-
公开(公告)号：TWI588990B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104128582
申请日：2015-08-31
发明人： 帕德馬納班 卡西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 張磊 , ZHANG, LEI , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0676 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42376 , H01L29/66689 , H01L29/7802 , H01L29/7803 , H01L29/7816 , H01L29/7823
-
公开(公告)号：TW201712860A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105118344
申请日：2016-06-13
发明人： 博多 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 帕德馬納班 凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
CPC分类号： H01L29/7823 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1079 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/4175 , H01L29/41766 , H01L29/66681 , H01L29/66712 , H01L29/7809 , H01L29/7811 , H01L29/7816
摘要： 本發明涉及一種金氧半場效電晶體(MOSFET)元件及端接結構，尤其涉及一種橫向超級接面金氧半場效電晶體元件及端接結構；一種橫向超級接面金氧半場效電晶體元件包括一個閘極結構、一個連接到橫向超級接面結構的第一立柱以及一個緊靠第一立柱的第二立柱。該橫向超級接面金氧半場效電晶體元件包括第一立柱，當金氧半場效電晶體接通時接收來自通道的電流，並將電流分配至橫向超級接面結構，用作汲極漂流區。位於第一立柱附近的第二立柱用於當金氧半場效電晶體元件斷開時，夾斷第一立柱，防止金氧半場效電晶體元件在汲極端承受的高電壓接觸閘極結構。在一些實施例中，橫向超級接面金氧半場效電晶體元件還包括用於汲極、源極以及本體接觸摻雜區梳的端接結構。
简体摘要： 本发明涉及一种金氧半场效应管(MOSFET)组件及端接结构，尤其涉及一种横向超级接面金氧半场效应管组件及端接结构；一种横向超级接面金氧半场效应管组件包括一个闸极结构、一个连接到横向超级接面结构的第一立柱以及一个紧靠第一立柱的第二立柱。该横向超级接面金氧半场效应管组件包括第一立柱，当金氧半场效应管接通时接收来自信道的电流，并将电流分配至横向超级接面结构，用作汲极漂流区。位于第一立柱附近的第二立柱用于当金氧半场效应管组件断开时，夹断第一立柱，防止金氧半场效应管组件在汲极端承受的高电压接触闸极结构。在一些实施例中，横向超级接面金氧半场效应管组件还包括用于汲极、源极以及本体接触掺杂区梳的端接结构。
-
公开(公告)号：TW201622136A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104128582
申请日：2015-08-31
发明人： 帕德馬納班 卡西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 張磊 , ZHANG, LEI , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0676 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42376 , H01L29/66689 , H01L29/7802 , H01L29/7803 , H01L29/7816 , H01L29/7823
摘要： 本發明揭露一種半導體器件，包括一個利用N-型和P-型同步傾斜注入到溝槽側壁中，製備而成的超級結結構。N-型和P-型同步傾斜注入使用不同的注入能量和不同擴散速率的摻雜物，以至於退火後，形成交替的N-型和P-型薄半導體區。交替的N-型和P-型薄半導體區構成一個超級結結構，其中所形成的空間電荷平衡區提高了半導體器件的擊穿電壓性能。
简体摘要： 本发明揭露一种半导体器件，包括一个利用N-型和P-型同步倾斜注入到沟槽侧壁中，制备而成的超级结结构。N-型和P-型同步倾斜注入使用不同的注入能量和不同扩散速率的掺杂物，以至于退火后，形成交替的N-型和P-型薄半导体区。交替的N-型和P-型薄半导体区构成一个超级结结构，其中所形成的空间电荷平衡区提高了半导体器件的击穿电压性能。
-
公开(公告)号：TWI567974B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104123068
申请日：2015-07-16
发明人： 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 帕德馬納班 卡西克 , PADMANABHAN, KARTHIK
-
公开(公告)号：TW201701362A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105118346
申请日：2016-06-13
发明人： 博多 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 帕德馬納班 凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/26513 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/7818
摘要： 本發明涉及一種用於製備超級接面結構的方法，尤其涉及一種用於製備橫向超級接面結構的方法；一種在半導體元件中製備橫向超級接面結構的製備方法，使用N和P型離子注入到基極外延層中。在一些實施例中，基極外延層為本征外延層或輕摻雜外延層。該方法同時將N和P型離子注入到基極外延層中。連續重複進行外延和注入工藝，在半導體基極層上製備多個注入的基極外延層。形成所需數量的注入基極外延層之後，對半導體結構退火，形成含有交替N和P型薄半導體區的橫向超級接面結構。確切地說，通過離子注入工藝和後續的退火，製成交替的N和P型薄超級接面層。本發明所述的製備方法，確保在橫向超級接面元件中實現良好的電荷控制。
简体摘要： 本发明涉及一种用于制备超级接面结构的方法，尤其涉及一种用于制备横向超级接面结构的方法；一种在半导体组件中制备横向超级接面结构的制备方法，使用N和P型离子注入到基极外延层中。在一些实施例中，基极外延层为本征外延层或轻掺杂外延层。该方法同时将N和P型离子注入到基极外延层中。连续重复进行外延和注入工艺，在半导体基极层上制备多个注入的基极外延层。形成所需数量的注入基极外延层之后，对半导体结构退火，形成含有交替N和P型薄半导体区的横向超级接面结构。确切地说，通过离子注入工艺和后续的退火，制成交替的N和P型薄超级接面层。本发明所述的制备方法，确保在横向超级接面组件中实现良好的电荷控制。
-
公开(公告)号：TW201528522A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103141917
申请日：2014-12-03
发明人： 帕德馬納班 凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0623 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/407 , H01L29/66712 , H01L29/78 , H01L29/7811
摘要： 本發明提出一種金屬帶保護環溝槽短接本體區以縮小端接區之結構，其中形成在第一導電類型之半導體基板中之半導體功率元件，包括一個主動區和一個包圍著主動區並且設置在半導體基板邊緣附近之端接區。端接區包括多個用導電材料填充之溝槽，構成一個屏蔽電極，沿溝槽側壁和溝槽底面藉由電介質層絕緣， 其中溝槽穿過半導體基板頂面附近之第二導電類型之本體區垂直延伸到第一導電類型之表面屏蔽區。設置在表面屏蔽區下方之第二導電類型之摻雜區，穿過溝槽之底部延伸，並包圍著溝槽底部。在半導體基板之頂面上方設置至少一個金屬接頭，電連接到至少兩個溝槽之屏蔽電極，並且短接至本體區。本發明在降低導通電阻之同時，能够提高功率元件可承受之擊穿電壓。
简体摘要： 本发明提出一种金属带保护环沟槽短接本体区以缩小端接区之结构，其中形成在第一导电类型之半导体基板中之半导体功率组件，包括一个主动区和一个包围着主动区并且设置在半导体基板边缘附近之端接区。端接区包括多个用导电材料填充之沟槽，构成一个屏蔽电极，沿沟槽侧壁和沟槽底面借由电介质层绝缘， 其中沟槽穿过半导体基板顶面附近之第二导电类型之本体区垂直延伸到第一导电类型之表面屏蔽区。设置在表面屏蔽区下方之第二导电类型之掺杂区，穿过沟槽之底部延伸，并包围着沟槽底部。在半导体基板之顶面上方设置至少一个金属接头，电连接到至少两个沟槽之屏蔽电极，并且短接至本体区。本发明在降低导通电阻之同时，能够提高功率组件可承受之击穿电压。
-
公开(公告)号：TWI585970B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105118344
申请日：2016-06-13
发明人： 博多 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 帕德馬納班 凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
CPC分类号： H01L29/7823 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1079 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/4175 , H01L29/41766 , H01L29/66681 , H01L29/66712 , H01L29/7809 , H01L29/7811 , H01L29/7816
-
公开(公告)号：TWI552352B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103141917
申请日：2014-12-03
发明人： 帕德馬納班 凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0623 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/407 , H01L29/66712 , H01L29/78 , H01L29/7811
-
公开(公告)号：TWI509814B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW103105998
申请日：2014-02-24
发明人： 胡軍 , HU, JUN , 帕德馬納班 卡西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 依瑪茲 哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L21/02104 , H01L29/0692 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/861
-
公开(公告)号：TW201434161A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103105998
申请日：2014-02-24
发明人： 胡軍 , HU, JUN , 帕德馬納班 卡西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 依瑪茲 哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L21/02104 , H01L29/0692 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/861
摘要： 本發明的各個方面提出了高壓快速恢復溝槽二極體及其製備方法。該元件具有至少穿過頂部P-層和N-勢壘層延伸的溝槽。導電材料沉積在溝槽中，電介質材料內襯導電材料和溝槽側壁之間的溝槽。重摻雜P-區形成在溝槽之間的頂部P-層的頂部。浮動N-區形成在P-區下方。浮動N-區的寬度等於或大於P-區寬度。要強調的是，本摘要必須使研究人員或其他讀者快速掌握技術說明書的主旨內容，本摘要符合以上要求。應明確，本摘要將不用於解釋或侷限申請專利範圍的範圍或意圖。
简体摘要： 本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该组件具有至少穿过顶部P-层和N-势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P-区形成在沟槽之间的顶部P-层的顶部。浮动N-区形成在P-区下方。浮动N-区的宽度等于或大于P-区宽度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限申请专利范围的范围或意图。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.023 秒)
