利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

14 条记录 (耗时 0.025 秒)

    用於大體積原子層沉積反應器中之邊緣均勻性調變的組成物匹配簾幕氣體混合物
    6.
    发明专利
    用於大體積原子層沉積反應器中之邊緣均勻性調變的組成物匹配簾幕氣體混合物 审中-公开
    用于大体积原子层沉积反应器中之边缘均匀性调制的组成物匹配帘幕气体混合物

    公开(公告)号：TW201717253A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105126033

    申请日：2016-08-16

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 帕斯果 法蘭克 L ,  PASQUALE, FRANK L. ,  巴爾達塞羅尼 克洛伊 ,  BALDASSERONI, CHLOE ,  奧古斯丁尼亞克 愛德華 ,  AUGUSTYNIAK, EDWARD ,  崎山幸紀 ,  SAKIYAMA, YUKINORI ,  史旺明內森 珊卡 ,  SWAMINATHAN, SHANKAR

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/31

    CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505

    摘要： 本揭露內容關於實施膜沉積之方法。方法可包含：藉由使簾幕氣體流動於第一處理站與第二處理站之間，容積地隔離它們；及點燃由第一及第二電漿進料氣體所維持之第一電漿及第二電漿，同時使簾幕氣體流動，以造成在第一及第二處理站之膜沉積。簾幕氣體及第一及第二電漿進料氣體每一者可包含高崩潰電壓物種，高崩潰電壓物種可為氧分子。高崩潰電壓物種在3.4 Torr-cm之壓力–距離（pd）值下可具有至少約250 V之崩潰電壓。簾幕氣體之高崩潰電壓物種之濃度可高於第一及第二電漿進料氣體。高崩潰電壓物種可構成約5-50%莫耳分率之簾幕氣體。高崩潰電壓物種可為氧分子。

    简体摘要： 本揭露内容关于实施膜沉积之方法。方法可包含：借由使帘幕气体流动于第一处理站与第二处理站之间，容积地隔离它们；及点燃由第一及第二等离子进料气体所维持之第一等离子及第二等离子，同时使帘幕气体流动，以造成在第一及第二处理站之膜沉积。帘幕气体及第一及第二等离子进料气体每一者可包含高崩溃电压物种，高崩溃电压物种可为氧分子。高崩溃电压物种在3.4 Torr-cm之压力–距离（pd）值下可具有至少约250 V之崩溃电压。帘幕气体之高崩溃电压物种之浓度可高于第一及第二等离子进料气体。高崩溃电压物种可构成约5-50%莫耳分率之帘幕气体。高崩溃电压物种可为氧分子。

    內連線結構用之複合介電界面層
    8.
    发明专利
    內連線結構用之複合介電界面層 审中-公开
    内连接结构用之复合介电界面层

    公开(公告)号：TW201826344A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106132733

    申请日：2017-09-25

    申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 瑞迪 卡蒲 瑟利西 ,  REDDY, KAPU SIRISH ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  史旺明內森 珊卡 ,  SWAMINATHAN, SHANKAR ,  蘭維爾 梅利哈 格茲德 ,  RAINVILLE, MELIHA GOZDE ,  帕斯果 法蘭克 L ,  PASQUALE, FRANK L.

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/768

    摘要： 具有介電常數（k）小於約7且密度至少約2.5 g/cm3之特徵的介電複合膜係沉積在部分製造的半導體元件上以作為蝕刻停止層。在一實施例中，複合膜包含選自由Al、Si、及Ge組成之群組的至少兩元素、及選自由O、N、及C組成之群組的至少一元素。在一實施例中，複合膜包括Al、Si、及O。在一實施方式中，包含曝露的介電層（例如ULK介電質）及曝露的金屬層之基板係與含鋁化合物（諸如三甲基鋁）、且依序與含矽化合物接觸。所吸附的化合物係接著使用含氧電漿（例如在含CO2氣體中形成的電漿）處理以形成包含Al、Si、及O的膜。

    简体摘要： 具有介电常数（k）小于约7且密度至少约2.5 g/cm3之特征的介电复合膜系沉积在部分制造的半导体组件上以作为蚀刻停止层。在一实施例中，复合膜包含选自由Al、Si、及Ge组成之群组的至少两元素、及选自由O、N、及C组成之群组的至少一元素。在一实施例中，复合膜包括Al、Si、及O。在一实施方式中，包含曝露的介电层（例如ULK介电质）及曝露的金属层之基板系与含铝化合物（诸如三甲基铝）、且依序与含硅化合物接触。所吸附的化合物系接着使用含氧等离子（例如在含CO2气体中形成的等离子）处理以形成包含Al、Si、及O的膜。