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    半導體裝置製造中之氧化錫膜
    2.
    发明专利
    半導體裝置製造中之氧化錫膜 审中-公开
    半导体设备制造中之氧化锡膜

    公开(公告)号：TW201842573A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107105182

    申请日：2018-02-13

    申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 游 正義 ,  YU, JENGYI ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA ,  姜 瑜 ,  JIANG, YU ,  吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  威茲 理查 ,  WISE, RICHARD ,  潘 陽 ,  PAN, YANG ,  莎瑪 納德 ,  SHAMMA, NADER ,  佛洛斯基 博里斯 ,  VOLOSSKIY, BORIS

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/8258

    摘要： 錫氧化物膜係用作半導體元件製造中的間隔件及硬遮罩。在一方法中，錫氧化物層係保形地形成於基板上之凸起特徵部的側壁及水平表面上方。然後，鈍化層係形成於側壁上之錫氧化物上方，以及然後從凸起特徵部的水平表面移除錫氧化物，而不移除凸起特徵部之側壁處的錫氧化物。然後，移除凸起特徵部的材料，同時留下位於凸起特徵部之側壁處的錫氧化物，從而形成錫氧化物間隔件。基於氫及基於氯的乾式蝕刻化學成分係用以於存在諸多材料的情況下，選擇性地蝕刻錫氧化物。在另一方法中，圖案化錫氧化物硬遮罩層係藉由在未經圖案化之錫氧化物上方形成圖案化層、並且將圖案轉移至錫氧化物而形成於基板上。

    简体摘要： 锡氧化物膜系用作半导体组件制造中的间隔件及硬遮罩。在一方法中，锡氧化物层系保形地形成于基板上之凸起特征部的侧壁及水平表面上方。然后，钝化层系形成于侧壁上之锡氧化物上方，以及然后从凸起特征部的水平表面移除锡氧化物，而不移除凸起特征部之侧壁处的锡氧化物。然后，移除凸起特征部的材料，同时留下位于凸起特征部之侧壁处的锡氧化物，从而形成锡氧化物间隔件。基于氢及基于氯的干式蚀刻化学成分系用以于存在诸多材料的情况下，选择性地蚀刻锡氧化物。在另一方法中，图案化锡氧化物硬遮罩层系借由在未经图案化之锡氧化物上方形成图案化层、并且将图案转移至锡氧化物而形成于基板上。

    低粗糙度之極紫外光微影技術
    3.
    发明专利
    低粗糙度之極紫外光微影技術 审中-公开
    低粗糙度之极紫外光微影技术

    公开(公告)号：TW201730682A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105119663

    申请日：2016-06-23

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 威茲 理查 ,  WISE, RICHARD ,  莎瑪 納德 ,  SHAMMA, NADER

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/30655 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137

    摘要： 本說明書中所提供的係為用以使利用極紫外線(EUV, extreme ultraviolet)微影來圖案化之特徵部之邊緣平滑化的方法及相關設備。在若干實施例中，執行至少一循環的下列步驟：沉積鈍化層，其優先聚集在特徵部的縫隙中而留下突起物被暴露，然後蝕刻該特徵部以移除該暴露之突起物，藉此使該特徵部平滑化。由於表面相對於容積比在縫隙中較在突起物中更高所致，該鈍化材料可優先聚集於縫隙中。在若干實施例中，局部關鍵尺寸均勻度(LCDU, local critical dimension uniformity)(接觸孔中之粗糙度的測度)會減少。在若干實施例中，執行至少一循環之下列步驟：在光阻中所形成之複數孔洞中沉積薄層，該等孔洞具有不同的關鍵尺寸(CD)，其中該薄層優先沉積於較大CD的孔洞中，然後非等向性地移除該薄層，以移除位於該等孔洞底部的該薄層。

    简体摘要： 本说明书中所提供的系为用以使利用极紫外线(EUV, extreme ultraviolet)微影来图案化之特征部之边缘平滑化的方法及相关设备。在若干实施例中，运行至少一循环的下列步骤：沉积钝化层，其优先聚集在特征部的缝隙中而留下突起物被暴露，然后蚀刻该特征部以移除该暴露之突起物，借此使该特征部平滑化。由于表面相对于容积比在缝隙中较在突起物中更高所致，该钝化材料可优先聚集于缝隙中。在若干实施例中，局部关键尺寸均匀度(LCDU, local critical dimension uniformity)(接触孔中之粗糙度的测度)会减少。在若干实施例中，运行至少一循环之下列步骤：在光阻中所形成之复数孔洞中沉积薄层，该等孔洞具有不同的关键尺寸(CD)，其中该薄层优先沉积于较大CD的孔洞中，然后非等向性地移除该薄层，以移除位于该等孔洞底部的该薄层。

    消除微影製程中隨機過程的良率衝擊
    7.
    发明专利
    消除微影製程中隨機過程的良率衝擊 审中-公开
    消除微影制程中随机过程的良率冲击

    公开(公告)号：TW201907445A

    公开(公告)日：2019-02-16

    申请号：TW107116415

    申请日：2018-05-15

    申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 莎瑪 納德 ,  SHAMMA, NADER ,  威茲 理查 ,  WISE, RICHARD ,  游 正義 ,  YU, JENGYI ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

    摘要： 此處揭露在微影圖案化的基板上執行深寬比相依沉積與深寬比獨立蝕刻之循環的方法和設備。方法適於降低在由微影形成與部分形成的特徵部之間特徵部深度及/或深寬比的變異性，一些部分形成的特徵部係由於隨機效應而部分形成。方法和設備適於處理具有在極紫外線微影之後的光阻的基板。一些方法包含藉由電漿輔助化學氣相沉積的沉積與藉由原子層蝕刻之方向性蝕刻的循環。

    简体摘要： 此处揭露在微影图案化的基板上运行深宽比相依沉积与深宽比独立蚀刻之循环的方法和设备。方法适于降低在由微影形成与部分形成的特征部之间特征部深度及/或深宽比的变异性，一些部分形成的特征部系由于随机效应而部分形成。方法和设备适于处理具有在极紫外线微影之后的光阻的基板。一些方法包含借由等离子辅助化学气相沉积的沉积与借由原子层蚀刻之方向性蚀刻的循环。