槽中，并通过额外的电介质层，与屏蔽电极绝缘。一个或多个源极区形成在本体层中，位于沟槽的侧壁附近。源极垫形成在本体层上方，电连接到一个或多个源极区，并与闸极电极和屏蔽电极绝缘。源极垫提供到源极区的外部接头。闸极垫提供到闸极电极的外部接头。屏蔽电极垫提供到屏蔽电极的外部接头。电阻组件可以电连接在封装中的屏蔽电极垫和源极引线之间。