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公开(公告)号:TWI663689B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:TW103136878
申请日:2014-10-24
申请人: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人: 賴利 派崔克 , REILLY, PATRICK , 德 尼真休斯 哈洛德 , TE NIJENHUIS, HARALD , 戴格 內麗莎 蘇 , DRAEGER, NERISSA SUE , 凡 史貴凡迪 巴頓J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J. , 恩迪居 尼可拉斯 穆加 , NDIEGE, NICHOLAS MUGA
IPC分类号: H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/31 , H01L21/67
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公开(公告)号:TW201619428A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:TW104126948
申请日:2015-08-19
申请人: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人: 恩迪居 尼可拉斯 穆加 , NDIEGE, NICHOLAS MUGA , 尼特拉 克瑞斯那 , NITTALA, KRISHNA , 王 德瑞克 B , WONG, DEREK B. , 安東內利 喬治 安祖 , ANTONELLI, GEORGE ANDREW , 戴格 內麗莎 蘇 , DRAEGER, NERISSA SUE , 凡 克林帕 派崔克 A , VAN CLEEMPUT, PATRICK A.
IPC分类号: C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/316 , H01L21/02
摘要: 本文提供使用不含鹵素之前驅物及催化劑於基板上沉積可流動介電膜的方法。不含鹵素之前驅物及催化劑包含自催化之胺基矽烷化合物及不含鹵素之有機酸。可流動膜可用於填充具有曝露的金屬化層之基板上存在的介電膜中的孔隙。該等方法涉及水解及縮合反應。
简体摘要: 本文提供使用不含卤素之前驱物及催化剂于基板上沉积可流动介电膜的方法。不含卤素之前驱物及催化剂包含自催化之胺基硅烷化合物及不含卤素之有机酸。可流动膜可用于填充具有曝露的金属化层之基板上存在的介电膜中的孔隙。该等方法涉及水解及缩合反应。
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公开(公告)号:TW201532188A
公开(公告)日:2015-08-16
申请号:TW103136878
申请日:2014-10-24
申请人: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人: 賴利 派崔克 , REILLY, PATRICK , 德 尼真休斯 哈洛德 , TE NIJENHUIS, HARALD , 戴格 內麗莎 蘇 , DRAEGER, NERISSA SUE , 凡 史貴凡迪 巴頓J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J. , 恩迪居 尼可拉斯 穆加 , NDIEGE, NICHOLAS MUGA
IPC分类号: H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/31 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/02271 , C23C16/02 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/45512 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02315 , H01L21/67207 , H01L21/76224 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76837
摘要: 在此提供基板表面之改良可流動介電質沉積的方法與設備。此方法涉及在不形成厚的高潤濕蝕刻速率介面層的情況下改善基板表面的成核作用與潤濕。根據各實施例,本方法可包括沉積表面的單一或多階段遠端電漿處理。在某些實施例中,處理可包括對還原化學物與含氫氧化化學物兩者的暴露。用於進行本方法的設備亦提供之。
简体摘要: 在此提供基板表面之改良可流动介电质沉积的方法与设备。此方法涉及在不形成厚的高润湿蚀刻速率界面层的情况下改善基板表面的成核作用与润湿。根据各实施例,本方法可包括沉积表面的单一或多阶段远程等离子处理。在某些实施例中,处理可包括对还原化学物与含氢氧化化学物两者的暴露。用于进行本方法的设备亦提供之。
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公开(公告)号:TW201734258A
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW105137199
申请日:2016-11-15
申请人: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人: 莫恩 強納森 D , MOHN, JONATHAN D. , 恩迪居 尼可拉斯 穆加 , NDIEGE, NICHOLAS MUGA , 凡 克林帕 派崔克 A , VAN CLEEMPUT, PATRICK A. , 陳 方偉 , CHEN, DAVID FANG WEI , 梁文博 , LIANG, WENBO , 荷謬頓 尚恩 M , HAMILTON, SHAWN M.
IPC分类号: C23C16/48 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/31
CPC分类号: H01L21/67109 , C23C16/045 , C23C16/44 , C23C16/56 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/67225 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要: 本文中提供用於進行紫外光(UV)輔助毛細凝結作用以形成介電材料之方法及設備。在一些實施例中,UV驅動的反應促進液相可流動材料之光聚合作用。應用包括高深寬比結構中的高品質間隙填充、及孔洞性固體介電膜的封孔。根據各種實施例,提供配置用於進行毛細凝結作用及UV暴露的單站及多站腔室。
简体摘要: 本文中提供用于进行紫外光(UV)辅助毛细凝结作用以形成介电材料之方法及设备。在一些实施例中,UV驱动的反应促进液相可流动材料之光聚合作用。应用包括高深宽比结构中的高品质间隙填充、及孔洞性固体介电膜的封孔。根据各种实施例,提供配置用于进行毛细凝结作用及UV暴露的单站及多站腔室。
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公开(公告)号:TW201729245A
公开(公告)日:2017-08-16
申请号:TW105137188
申请日:2016-11-15
申请人: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
CPC分类号: H01L21/02348 , C23C16/00 , C23C18/00 , H01L21/02115 , H01L21/02123 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76224 , H01L21/76844 , H01L23/53238
摘要: 本文中提供用於進行紫外光(UV)輔助毛細凝結作用以形成介電材料之方法及設備。在一些實施例中,UV驅動的反應促進液相可流動材料之光聚合作用。應用包括高深寬比結構中的高品質間隙填充、及孔洞性固體介電膜的封孔。根據各種實施例,提供配置用於進行毛細凝結作用及UV暴露的單站及多站腔室。
简体摘要: 本文中提供用于进行紫外光(UV)辅助毛细凝结作用以形成介电材料之方法及设备。在一些实施例中,UV驱动的反应促进液相可流动材料之光聚合作用。应用包括高深宽比结构中的高品质间隙填充、及孔洞性固体介电膜的封孔。根据各种实施例,提供配置用于进行毛细凝结作用及UV暴露的单站及多站腔室。
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